公开(公告)号：CN100435301C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200410058682.8

申请日：2004-07-28

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  瑞萨东日本半导体公司

Inventor： 牧浩 ,  谷由贵夫

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/75 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件的制造方法，以在装配半导体集成电路器件中，改善生产率。提供矩阵衬底，且半导体芯片被放置在第一加热平台上，然后，矩阵衬底被放置在第一加热平台上的半导体芯片上，随后，在用第一加热平台直接加热芯片的情况下，用热压键合方法暂时将半导体芯片与矩阵衬底彼此键合，然后，暂时键合的矩阵衬底被放置在邻近第一加热平台的第二加热平台上，然后，在被第二加热平台直接加热的情况下，在第二加热平台上将半导体芯片热压键合到矩阵衬底。

公开(公告)号：CN1599047A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410058682.8

申请日：2004-07-28

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  瑞萨东日本半导体公司

Inventor： 牧浩 ,  谷由贵夫

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/75 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599

Abstract: 在装配半导体集成电路器件中，要改善生产率。提供了一种矩阵衬底，且半导体芯片被放置在第一加热平台上，然后，矩阵衬底被放置在第一加热平台上的半导体芯片上，随后，在用第一加热平台直接加热芯片的情况下，用热压键合方法暂时将半导体芯片与矩阵衬底彼此键合，然后，暂时键合的矩阵衬底被放置在邻近第一加热平台的第二加热平台上，然后，在被第二加热平台直接加热的情况下，在第二加热平台上将半导体芯片热压键合到矩阵衬底。

公开(公告)号：CN101431036A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810169041.8

申请日：2004-07-28

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 牧浩 ,  谷由贵夫

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/75 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4826 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92147 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599

Abstract: 在装配半导体集成电路器件中，要改善生产率。本发明提供一种制造半导体集成电路器件的方法，包含下列步骤：准备具有多个器件形成区域、并具有由有机材料构成的基底的有机布线衬底；准备具有形成有集成电路的主面和在与主面相反一侧的背面的多个半导体芯片；通过接合剂将多个半导体芯片以其主面一侧朝着有机布线衬底的方式暂时键合到上述多个器件形成区域；将暂时粘合着多个半导体芯片的有机布线衬底配置在加热平台上，使得多个半导体芯片的背面与加热平台相接触；利用加热平台以第一温度加热多个半导体芯片，并利用配置在有机布线衬底上方的加热夹具以低于第一温度的第二温度加热有机布线衬底，据此利用粘合剂将多个半导体芯片主键合到上述器件形成区域。