公开(公告)号：CN113206082A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202011334091.4

申请日：2020-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鍾政庭 ,  陈豪育 ,  蔡庆威

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 在此揭露半导体装置中，具有缩小的临界尺寸的背侧互连结构。在一个实施例中，一种半导体装置包含：第一晶体管结构、第一背侧互连结构、电源导线与第一源极/漏极触点。第一晶体管结构在基板的前侧上。第一背侧互连结构在基板的背侧上，第一背侧互连结构包含第一导体特征部，具有锥状侧壁，锥状侧壁具有朝远离基板的方向上渐缩的宽度。电源导线延伸贯穿基板，电源导线电性耦合至第一导体特征部。第一源极/漏极触点从电源导线延伸至第一晶体管结构的第一源极/漏极区。

公开(公告)号：CN106711221A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610979819.6

申请日：2016-11-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  吴忠政 ,  黄靖方 ,  谢文兴 ,  梁英强 ,  鍾政庭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4236

Abstract: 一种多重栅极装置，包含第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包含第一和第二磊晶层，由第一半导体材料组成。第二磊晶层配置于第一磊晶层上方。第一晶体管也包含第一栅极介电层和第一金属栅极层，第一栅极介电层环绕第一和第二磊晶层且从第一磊晶层的顶面延伸至第二磊晶层的底面，第一金属栅极层环绕第一栅极介电层。第二晶体管包含由第一半导体材料组成的第三磊晶层及由第二半导体组成的第四磊晶层，第四磊晶层直接配置于第三磊晶层上。第二晶体管也包含第二栅极介电层，且配置于第三和第四磊晶层上方且第二金属栅极层配置于第二栅极介电层上方。