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公开(公告)号：CN1591885A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410059319.8
申请日：2004-06-15
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L24/97 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14643 , H01L27/14683 , H01L31/0203 , H01L31/02325 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , Y10T29/49002 , Y10T29/4913 , Y10T29/49133 , Y10T29/49146 , Y10T29/49171 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 在具有一个CMOS象传感器的相机组件的制造方法中，一个作为光传感器的半导体芯片被安装在一布线基片母板的一个光学部件安装表面上，而在接合线被连接到该半导体芯片后，将一个透镜筒连接到布线基片母板以覆盖该半导体芯片。一个位置调节针和一个穿透孔分别被安置在透镜筒和布线基片母板位于透镜筒和布线基片母板之间连结表面以外的位置上，以通过将位置调整针插入穿透孔来调整透镜筒相对于布线基片母板的位置。
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公开(公告)号：CN100517682C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200310124336.0
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 日立超大规模集成电路系统株式会社 , 瑞萨东日本半导体公司
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/565 , H01L23/49548 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01055 , H01L2924/01056 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明意在提高QFN(方形扁平无引线封装)的制造成品率并得到多管脚结构。通过制模形成密封半导体芯片的树脂密封部件之后，沿切割线切割树脂密封部件和引线框架的外周部分，切割线设置在沿树脂密封部件的外边缘延伸的线(制模线)的内部(在树脂密封部件的中心)，由此暴露到树脂密封部件的侧面(切割面)的每个引线的整个表面(上和下表面以及两个侧面)用树脂覆盖，由此防止了在引线的切割面上形成金属毛刺。
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公开(公告)号：CN100347845C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200410031904.7
申请日：2004-03-31
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/68 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/48 , H01L21/304 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L2224/32145 , H01L2224/45144 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/00
Abstract: 本发明给出半导体器件的制造方法，它能够快速剥离叠压在胶带上的极薄的芯片，而不会产生裂缝或碎片。振动器的头部与叠压了许多通过分离半导体晶片而得到的半导体芯片的胶带的背表面接触。通过施加频率1kHz到100kHz、幅度1μm到50μm的纵向振动，芯片被从胶带上剥离下来。在向胶带施加纵向振动时，对胶带施加水平方向的张力。
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公开(公告)号：CN1591884A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410059317.9
申请日：2004-06-15
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L31/0203 , H01L31/02325 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/13144 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48475 , H01L2224/4848 , H01L2224/48599 , H01L2224/81801 , H01L2224/82 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85444 , H01L2224/85447 , H01L2224/86 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/12043 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H04N5/2253 , H04N5/2254 , H04N5/2257 , H01L2224/85 , H01L2924/01079 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 传感器芯片和其内容纳传感器芯片的透镜架被安装在布线基片的一个表面，而其内容纳透镜的透镜握持器与透镜架耦合。在布线基片的后表面上，安装一个逻辑芯片，一个存贮器芯片和一无源部件，它们用一种密封树脂加以密封。传感器芯片的电极焊盘通过连线被电连接到布线基片表面的电极上，但在布线基片表面的电极上还形成一个钮状凸块，而此钮状凸块与接合线接合。在布线基片的表面上，用一种各向异性导电膜和一种粘结剂，粘结一柔性基片。当要制造一个相机组件时，布线基片的表面侧是在布线基片的后表面侧被装配好以后再装配的。
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公开(公告)号：CN1534762A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410031904.7
申请日：2004-03-31
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/68 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/48 , H01L21/304 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L2224/32145 , H01L2224/45144 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/00
Abstract: 本发明给出半导体器件的制造方法，它能够快速剥离迭压在胶带上的极薄的芯片，而不会产生裂缝或碎片。振动器的头部与迭压了许多通过分离半导体晶片而得到的半导体芯片的胶带的背表面接触。通过施加频率1kHz到100kHz、幅度1μm到50μm的纵向振动，芯片被从胶带上剥离下来。在向胶带施加纵向振动时，对胶带施加水平方向的张力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100435301C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200410058682.8
申请日：2004-07-28
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/75 , H01L24/97 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/73215 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2224/92147 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，以在装配半导体集成电路器件中，改善生产率。提供矩阵衬底，且半导体芯片被放置在第一加热平台上，然后，矩阵衬底被放置在第一加热平台上的半导体芯片上，随后，在用第一加热平台直接加热芯片的情况下，用热压键合方法暂时将半导体芯片与矩阵衬底彼此键合，然后，暂时键合的矩阵衬底被放置在邻近第一加热平台的第二加热平台上，然后，在被第二加热平台直接加热的情况下，在第二加热平台上将半导体芯片热压键合到矩阵衬底。
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公开(公告)号：CN1307700C
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN02816331.1
申请日：2002-05-28
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
CPC classification number: H01L25/0655 , H01L23/13 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2223/6644 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/291 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48639 , H01L2224/48647 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/81143 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/85 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/15151 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/1517 , H01L2924/15313 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/20752 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/00012
Abstract: 此处公开的是一种半导体器件，它能够减小在多级放大单元末级的晶体管的输出端子处产生的寄生电感的变化。包括末级晶体管的半导体芯片的一边被置于与形成在布线衬底中的正方形凹陷的内壁相接触，以便半导体芯片被准确地定位和固定在凹陷的底部，晶体管的漏金属丝从而被固定。然后，其中芯片顶部上排列漏电极的芯片边沿被置于与更靠近漏键合焊点的凹陷内壁(一边)相接触。然后，尺寸与芯片尺寸相同的金属化层被形成在凹陷底部处，以便与凹陷的内壁(一边)相接触，然后，预定数量的熔融键合材料被提供在金属化层上。然后，键合材料回流，致使芯片的一边由于表面张力驱动的熔化的键合材料的自对准作用而被置于与内壁的一边相接触。
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公开(公告)号：CN1599035A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410079704.9
申请日：2004-09-17
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/67132 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，其中快速地剥离叠置到非紫外线固化型胶带上的非常薄的芯片而不会出现破裂和碎片。在抽吸块的中心部分，合并了向上推动切割带的三个块，抽吸块用于剥离叠置到切割带上的芯片。关于这些块，在具有最大直径的第一块内排列了直径小于第一块直径的第二块。此外，在第二块内部排列了具有最小直径的第三块。为了通过使用块推动切割带的背面剥离芯片，首先，同时向上推动三个块，然后，进一步向上推动中间块和内部块，最后，进一步向上推动内部块。
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公开(公告)号：CN1512574A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN200310124336.0
申请日：2003-12-26
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 日立超大规模集成电路系统株式会社 , 瑞萨东日本半导体公司
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/565 , H01L23/49548 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/78301 , H01L2224/85181 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01055 , H01L2924/01056 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明意在提高QFN(方形扁平无引线封装)的制造成品率并得到多管脚结构。通过制模形成密封半导体芯片的树脂密封部件之后，沿切割线切割树脂密封部件和引线框架的外周部分，切割线设置在沿树脂密封部件的外边缘延伸的线(制模线)的内部(在树脂密封部件的中心)，由此暴露到树脂密封部件的侧面(切割面)的每个引线的整个表面(上和下表面以及两个侧面)用树脂覆盖，由此防止了在引线的切割面上形成金属毛刺。
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公开(公告)号：CN1599047A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410058682.8
申请日：2004-07-28
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
CPC classification number: H01L24/83 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/75 , H01L24/97 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/48247 , H01L2224/4826 , H01L2224/73215 , H01L2224/83101 , H01L2224/83192 , H01L2224/8385 , H01L2224/92147 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/01031 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 在装配半导体集成电路器件中，要改善生产率。提供了一种矩阵衬底，且半导体芯片被放置在第一加热平台上，然后，矩阵衬底被放置在第一加热平台上的半导体芯片上，随后，在用第一加热平台直接加热芯片的情况下，用热压键合方法暂时将半导体芯片与矩阵衬底彼此键合，然后，暂时键合的矩阵衬底被放置在邻近第一加热平台的第二加热平台上，然后，在被第二加热平台直接加热的情况下，在第二加热平台上将半导体芯片热压键合到矩阵衬底。
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