公开(公告)号：CN100347845C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200410031904.7

申请日：2004-03-31

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  瑞萨东日本半导体公司

Inventor： 和田隆 ,  大録范行 ,  牧浩

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/48 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明给出半导体器件的制造方法，它能够快速剥离叠压在胶带上的极薄的芯片，而不会产生裂缝或碎片。振动器的头部与叠压了许多通过分离半导体晶片而得到的半导体芯片的胶带的背表面接触。通过施加频率1kHz到100kHz、幅度1μm到50μm的纵向振动，芯片被从胶带上剥离下来。在向胶带施加纵向振动时，对胶带施加水平方向的张力。

公开(公告)号：CN1534762A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410031904.7

申请日：2004-03-31

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  瑞萨东日本半导体公司

Inventor： 和田隆 ,  大録范行 ,  牧浩

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/68 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/48 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明给出半导体器件的制造方法，它能够快速剥离迭压在胶带上的极薄的芯片，而不会产生裂缝或碎片。振动器的头部与迭压了许多通过分离半导体晶片而得到的半导体芯片的胶带的背表面接触。通过施加频率1kHz到100kHz、幅度1μm到50μm的纵向振动，芯片被从胶带上剥离下来。在向胶带施加纵向振动时，对胶带施加水平方向的张力。

公开(公告)号：CN1630943A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN03803623.1

申请日：2003-03-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 本间博 ,  小田岛均 ,  宫崎忠一 ,  和田隆 ,  大录范行 ,  三田彻

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68327

Abstract: 为了提高用于叠式闪存等的薄型半导体器件的可靠性和产量，半导体器件的制造如下所述：使用上冲夹具，利用粘合片从背面将通过切割粘合片上的半导体晶片得到的每个半导体芯片(半导体器件)向上推，其中超声波振动应用到上冲夹具上，从而不会破坏粘合片，以及拾取每个半导体芯片。

公开(公告)号：CN100334706C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN03803623.1

申请日：2003-03-10

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 本间博 ,  小田岛均 ,  宫崎忠一 ,  和田隆 ,  大录范行 ,  三田彻

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/52

Abstract: 为了提高用于叠式闪存等的薄型半导体器件的可靠性和产量，半导体器件的制造如下所述：使用上冲夹具，利用粘合片从背面将通过切割粘合片上的半导体晶片得到的每个半导体芯片(半导体器件)向上推，其中超声波振动应用到上冲夹具上，从而不会破坏粘合片，以及拾取每个半导体芯片。