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公开(公告)号：CN113410382B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202110662034.7
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L49/02
Abstract: 本发明属于薄膜电阻制备技术领域，公开了一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上使用化学气相沉积法沉积二氧化硅绝缘层；使用物理气相沉积法在二氧化硅绝缘层上先沉积铬硅电阻层，再沉积钛钨层；使用化学气相沉积法在钛钨层上沉积二氧化硅层，作为硬掩膜；在硬掩膜上完成电阻图形的制备；对二氧化硅层进行刻蚀，形成硬掩膜窗口；使用强氧化溶剂对硬掩膜窗口的钛钨层进行去除；对铬硅电阻层进行干法预刻蚀；使用湿法化学腐蚀法对铬硅电阻层进行腐蚀，得到铬硅系薄膜电阻。使用硬掩膜作为刻蚀阻挡层可解决湿法腐蚀的侵蚀问题，使用干法预刻蚀解决湿法腐蚀速率非线性变化的问题，可有效控制电阻图形的宽度、长度，提高电阻的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119786349A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411840416.4
申请日：2024-12-13
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L21/02 , H10N97/00 , H01L23/522 , B08B3/08 , B08B3/02
Abstract: 本发明公开了一种解决片上薄膜电阻钨钛腐蚀残留的方法，属于半导体芯片制造领域，该方法首先在已制备好的金属与薄膜电阻互连的硅片上使用双氧水刻蚀掉大部分钨钛相当于主刻蚀；其中，薄膜电阻具备钨钛阻挡层；其次进行湿法有机清洗，去除剩余钨钛表面的反应副产物；最后使用双氧水去除剩余钨钛相当于过刻蚀。与现有技术相比，本发明提出的方法可操作性强，常规的湿法酸槽即可满足工艺要求；成本较低，使用的化学腐蚀液以及特气均为半导体集成电路生产线常见物料；应用前景广阔，在模拟集成电路制造过程中即可完成对该铬硅系薄膜电阻金属互连层的腐蚀。
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公开(公告)号：CN113410382A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110662034.7
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L49/02
Abstract: 本发明属于薄膜电阻制备技术领域，公开了一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上使用化学气相沉积法沉积二氧化硅绝缘层；使用物理气相沉积法在二氧化硅绝缘层上先沉积铬硅电阻层，再沉积钛钨层；使用化学气相沉积法在钛钨层上沉积二氧化硅层，作为硬掩膜；在硬掩膜上完成电阻图形的制备；对二氧化硅层进行刻蚀，形成硬掩膜窗口；使用强氧化溶剂对硬掩膜窗口的钛钨层进行去除；对铬硅电阻层进行干法预刻蚀；使用湿法化学腐蚀法对铬硅电阻层进行腐蚀，得到铬硅系薄膜电阻。使用硬掩膜作为刻蚀阻挡层可解决湿法腐蚀的侵蚀问题，使用干法预刻蚀解决湿法腐蚀速率非线性变化的问题，可有效控制电阻图形的宽度、长度，提高电阻的精度。
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公开(公告)号：CN115458480A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211192126.4
申请日：2022-09-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/3213
Abstract: 本发明公开了一种金属互连层腐蚀方法，属于半导体模拟集成电路领域，首先在已制备好的铬硅系电阻硅片上使用物理气相淀积工艺制备金属铝硅铜膜质；使用光刻工艺完成金属层图形的制备；使用烘箱进行坚膜，保证光刻胶形貌；使用打底膜工艺去除光刻显影后的残留；使用铝硅铜腐蚀液对金属层进行腐蚀；进行干法去胶，去除表层的光刻胶；利用扫硅渣液去除金属腐蚀后留下的硅渣；进行湿法有机清洗，对残留光刻胶及颗粒进一步去除；使用双氧水对薄膜电阻区TiW阻挡层进行腐蚀；薄膜电阻金属互连层制备完成。本发明工艺简单，可操作性强，应用前景广阔，在模拟集成电路制造过程中即可完成对该铬硅系薄膜电阻金属互连层的腐蚀。
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公开(公告)号：CN117293056A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311243699.X
申请日：2023-09-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种集成电路中干法去胶等离子损伤的监控方法，具体步骤如下：S1基于现有的集成电路制作流程，在离子注入、激活后，获取干法去胶前后晶圆的方阻值得到方阻前值和方阻后值；S2计算方阻前值和方阻后值的差值，所述差值作为干法去胶等离子损伤结果用于实现干法去胶等离子损伤的监控。本发明方法可以及时反馈干法去胶等离子损伤程度，解决等离子损伤导致的器件性能失效问题。
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公开(公告)号：CN115172260A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210901510.0
申请日：2022-07-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种解决凹坑残留的浅槽隔离工艺制备方法，在0.18pumCMOS工艺平台中，浅槽隔离形成的工艺过程为：首先完成氮化硅硬掩膜刻蚀，并以氮化硅作为硬掩膜完成硅片的干法刻蚀形成浅沟槽。然后采用化学气相沉积在浅沟槽中填充二氧化硅，并采用化学机械研磨去掉多余的二氧化硅，再通过磷酸全剥去除氮化硅，形成完整的浅槽隔离。本发明在湿法清洗工艺中引入硬掩膜回刻技术后，增加了二氧化硅介质的填充宽度，可在后续的湿法全剥工艺中抵消横向刻蚀作用；通过优化多步湿法腐蚀和清洗工艺解决浅槽隔离工艺制作过程中出现的凹坑残留问题，达到平坦化刻蚀提升器件的隔离性能。
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