公开(公告)号：CN117976713A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202311704723.5

申请日：2023-12-12

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王晨杰 ,  赵辉 ,  曾坤 ,  王英民 ,  刘存生 ,  孙有民

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明属于微电子领域，公开了一种抗辐射MOS场效应晶体管的非对称沟槽型终端及制备方法，包括硅衬底上设置耐压外延层并定义多级沟槽栅区域，各级沟槽栅区域开设若干相互隔离的浮空多晶沟槽栅，相邻区域沟槽的结构参数按单调趋势变化，耐压外延层上方设置穿过各级多晶沟槽栅且截止于最外侧沟槽结构的P+结；制备方法包括由光刻和刻蚀方法定义各级沟槽栅区域，再在整体沟槽栅区域由氮化硅膜和TEOS膜的单一掩膜层图形实现多级沟槽栅图形转移，由交替重复的掩膜层刻蚀和沟槽刻蚀完成非对称沟槽结构的成型，掩膜层刻蚀和沟槽刻蚀步骤的次数对应沟槽级数；可减少离子轰击和热氧化造成的沟槽内硅膜损伤，解决沟槽内绝缘硅氧化膜质量降低和绝缘性退化问题。