公开(公告)号：CN118610090A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202311539320.X

申请日：2023-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈品彣 ,  葛于臣 ,  陈继元 ,  郑雅忆 ,  蔡纯怡 ,  林威戎 ,  张志维 ,  蔡明兴 ,  章勋明 ,  罗唯仁

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在突出得高于衬底的鳍之上形成栅极结构；邻近所述栅极结构、在所述鳍之上形成源极/漏极区域；围绕所述栅极结构、在所述源极/漏极区域之上形成层间电介质(ILD)层；在所述ILD层中形成开口以暴露所述源极/漏极区域；在所述源极/漏极区域之上的所述开口中依次形成硅化物区域和阻挡层，其中，所述阻挡层包括氮化硅；降低所述阻挡层的暴露于所述开口的表面部分中的氮化硅的浓度；在进行所述降低之后，在所述阻挡层上形成晶种层；以及在所述晶种层上形成导电材料以填充所述开口。

公开(公告)号：CN104347423A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201310662452.1

申请日：2013-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王立廷 ,  蔡腾群 ,  林群雄 ,  林正堂 ,  陈继元 ,  李弘贸 ,  张惠政

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66803

Abstract: 本发明公开了集成结和接触件的形成以形成晶体管，其中，一种方法包括在半导体区域上方形成栅极堆叠件，在半导体区域上方沉积杂质层，在杂质层上方沉积金属层。然后实施退火，其中，杂质层中的元素通过退火扩散进半导体区域的一部分内以形成源极/漏极区域，并且金属层与半导体区域的该部分的表面层反应以在源极/漏极区域上方形成源极/漏极硅化物区域。

公开(公告)号：CN104051511A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310298850.X

申请日：2013-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林正堂 ,  蔡腾群 ,  王立廷 ,  陈继元 ,  林国楹 ,  潘婉君 ,  颜名良 ,  蔡庆威 ,  江国诚 ,  张惠政 ,  王志豪

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/823418 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括提供工件，其包括n型场效应晶体管（N-FET）区、p型FET（P-FET）区以及设置在N-FET区和P-FET之上的绝缘材料。该方法包括对绝缘材料进行图案化以露出部分N-FET区和部分P-FET区，以及在N-FET区的露出部分和P-FET区的露出部分之上形成氧化物层。P-FET区上方的氧化物层被改变，并且金属层形成在部分N-FET区和P-FET区上方。工件被退火以在N-FET区上方形成金属-绝缘层-半导体（MIS）隧穿二极管以及在P-FET区上方形成硅化物或锗化物材料。

公开(公告)号：CN104347423B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201310662452.1

申请日：2013-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王立廷 ,  蔡腾群 ,  林群雄 ,  林正堂 ,  陈继元 ,  李弘贸 ,  张惠政

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66803

Abstract: 本发明公开了集成结和接触件的形成以形成晶体管，其中，一种方法包括在半导体区域上方形成栅极堆叠件，在半导体区域上方沉积杂质层，在杂质层上方沉积金属层。然后实施退火，其中，杂质层中的元素通过退火扩散进半导体区域的一部分内以形成源极/漏极区域，并且金属层与半导体区域的该部分的表面层反应以在源极/漏极区域上方形成源极/漏极硅化物区域。

公开(公告)号：CN104051511B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310298850.X

申请日：2013-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林正堂 ,  蔡腾群 ,  王立廷 ,  陈继元 ,  林国楹 ,  潘婉君 ,  颜名良 ,  蔡庆威 ,  江国诚 ,  张惠政 ,  王志豪

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，制造半导体器件的方法包括提供工件，其包括n型场效应晶体管（N-FET）区、p型FET（P-FET）区以及设置在N-FET区和P-FET之上的绝缘材料。该方法包括对绝缘材料进行图案化以露出部分N-FET区和部分P-FET区，以及在N-FET区的露出部分和P-FET区的露出部分之上形成氧化物层。P-FET区上方的氧化物层被改变，并且金属层形成在部分N-FET区和P-FET区上方。工件被退火以在N-FET区上方形成金属-绝缘层-半导体（MIS）隧穿二极管以及在P-FET区上方形成硅化物或锗化物材料。

公开(公告)号：CN103909474B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201310084294.6

申请日：2013-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林国楹 ,  蔡腾群 ,  潘婉君 ,  张翔笔 ,  陈继元

IPC: B24B53/017

CPC classification number: B24B55/00 ,  B08B3/02 ,  B24B53/017

Abstract: 本发明提供了一种CMP站清洁系统和方法。一个实施例包括化学机械抛光CMP站，该CMP站包括用于覆盖CMP站不同部件的壳体单元。CMP站进一步包括浆料臂防护罩、浆料喷嘴、衬垫调节臂防护罩、压板防护罩、和载体头的不同表面；以及壳体单元的内部和垂直表面。将清洁液传送系统配置成作为定期向CMP站的不同表面配给清洁液。

公开(公告)号：CN103943487B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310150945.7

申请日：2013-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林国楹 ,  潘婉君 ,  张翔笔 ,  蔡腾群 ,  陈继元

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/66795

Abstract: 公开了半导体区的生长中的化学机械抛光。一种方法包括执行第一平坦化步骤以去除半导体区位于隔离区上方的部分。第一平坦化步骤具有第一选择性，第一选择性是半导体区的第一去除速率与隔离区的第二去除速率的比值。在暴露隔离区之后，对隔离区和半导体区位于隔离区之间的一部分执行第二平坦化步骤。第二平坦化步骤具有低于第一选择性的第二选择性，第二选择性是半导体区的该部分的第三去除速率与隔离区的第四去除速率的比值。

公开(公告)号：CN103915345B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310100068.2

申请日：2013-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈继元 ,  蔡腾群 ,  林国楹 ,  潘婉君 ,  张翔笔 ,  朱熙甯 ,  陈彦友 ,  栾洪发 ,  江国诚

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/42356 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造半导体器件的方法包括部分地制造鳍式场效应晶体管(FinFET)，该FinFET包括具有第一半导电材料和设置在第一半导电材料上方的第二半导电材料的半导体鳍。去除半导体鳍的第二半导电材料的顶部，并且暴露第一半导电材料的顶部。从第二半导电材料的下方去除第一半导电材料的顶部。氧化第一半导电材料和第二半导电材料，在第一半导电材料上形成具有第一厚度的第一氧化物和在第二半导电材料上形成具有第二厚度的第二氧化物，第一厚度大于第二厚度。从第二半导电材料去除第二氧化物，以及完成FinFET的制造。

公开(公告)号：CN103909474A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310084294.6

申请日：2013-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林国楹 ,  蔡腾群 ,  潘婉君 ,  张翔笔 ,  陈继元

IPC: B24B53/017

CPC classification number: B24B55/00 ,  B08B3/02 ,  B24B53/017

Abstract: 本发明提供了一种CMP站清洁系统和方法。一个实施例包括化学机械抛光(CMP)站，该CMP站包括用于覆盖CMP站不同部件的壳体单元。CMP站进一步包括浆料臂防护罩、浆料喷嘴、衬垫调节臂防护罩、压板防护罩、和载体头的不同表面；以及壳体单元的内部和垂直表面。将清洁液传送系统配置成作为定期向CMP站的不同表面配给清洁液。

公开(公告)号：CN103943487A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310150945.7

申请日：2013-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林国楹 ,  潘婉君 ,  张翔笔 ,  蔡腾群 ,  陈继元

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/785

Abstract: 公开了半导体区的生长中的化学机械抛光。一种方法包括执行第一平坦化步骤以去除半导体区位于隔离区上方的部分。第一平坦化步骤具有第一选择性，第一选择性是半导体区的第一去除速率与隔离区的第二去除速率的比值。在暴露隔离区之后，对隔离区和半导体区位于隔离区之间的一部分执行第二平坦化步骤。第二平坦化步骤具有低于第一选择性的第二选择性，第二选择性是半导体区的该部分的第三去除速率与隔离区的第四去除速率的比值。