公开(公告)号：CN113970529A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111227963.1

申请日：2021-10-21

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 何江 ,  马朝柱 ,  刘存生 ,  潘振雨 ,  杜星

IPC: G01N21/3563

Abstract: 一种双极型集成电路隔离工艺硼掺杂量的测试方法，包括以下步骤：准备硅衬底片；调整B2H6流量，在硅衬底片上沉积BSG薄膜；对上述硅衬底片进行热退火处理；采用傅里叶红外光谱测试仪在室温下对热退火后的骤硅衬底片的硼含量进行测试。该方法基于BSG薄膜有限表面源掺杂这一特性，通过在硅片上先淀积一定浓度的BSG薄膜，通过快速热退火激活硼原子，随后通过傅里叶红外能谱仪在室温下测试薄膜内的硼含量，根据测试的硼含量结果调整淀积BSG薄膜的掺杂气体B2H6的流量，可以使BSG薄膜淀积量满足产品隔离工艺的使用要求。该方法快速退火激活硼杂质的热预算相对较低，可大幅压缩工艺监控时间至1h以内，提升了双极型集成电路隔离工艺的产能。

公开(公告)号：CN113308676B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202110572621.7

申请日：2021-05-25

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 何江 ,  王成熙 ,  刘存生 ,  刘如征 ,  李博

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56

Abstract: 本发明公开一种基于Endura5500型直流磁控溅射台的铝硅铜厚金属薄膜物理气相淀积的腔体处理方法，当前一片晶圆金属铝硅铜溅射传出腔体后，对磁控溅射台的工艺腔体进行抽真空处理；在步骤S1抽真空的工艺腔体中通60s的正面氩气和基座氩气；对步骤S2处理后的工艺腔体进行抽真空30s；将下一片晶圆传入工艺腔体进行铝硅铜厚金属薄膜溅射；本发明通过控制并优化金属淀积后工艺腔体的真空度和基座温度，实现宇航级抗辐射VDMOS芯片生产过程中铝硅铜厚金属薄膜单腔淀积技术，同时解决批生产时正面金属化工艺不能多片连续作业的问题。

公开(公告)号：CN113308676A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110572621.7

申请日：2021-05-25

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 何江 ,  王成熙 ,  刘存生 ,  刘如征 ,  李博

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56

Abstract: 本发明公开一种实现物理气相淀积铝硅铜厚金属薄膜的腔体处理方法，当前一片晶圆金属铝硅铜溅射传出腔体后，对磁控溅射台的工艺腔体进行抽真空处理；在步骤S1抽真空的工艺腔体中通60s的正面氩气和基座氩气；对步骤S2处理后的工艺腔体进行抽真空30s；将下一片晶圆传入工艺腔体进行铝硅铜厚金属薄膜溅射；本发明通过控制并优化金属淀积后工艺腔体的真空度和基座温度，实现宇航级抗辐射VDMOS芯片生产过程中铝硅铜厚金属薄膜单腔淀积技术，同时解决批生产时正面金属化工艺不能多片连续作业的问题。

公开(公告)号：CN118738123A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410771101.2

申请日：2024-06-14

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 马朝柱 ,  王刚平 ,  李博 ,  赵重炜 ,  何江 ,  张旭杰

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体芯片制造技术领域，尤其涉及一种垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管及制备方法，包括衬底，所述衬底上依次设有外延层、栅氧化层、金属层和钝化层；所述钝化层包括高密度等离子增强型氧化层膜质和等离子增强型氮化硅。通过采用高密度等离子增强型氧化层膜质与等离子增强型氮化硅作为钝化层，可更好的填充厚铝工艺经湿法刻蚀后形成的水滴状形貌，使源区和栅区高度差降低，填充钝化层内空洞。并降低了垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管的栅源漏电流。提升了垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管钝化层的钝化能力。解决现有技术中存在的垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管栅源漏电流大的问题。