-
公开(公告)号：CN111223816A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911180876.8
申请日：2019-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234
Abstract: 本文公开了半导体装置及其制造方法。例示性，该半导体装置的形成方法包括于基板之上形成鳍片，其中鳍片包括具有不同半导体材料的第一半导体层及第二半导体层，并且鳍片包括通道区及源极/漏极区；于鳍片的通道区之上及基板之上形成虚设栅极结构；蚀刻位于源极/漏极区中的一部分鳍片以在其中形成沟槽，其中沟槽的底表面于第二半导体层的底表面下方；于通道区选择性去除第二半导体层的边缘部分，使得第二半导体层凹入；于凹入的第二半导体层周围及沟槽的底表面之上形成牺牲结构；以及于鳍片的源极/漏极区中外延生长源极/漏极部件。
-
公开(公告)号：CN112563266A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202010475836.2
申请日：2020-05-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8234
Abstract: 本发明实施例的半导体装置，包括位于第一装置区中的多个第一全绕式栅极装置，以及位于第二装置区中的多个第二全绕式栅极装置。第一全绕式栅极装置的每一者包括多个通道部件的第一垂直堆叠、第一栅极结构以及多个内侧间隔物结构；第一栅极结构围绕通道部件的第一垂直堆叠并位于其上。第二全绕式栅极装置的每一者包括多个通道部件的第二垂直堆叠以及第二栅极结构，第二栅极结构围绕通道部件的第二垂直堆叠并位于其上。通道部件的第一垂直堆叠的两个相邻的通道部件之间，隔有第一栅极结构的一部分与内侧间隔物结构的至少一者。通道部件的第二垂直堆叠的两个相邻的通道部件之间，只隔有第二栅极结构的一部分。
-
公开(公告)号：CN111129146A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911050799.4
申请日：2019-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供半导体装置，其包括半导体鳍状物、隔离结构、外延的源极/漏极结构以及硅化物层。半导体鳍状物位于基板上；隔离结构至少部分地围绕半导体鳍状物；外延的源极/漏极结构，位于半导体鳍状物上，其中外延的源极/漏极结构的延伸部分延伸于隔离结构上；硅化物层位于外延的源极/漏极结构上，且硅化物层连续围绕隔离结构上的外延的源极/漏极结构的延伸部分。
-
公开(公告)号：CN113161353A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110096447.3
申请日：2021-01-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置，半导体装置包括第一半导体带，自基板凸起；第二半导体带，自基板凸起；隔离材料，围绕第一半导体带与第二半导体带；纳米片结构，位于第一半导体带上，其中纳米片结构与第一半导体带隔有含栅极材料的第一栅极结构，其中第一栅极结构部分地围绕纳米片结构；以及第一半导体通道区与第二半导体通道区，位于第二半导体带上，其中第一半导体通道区与第二半导体通道区隔有含栅极材料的第二栅极结构，其中第二栅极结构延伸于第二半导体带的上表面上。
-
公开(公告)号：CN113130623A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110208308.5
申请日：2021-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明的半导体装置包括第一隔离结构与第二隔离结构；鳍状结构，沿着第一方向纵向延伸并沿着第二方向夹设于第一隔离结构与第二隔离结构之间，且第一方向垂直于第二方向；第一通道组件，位于第一隔离结构上；第二通道组件，位于第二隔离结构上；以及栅极结构，位于第一通道组件与第二通道组件上并包覆第一通道组件与第二通道组件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112582409A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010189923.1
申请日：2020-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L21/8234 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 此处提供半导体装置结构的形成方法。方法包括：形成第一栅极堆叠与第二栅极堆叠于基板上。基板具有基底以及基底上的第一鳍状结构与第二鳍状结构，且第二鳍状结构比第一鳍状结构宽。方法包括部分地移除第一栅极堆叠未覆盖的第一鳍状结构与第二栅极堆叠未覆盖的第二鳍状结构。方法包括形成内侧间隔物层于第一栅极堆叠未覆盖的第一鳍状结构上。方法包括分别形成第一应力源与第二应力源于内侧间隔物层上与第二栅极堆叠未覆盖的第二鳍状结构上。
-
公开(公告)号：CN113270367A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110156303.2
申请日：2021-02-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制作方法。半导体装置的制作方法包括形成自基板凸起的鳍状物，且鳍状物具有相对的第一侧壁与第二侧壁；形成牺牲介电层于鳍状物的上表面、第一侧壁与第二侧壁上；蚀刻牺牲介电层，以自鳍状物的第二侧壁移除牺牲介电层；形成凹陷于鳍状物中；自凹陷成长外延的源极/漏极结构，外延的源极/漏极结构具有相对的第一侧壁与第二侧壁，其中牺牲介电层覆盖外延的源极/漏极结构的第一侧壁；使牺牲介电层凹陷，以露出外延的源极/漏极结构的第一侧壁；以及形成源极/漏极接点于外延的源极/漏极结构的第一侧壁上。
-
公开(公告)号：CN112018113A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010241453.9
申请日：2020-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供半导体装置及其形成方法。依据本发明实施例的半导体装置包含第一源极/漏极部件、第二源极/漏极部件、位于第一源极/漏极部件与第二源极/漏极部件之间的第一半导体通道元件和第二半导体通道元件，以及第一介电部件和第二介电部件的每一者包含第一介电层和不同于第一介电层的第二介电层。第一介电部件和第二介电部件夹设于第一半导体通道元件与第二半导体通道元件之间。
-
公开(公告)号：CN110957223A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910893163.X
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 一种半导体装置的形成方法包含在基底之上设置多个第一半导体层和多个第二半导体层，其中第一半导体层和第二半导体层具有不同的材料组成且交错设置，且第一半导体层和第二半导体层在基底的第一区域和第二区域之上延伸；将第一半导体层和第二半导体层图案化，以在第一区域中形成第一鳍及在第二区域中形成第二鳍；从第一鳍和第二鳍移除第一半导体层，使得图案化的第二半导体层的第一部分在第一鳍中形成多个第一悬浮纳米结构，且图案化的第二半导体层的第二部分在第二鳍中形成多个第二悬浮纳米结构；在第二鳍中的第二悬浮纳米结构上形成多个第三半导体层；以及进行退火制程，以驱使第三半导体层中含有的材料进入对应的第二鳍中的第二悬浮纳米结构中。
-
公开(公告)号：CN112242357B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202010380640.5
申请日：2020-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种方法包括：在半导体衬底上方形成外延半导体层，以及蚀刻外延半导体层和半导体衬底以形成半导体条，该半导体条包括用作心轴的上部和位于心轴下方的下部。上部是外延半导体层的剩余部分，并且下部是半导体衬底的剩余部分。该方法还包括从心轴的第一侧壁开始生长第一半导体鳍，从心轴的第二侧壁开始生长第二半导体鳍。第一侧壁和第二侧壁是心轴的相对侧壁。基于第一半导体鳍形成第一晶体管。基于第二半导体鳍形成第二晶体管。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.03 seconds)
