公开(公告)号：CN112885813B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202110057448.7

申请日：2021-01-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 杨丽侠 ,  薛智民 ,  刘存生 ,  曹磊 ,  邢鸿雁 ,  王晨杰

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/48

公开(公告)号：CN112885813A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110057448.7

申请日：2021-01-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 杨丽侠 ,  薛智民 ,  刘存生 ,  曹磊 ,  邢鸿雁 ,  王晨杰

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，在N+孔链中增加部分区域，尤其是在孔接触区域增加P+注入，与原有孔链结构兼容，结构实现简单，监控结果对比显著，若出现新型结构孔链电阻偏小，而P+孔链电阻正常，可以轻松定位异常工序。本发明PN结孔链结构，在相同的工艺过程中，更能反映出工艺过程的波动，相对N+孔链、P+孔链结构，能更敏感的反映出工艺过程的变化，真实的反映产品批次间导通电阻的变化趋势。