公开(公告)号：CN112510081A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011380487.2

申请日：2020-11-30

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王晨杰 ,  王英民 ,  刘存生 ,  薛智民 ,  孙有民 ,  王小荷

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内部从下至上依次层叠有第一栅氧、浮空多晶栅、第二栅氧和控制多晶栅形成双层屏蔽栅极结构；层间介质层上设置有源极浅沟槽，源极浅沟槽对称分布在栅极沟槽的两侧，源极浅沟槽依次穿过层间介质层、N+源掺杂区和P+体掺杂区，源极浅沟槽的深度不超过栅极沟槽中控制多晶栅的纵向多晶厚度；源极浅沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体掺杂区相连接；金属层设置在层间介质层上，并填充源极浅沟槽。

公开(公告)号：CN113990983B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202111243682.5

申请日：2021-10-25

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王成熙 ,  王英民 ,  赵杰 ,  王勇 ,  陈斌 ,  孙有民 ,  王清波 ,  温富刚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/102 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明提供一种光吸收能力强的光敏二极管及其制备方法，在晶圆表面的接触孔和受光区域中生长介质层，得到受光区域的增透膜结构；然后对介质层进行第二次接触孔光刻，得到欧姆接触孔；然后在晶圆表面溅射金属薄膜，进行第一次光刻、刻蚀工艺保留受光区域和欧姆接触孔上的顶层金属层；然后在晶圆表面淀积钝化层，并将受光区域上的钝化层去掉；然后在晶圆表面受光区域的顶层金属层进行第二次光刻、刻蚀工艺，去掉受光区域的金属薄膜，退火，得到光敏二极管，通过上述方法本发明实现调节光敏二极管受光区增透膜材料和结构的目的，从而增强光敏二极管对指定波长光线的吸收能力，提高光敏二极管的电流传输比(CTR)，最终提升光电耦合器传输特性。

公开(公告)号：CN113410135B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202110663133.7

申请日：2021-06-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 杨晓文 ,  王健 ,  王忠芳 ,  侯斌 ,  李照 ,  胡长青 ,  王英民

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明公开了一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，包括以下过程，在P型硅衬底形成P型外延层，在P型外延层形成第一介质层；在第一介质层上进行光刻形成保护环区；对保护环区进行P型注入，形成P型掺杂区；在P型外延层的第一介质层上进行光刻形成漂移区，在漂移区上进行N型注入，形成N型掺杂区；在漂移区上通过光刻形成源漏区，再进行N型注入，形成N型掺杂区；在漂移区上进行光刻形成栅区；所述栅区贯穿漂移区，并延伸至P型外延层，在栅区中进行多次P型注入并退火，形成P型掺杂区；在漂移区内形成源极电极和漏极电极；在表面形成钝化层；在P型硅衬底的背面形成栅极电极后，完成抗辐照结型场效应晶体管。

公开(公告)号：CN112510080B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202011376406.1

申请日：2020-11-30

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王晨杰 ,  王英民 ,  刘存生 ,  薛智民 ,  孙有民 ,  王小荷

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法，结构包括从下至上依次堆叠的衬底、缓冲外延层、PN结超结外延、垫氧层、层间介质层和金属层；PN结超结为周期性交替的P柱和N柱，N柱上方的垫氧层和层间介质层之间从下至上依次设置有JFET加固栅氧和栅极多晶；P柱上方的垫氧层中从下至上依次设置有P+体区和N+源区；P柱上方的层间介质层上设置有源极沟槽，源极沟槽穿过N+源区，源极沟槽的底部不超过P+体区，源极沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体区和P柱相连接；源极沟槽内和层间介质层的表面上设置有金属过渡层，金属层设置在金属过渡层上。起到抑制单粒子烧毁效应的作用，有效消除单粒子栅穿现象的产生。

公开(公告)号：CN113410135A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110663133.7

申请日：2021-06-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 杨晓文 ,  王健 ,  王忠芳 ,  侯斌 ,  李照 ,  胡长青 ,  王英民

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明公开了一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，包括以下过程，在P型硅衬底形成P型外延层，在P型外延层形成第一介质层；在第一介质层上进行光刻形成保护环区；对保护环区进行P型注入，形成P型掺杂区；在P型外延层的第一介质层上进行光刻形成漂移区，在漂移区上进行N型注入，形成N型掺杂区；在漂移区上通过光刻形成源漏区，再进行N型注入，形成N型掺杂区；在漂移区上进行光刻形成栅区；所述栅区贯穿漂移区，并延伸至P型外延层，在栅区中进行多次P型注入并退火，形成P型掺杂区；在漂移区内形成源极电极和漏极电极；在表面形成钝化层；在P型硅衬底的背面形成栅极电极后，完成抗辐照结型场效应晶体管。

公开(公告)号：CN117976713A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202311704723.5

申请日：2023-12-12

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王晨杰 ,  赵辉 ,  曾坤 ,  王英民 ,  刘存生 ,  孙有民

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明属于微电子领域，公开了一种抗辐射MOS场效应晶体管的非对称沟槽型终端及制备方法，包括硅衬底上设置耐压外延层并定义多级沟槽栅区域，各级沟槽栅区域开设若干相互隔离的浮空多晶沟槽栅，相邻区域沟槽的结构参数按单调趋势变化，耐压外延层上方设置穿过各级多晶沟槽栅且截止于最外侧沟槽结构的P+结；制备方法包括由光刻和刻蚀方法定义各级沟槽栅区域，再在整体沟槽栅区域由氮化硅膜和TEOS膜的单一掩膜层图形实现多级沟槽栅图形转移，由交替重复的掩膜层刻蚀和沟槽刻蚀完成非对称沟槽结构的成型，掩膜层刻蚀和沟槽刻蚀步骤的次数对应沟槽级数；可减少离子轰击和热氧化造成的沟槽内硅膜损伤，解决沟槽内绝缘硅氧化膜质量降低和绝缘性退化问题。

公开(公告)号：CN112510081B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202011380487.2

申请日：2020-11-30

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王晨杰 ,  王英民 ,  刘存生 ,  薛智民 ,  孙有民 ,  王小荷

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内部从下至上依次层叠有第一栅氧、浮空多晶栅、第二栅氧和控制多晶栅形成双层屏蔽栅极结构；层间介质层上设置有源极浅沟槽，源极浅沟槽对称分布在栅极沟槽的两侧，源极浅沟槽依次穿过层间介质层、N+源掺杂区和P+体掺杂区，源极浅沟槽的深度不超过栅极沟槽中控制多晶栅的纵向多晶厚度；源极浅沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体掺杂区相连接；金属层设置在层间介质层上，并填充源极浅沟槽。

公开(公告)号：CN113410305A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110663157.2

申请日：2021-06-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 宋坤 ,  王英民 ,  孙有民 ,  王小荷 ,  曹磊 ,  陈宝忠 ,  刘存生

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法，衬底表面并列形成有P阱和漂移区；P阱上依次层叠有SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层；HTO氮氧硅层上形成有多晶栅；漂移区上形成有多个场氧；场氧之间形成有场环；场环上形成有SiO2薄氮氧硅层；P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上形成有介质层。方法包括在衬底表面形成P阱和漂移区；在P阱上依次生长SiO2栅氧层氮化形成SiO2氮氧硅层、淀积HTO栅氧层氮化形成HTO氮氧硅层，SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层形成复合栅介质结构，淀积多晶硅形成栅极；在漂移区上的场氧之间形成总剂量加固的场环，场环上依次生长SiO2薄氧化层，并氮化成SiO2薄氮氧硅层形成漂移区加固结构；在P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上淀积形成有介质层。

公开(公告)号：CN112382656A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011270506.6

申请日：2020-11-13

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 宋坤 ,  王英民 ,  孙有民 ,  薛智民 ,  王小荷 ,  曹磊

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种横向扩散MOS场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括由下至上依次设置的衬底硅层、埋氧层和硅膜层；硅膜层的两端分别形成阱、漏极，并在阱与漏极之间形成超薄硅层漂移区；阱上具有源级、栅极，漂移区上具有场板；所述硅膜层的阱与漏极之间减薄形成顶部下凹的超薄漂移区；漂移区自阱至漏极方向的掺杂浓度线性递增，使得漂移区能够形成平缓横向电场分布，大幅提升了器件击穿电压；所述漂移区的厚度小于硅膜层两端的厚度。与现有的LDMOS相比，该晶体管结构简单，在具有高击穿电压的同时具有低的开启电压，易于与BCD工艺技术兼容，为高压及功率集成电路的设计及工艺制造提供了更多选择性。

公开(公告)号：CN116387352A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310287791.X

申请日：2023-03-22

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 宋坤 ,  王英民 ,  曹磊 ,  刘存生 ,  陈宝忠 ,  王小荷

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法，包括设置于SOI衬底片顶层硅中的P阱，以及设置于P阱两侧的STI浅槽隔离区；所述P阱表面设置有厚栅氧化层和薄栅氧化层；所述厚栅氧化层和薄栅氧化层上设置有栅极；所述P阱表面和栅极两侧沿与沟道平行方向设置有N型LDD区；所述栅极的两侧设置有侧墙；所述侧墙两侧沿与沟道平行方向的N型重掺杂区设置有N型沟道SOI晶体管的源极和漏极；所述器件沿与沟道垂直方向两端的P型重掺杂区设置有N型沟道SOI晶体管的体引出极；本申请不需要增加额外的制造工序，结构中由于寄生栅下方介质厚度的增加，寄生栅电容显著降低，提高逻辑单元的工作速度，对抗辐射深亚微米集成电路性能的提升具有重要意义。