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公开(公告)号：CN113990983A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111243682.5
申请日：2021-10-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/102 , H01L31/108
Abstract: 本发明提供一种光吸收能力强的光敏二极管及其制备方法，在晶圆表面的接触孔和受光区域中生长介质层，得到受光区域的增透膜结构；然后对介质层进行第二次接触孔光刻，得到欧姆接触孔；然后在晶圆表面溅射金属薄膜，进行第一次光刻、刻蚀工艺保留受光区域和欧姆接触孔上的顶层金属层；然后在晶圆表面淀积钝化层，并将受光区域上的钝化层去掉；然后在晶圆表面受光区域的顶层金属层进行第二次光刻、刻蚀工艺，去掉受光区域的金属薄膜，退火，得到光敏二极管，通过上述方法本发明实现调节光敏二极管受光区增透膜材料和结构的目的，从而增强光敏二极管对指定波长光线的吸收能力，提高光敏二极管的电流传输比(CTR)，最终提升光电耦合器传输特性。
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公开(公告)号：CN110828559A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911115642.5
申请日：2019-11-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种高厄利电压横向晶体管结构及其制备方法，横向PNP晶体管是通过在N型外延层上进行选择性的P型杂质掺杂形成：由一个P型掺杂区构成PNP晶体管的发射区，在发射区外由一个完整或部分的环形P型掺杂区构成PNP晶体管的集电区，在两个P型掺杂区之间是N型掺杂的外延层，形成PNP晶体管的基区，从而构成一个横向的P-N-P结构，形成横向PNP晶体管。它与传统PNP管的区别在于：新型结构横向PNP晶体管的P型集电区单独进行掺杂，使P型集电区杂质浓度低于N型基区浓度，当PNP晶体管CE电压增大时，由于横向PNP晶体管P型集电区浓度低于N型集区，CB结空间电荷区主要向P型集电区扩展，抑制因CE电压增大导致的基区宽度变化，从而获得较高的厄利电压。
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公开(公告)号：CN113990983B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111243682.5
申请日：2021-10-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/102 , H01L31/108
Abstract: 本发明提供一种光吸收能力强的光敏二极管及其制备方法，在晶圆表面的接触孔和受光区域中生长介质层，得到受光区域的增透膜结构；然后对介质层进行第二次接触孔光刻，得到欧姆接触孔；然后在晶圆表面溅射金属薄膜，进行第一次光刻、刻蚀工艺保留受光区域和欧姆接触孔上的顶层金属层；然后在晶圆表面淀积钝化层，并将受光区域上的钝化层去掉；然后在晶圆表面受光区域的顶层金属层进行第二次光刻、刻蚀工艺，去掉受光区域的金属薄膜，退火，得到光敏二极管，通过上述方法本发明实现调节光敏二极管受光区增透膜材料和结构的目的，从而增强光敏二极管对指定波长光线的吸收能力，提高光敏二极管的电流传输比(CTR)，最终提升光电耦合器传输特性。
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公开(公告)号：CN112992664B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202110218621.7
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/331 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法，该制备方法针对NPN晶体管基区杂质浓度分布对厄利电压的影响机理，是一种通过调整基区杂质纵向分布形成高厄立电压NPN晶体管的工艺方法。通过这种工艺方法获得的NPN晶体管具有更高的厄利电压。该方法分别对采用本发明提出的新工艺方法形成的高厄立电压NPN晶体管，在相同放大倍数条件下，新工艺方法形成的NPN晶体管的厄利电压高于传统结构NPN晶体管。
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公开(公告)号：CN112992664A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110218621.7
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/331 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法，该制备方法针对NPN晶体管基区杂质浓度分布对厄利电压的影响机理，是一种通过调整基区杂质纵向分布形成高厄立电压NPN晶体管的工艺方法。通过这种工艺方法获得的NPN晶体管具有更高的厄利电压。该方法分别对采用本发明提出的新工艺方法形成的高厄立电压NPN晶体管，在相同放大倍数条件下，新工艺方法形成的NPN晶体管的厄利电压高于传统结构NPN晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117855048A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410026131.0
申请日：2024-01-08
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/337 , H01L29/808
Abstract: 本发明提供一种提升双极PJFET阈值均匀性的方法，通过不同能量的多次高能离子注入和退火激活扩散杂质直接形成PJFET的顶栅和沟道的掺杂分布，从而消除了原有工艺中高温氧化扩散，造成了PJFET沟道和顶栅杂质再分布引起阈值电压变化的因素；本申请制备的PJFET片内，批次之间的阈值电压的均匀性得到了极大的提升。
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公开(公告)号：CN112993015B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202110218622.1
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/735 , H01L21/331 , H01L21/265 , H01L21/266
Abstract: 本发明公开了一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法，该晶体管通过在P型集电区的侧壁和底部设置一层磷杂质基区，因磷杂质的扩散系数高于硼杂质的扩散系数，在后续集电区退火再扩散过程中N型杂质(磷杂质)和P型杂质(硼杂质)双扩散，提高横向PNP晶体管基区在集电区一侧的N型杂质浓度梯度，而在发射区一侧N型杂质浓度不受影响。
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公开(公告)号：CN115274434A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210893868.3
申请日：2022-07-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/06 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种通过优化表面介质结构制备高性能稳压二极管及方法，通过增加一次特殊的光刻、刻蚀工艺，选择性的去除除前面工序留下的包含缺陷和电荷的氧化层，从而消除了表面氧化层中的带电电荷引起的稳压二极管击穿电压随时间、温度变化的因素；低温重新生长一层氧化层，消除前道工序对器件表面氧化层的影响，实现对稳压二极管p‑n结表面介质层结构的优化，提高稳压二极管击穿电压的稳定性；本申请的稳压二极管在持续加反偏电流的老炼过程中，器件的击穿电压几乎不变；本申请与现有技术中的双极工艺兼容，对原有双极器件的性能无明显影响，但能够显著提升稳压二极管击穿电压的稳定性。
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公开(公告)号：CN113410306B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110663181.6
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法，在衬底硅上间隔设置掺杂层，在掺杂层上端面的边部设置有部分嵌入的场氧化层，能有效提高场开启电压，使其高于工作电压，形成良好的隔离，同时能够减小多晶硅栅极与硅衬底之间的寄生电容；场氧化层内侧紧邻设置嵌入沟道的环状第一接触电极，且场氧化层内侧沉淀栅氧化层；环状第一接触电极上表面设置平整条状的多晶硅栅极，多晶硅栅极两端补分别与环状第一接触电极的对应栅氧化层区域重叠设置，多晶条形带界定了有源区的边界，可挡住注入的离子，注入离子的区域形成有源区。
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公开(公告)号：CN113410306A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110663181.6
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种抗总剂量辐射加固LDMOS器件结构及制备方法，在衬底硅上间隔设置掺杂层，在掺杂层上端面的边部设置有部分嵌入的场氧化层，能有效提高场开启电压，使其高于工作电压，形成良好的隔离，同时能够减小多晶硅栅极与硅衬底之间的寄生电容；场氧化层内侧紧邻设置嵌入沟道的环状第一接触电极，且场氧化层内侧沉淀栅氧化层；环状第一接触电极上表面设置平整条状的多晶硅栅极，多晶硅栅极两端补分别与环状第一接触电极的对应栅氧化层区域重叠设置，多晶条形带界定了有源区的边界，可挡住注入的离子，注入离子的区域形成有源区。
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