公开(公告)号：CN106816471A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201610937203.2

申请日：2016-10-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  黄靖方 ,  卡罗司·迪亚兹 ,  王志豪 ,  谢文兴 ,  梁英强

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/845 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/42356

Abstract: 一种多栅极元件，包含设置于基板上的源极/漏极特征。源极/漏极特征包含第一纳米线、设置于第一纳米线上的第二纳米线、设置于第一纳米线及第二纳米线上的包覆层以及自第一纳米线延伸至第二纳米线的间隔层。元件亦包含直接设置于源极/漏极特征上的导电特征，以使得导电特征实体接触包覆层及间隔层。

公开(公告)号：CN103915486B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310684897.X

申请日：2013-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 范学实 ,  张胜杰 ,  胡嘉欣 ,  梁铭彰 ,  吴显扬 ,  谢文兴 ,  黄靖方

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及高效率的FinFET二极管及其制造方法，该FinFET二极管设计为解决由有效面积减少引起的传统FinFET二极管的劣化问题。FinFET二极管具有掺杂衬底、两组分隔开的基本平行等距细长的半导体鳍结构、形成在两组鳍结构之间且用于鳍结构间的绝缘的电介质层、垂直横过两组鳍结构的多个基本等距及平行的细长栅极结构、以及分别纵向地形成在两组鳍结构之上的两组半导体带。两组半导体带掺杂为具有相反的导电类型：p型和n型。FinFET二极管还具有形成在半导体带之上的金属接触件。在一个实施例中，半导体带可通过外延生长和原位掺杂与鳍结构整体形成。

公开(公告)号：CN110323219B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201811440548.2

申请日：2018-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘逸群 ,  曾健庭 ,  陈志良 ,  杨超源 ,  黄星凯 ,  黄靖方

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8249

Abstract: 本揭露涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，其包含衬底、一对晶体管装置及隔离区。所述对晶体管装置安置于所述衬底上。所述对所述晶体管装置中的每一者包含沟道、在所述沟道上方的栅极电极，及在所述栅极电极旁边的源极/漏极区。所述隔离区安置于所述对所述晶体管装置的所述源极/漏极区之间。所述隔离区具有第一掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述源极/漏极区的第二掺杂类型相反。

公开(公告)号：CN110323219A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201811440548.2

申请日：2018-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘逸群 ,  曾健庭 ,  陈志良 ,  杨超源 ,  黄星凯 ,  黄靖方

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8249

Abstract: 本揭露涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，其包含衬底、一对晶体管装置及隔离区。所述对晶体管装置安置于所述衬底上。所述对所述晶体管装置中的每一者包含沟道、在所述沟道上方的栅极电极，及在所述栅极电极旁边的源极/漏极区。所述隔离区安置于所述对所述晶体管装置的所述源极/漏极区之间。所述隔离区具有第一掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述源极/漏极区的第二掺杂类型相反。

公开(公告)号：CN102983165B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201210237611.9

申请日：2012-07-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志强 ,  后藤贤一 ,  谢文兴 ,  何炯煦 ,  王志庆 ,  黄靖方

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02362 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/0234 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了用于控制沟道厚度和阻止因小部件而产生变化的系统与方法。一种实施例包括在衬底上形成凸起的鳍状件和在所述鳍状件上方形成覆盖层。所述沟道载流子被重掺杂的鳍状件排斥，但是限制在所述覆盖层内。这形成允许对栅极更大静电控制的薄沟道。本发明还公开了一种控制沟道厚度的FinFET设计。

公开(公告)号：CN106711221A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610979819.6

申请日：2016-11-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  吴忠政 ,  黄靖方 ,  谢文兴 ,  梁英强 ,  鍾政庭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4236

Abstract: 一种多重栅极装置，包含第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包含第一和第二磊晶层，由第一半导体材料组成。第二磊晶层配置于第一磊晶层上方。第一晶体管也包含第一栅极介电层和第一金属栅极层，第一栅极介电层环绕第一和第二磊晶层且从第一磊晶层的顶面延伸至第二磊晶层的底面，第一金属栅极层环绕第一栅极介电层。第二晶体管包含由第一半导体材料组成的第三磊晶层及由第二半导体组成的第四磊晶层，第四磊晶层直接配置于第三磊晶层上。第二晶体管也包含第二栅极介电层，且配置于第三和第四磊晶层上方且第二金属栅极层配置于第二栅极介电层上方。

公开(公告)号：CN103915486A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310684897.X

申请日：2013-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 范学实 ,  张胜杰 ,  胡嘉欣 ,  梁铭彰 ,  吴显扬 ,  谢文兴 ,  黄靖方

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/201 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及高效率的FinFET二极管及其制造方法，该FinFET二极管设计为解决由有效面积减少引起的传统FinFET二极管的劣化问题。FinFET二极管具有掺杂衬底、两组分隔开的基本平行等距细长的半导体鳍结构、形成在两组鳍结构之间且用于鳍结构间的绝缘的电介质层、垂直横过两组鳍结构的多个基本等距及平行的细长栅极结构、以及分别纵向地形成在两组鳍结构之上的两组半导体带。两组半导体带掺杂为具有相反的导电类型：p型和n型。FinFET二极管还具有形成在半导体带之上的金属接触件。在一个实施例中，半导体带可通过外延生长和原位掺杂与鳍结构整体形成。

公开(公告)号：CN102983165A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210237611.9

申请日：2012-07-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志强 ,  后藤贤一 ,  谢文兴 ,  何炯煦 ,  王志庆 ,  黄靖方

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02362 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/0234 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了用于控制沟道厚度和阻止因小部件而产生变化的系统与方法。一种实施例包括在衬底上形成凸起的鳍状件和在所述鳍状件上方形成覆盖层。所述沟道载流子被重掺杂的鳍状件排斥，但是限制在所述覆盖层内。这形成允许对栅极更大静电控制的薄沟道。本发明还公开了一种控制沟道厚度的FinFET设计。