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公开(公告)号：CN112510081A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011380487.2
申请日：2020-11-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内部从下至上依次层叠有第一栅氧、浮空多晶栅、第二栅氧和控制多晶栅形成双层屏蔽栅极结构；层间介质层上设置有源极浅沟槽，源极浅沟槽对称分布在栅极沟槽的两侧，源极浅沟槽依次穿过层间介质层、N+源掺杂区和P+体掺杂区，源极浅沟槽的深度不超过栅极沟槽中控制多晶栅的纵向多晶厚度；源极浅沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体掺杂区相连接；金属层设置在层间介质层上，并填充源极浅沟槽。
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公开(公告)号：CN119943667A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510109999.1
申请日：2025-01-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/311 , C23C16/40 , C23C16/505 , C23C16/56
Abstract: 本发明提出了一种减少SOG膜质刻蚀后副产物的方法及系统，包括基于制作的高台阶图形片在预设的第一刻蚀条件下进行平坦化处理，得到平坦化图形片；对所述平坦化图形片进行无掩膜刻蚀，得到无掩膜图形片；对所述无掩膜图形片依次进行光刻胶涂覆、曝光和显影，得到所需图形，并将所需图形成型在晶圆表面，得到初始刻蚀产品；对所述初始刻蚀产品进行清洗，得到最终刻蚀产品。本方法显著提升了最终刻蚀产品的质量和可靠性，不仅减少了SOG膜质刻蚀后的副产物，还提高了整个半导体制造流程的效率和产品良率，且在形成图形片之前把SOG全部刻蚀完来实现减少SOG膜质刻蚀后的副产物。
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公开(公告)号：CN119786349A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411840416.4
申请日：2024-12-13
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L21/02 , H10N97/00 , H01L23/522 , B08B3/08 , B08B3/02
Abstract: 本发明公开了一种解决片上薄膜电阻钨钛腐蚀残留的方法，属于半导体芯片制造领域，该方法首先在已制备好的金属与薄膜电阻互连的硅片上使用双氧水刻蚀掉大部分钨钛相当于主刻蚀；其中，薄膜电阻具备钨钛阻挡层；其次进行湿法有机清洗，去除剩余钨钛表面的反应副产物；最后使用双氧水去除剩余钨钛相当于过刻蚀。与现有技术相比，本发明提出的方法可操作性强，常规的湿法酸槽即可满足工艺要求；成本较低，使用的化学腐蚀液以及特气均为半导体集成电路生产线常见物料；应用前景广阔，在模拟集成电路制造过程中即可完成对该铬硅系薄膜电阻金属互连层的腐蚀。
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公开(公告)号：CN117976713A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311704723.5
申请日：2023-12-12
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 本发明属于微电子领域，公开了一种抗辐射MOS场效应晶体管的非对称沟槽型终端及制备方法，包括硅衬底上设置耐压外延层并定义多级沟槽栅区域，各级沟槽栅区域开设若干相互隔离的浮空多晶沟槽栅，相邻区域沟槽的结构参数按单调趋势变化，耐压外延层上方设置穿过各级多晶沟槽栅且截止于最外侧沟槽结构的P+结；制备方法包括由光刻和刻蚀方法定义各级沟槽栅区域，再在整体沟槽栅区域由氮化硅膜和TEOS膜的单一掩膜层图形实现多级沟槽栅图形转移，由交替重复的掩膜层刻蚀和沟槽刻蚀完成非对称沟槽结构的成型，掩膜层刻蚀和沟槽刻蚀步骤的次数对应沟槽级数；可减少离子轰击和热氧化造成的沟槽内硅膜损伤，解决沟槽内绝缘硅氧化膜质量降低和绝缘性退化问题。
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公开(公告)号：CN117855048A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410026131.0
申请日：2024-01-08
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/337 , H01L29/808
Abstract: 本发明提供一种提升双极PJFET阈值均匀性的方法，通过不同能量的多次高能离子注入和退火激活扩散杂质直接形成PJFET的顶栅和沟道的掺杂分布，从而消除了原有工艺中高温氧化扩散，造成了PJFET沟道和顶栅杂质再分布引起阈值电压变化的因素；本申请制备的PJFET片内，批次之间的阈值电压的均匀性得到了极大的提升。
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公开(公告)号：CN112510081B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202011380487.2
申请日：2020-11-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内部从下至上依次层叠有第一栅氧、浮空多晶栅、第二栅氧和控制多晶栅形成双层屏蔽栅极结构；层间介质层上设置有源极浅沟槽，源极浅沟槽对称分布在栅极沟槽的两侧，源极浅沟槽依次穿过层间介质层、N+源掺杂区和P+体掺杂区，源极浅沟槽的深度不超过栅极沟槽中控制多晶栅的纵向多晶厚度；源极浅沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体掺杂区相连接；金属层设置在层间介质层上，并填充源极浅沟槽。
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公开(公告)号：CN113308676B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202110572621.7
申请日：2021-05-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开一种基于Endura5500型直流磁控溅射台的铝硅铜厚金属薄膜物理气相淀积的腔体处理方法，当前一片晶圆金属铝硅铜溅射传出腔体后，对磁控溅射台的工艺腔体进行抽真空处理；在步骤S1抽真空的工艺腔体中通60s的正面氩气和基座氩气；对步骤S2处理后的工艺腔体进行抽真空30s；将下一片晶圆传入工艺腔体进行铝硅铜厚金属薄膜溅射；本发明通过控制并优化金属淀积后工艺腔体的真空度和基座温度，实现宇航级抗辐射VDMOS芯片生产过程中铝硅铜厚金属薄膜单腔淀积技术，同时解决批生产时正面金属化工艺不能多片连续作业的问题。
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公开(公告)号：CN113410305A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110663157.2
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法，衬底表面并列形成有P阱和漂移区；P阱上依次层叠有SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层；HTO氮氧硅层上形成有多晶栅；漂移区上形成有多个场氧；场氧之间形成有场环；场环上形成有SiO2薄氮氧硅层；P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上形成有介质层。方法包括在衬底表面形成P阱和漂移区；在P阱上依次生长SiO2栅氧层氮化形成SiO2氮氧硅层、淀积HTO栅氧层氮化形成HTO氮氧硅层，SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层形成复合栅介质结构，淀积多晶硅形成栅极；在漂移区上的场氧之间形成总剂量加固的场环，场环上依次生长SiO2薄氧化层，并氮化成SiO2薄氮氧硅层形成漂移区加固结构；在P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上淀积形成有介质层。
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公开(公告)号：CN113308676A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110572621.7
申请日：2021-05-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开一种实现物理气相淀积铝硅铜厚金属薄膜的腔体处理方法，当前一片晶圆金属铝硅铜溅射传出腔体后，对磁控溅射台的工艺腔体进行抽真空处理；在步骤S1抽真空的工艺腔体中通60s的正面氩气和基座氩气；对步骤S2处理后的工艺腔体进行抽真空30s；将下一片晶圆传入工艺腔体进行铝硅铜厚金属薄膜溅射；本发明通过控制并优化金属淀积后工艺腔体的真空度和基座温度，实现宇航级抗辐射VDMOS芯片生产过程中铝硅铜厚金属薄膜单腔淀积技术，同时解决批生产时正面金属化工艺不能多片连续作业的问题。
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公开(公告)号：CN112885813A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110057448.7
申请日：2021-01-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L23/544 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，在N+孔链中增加部分区域，尤其是在孔接触区域增加P+注入，与原有孔链结构兼容，结构实现简单，监控结果对比显著，若出现新型结构孔链电阻偏小，而P+孔链电阻正常，可以轻松定位异常工序。本发明PN结孔链结构，在相同的工艺过程中，更能反映出工艺过程的波动，相对N+孔链、P+孔链结构，能更敏感的反映出工艺过程的变化，真实的反映产品批次间导通电阻的变化趋势。
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