公开(公告)号：CN112885813B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202110057448.7

申请日：2021-01-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 杨丽侠 ,  薛智民 ,  刘存生 ,  曹磊 ,  邢鸿雁 ,  王晨杰

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/48

公开(公告)号：CN112510081A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011380487.2

申请日：2020-11-30

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王晨杰 ,  王英民 ,  刘存生 ,  薛智民 ,  孙有民 ,  王小荷

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内部从下至上依次层叠有第一栅氧、浮空多晶栅、第二栅氧和控制多晶栅形成双层屏蔽栅极结构；层间介质层上设置有源极浅沟槽，源极浅沟槽对称分布在栅极沟槽的两侧，源极浅沟槽依次穿过层间介质层、N+源掺杂区和P+体掺杂区，源极浅沟槽的深度不超过栅极沟槽中控制多晶栅的纵向多晶厚度；源极浅沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体掺杂区相连接；金属层设置在层间介质层上，并填充源极浅沟槽。

公开(公告)号：CN117976713A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202311704723.5

申请日：2023-12-12

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王晨杰 ,  赵辉 ,  曾坤 ,  王英民 ,  刘存生 ,  孙有民

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明属于微电子领域，公开了一种抗辐射MOS场效应晶体管的非对称沟槽型终端及制备方法，包括硅衬底上设置耐压外延层并定义多级沟槽栅区域，各级沟槽栅区域开设若干相互隔离的浮空多晶沟槽栅，相邻区域沟槽的结构参数按单调趋势变化，耐压外延层上方设置穿过各级多晶沟槽栅且截止于最外侧沟槽结构的P+结；制备方法包括由光刻和刻蚀方法定义各级沟槽栅区域，再在整体沟槽栅区域由氮化硅膜和TEOS膜的单一掩膜层图形实现多级沟槽栅图形转移，由交替重复的掩膜层刻蚀和沟槽刻蚀完成非对称沟槽结构的成型，掩膜层刻蚀和沟槽刻蚀步骤的次数对应沟槽级数；可减少离子轰击和热氧化造成的沟槽内硅膜损伤，解决沟槽内绝缘硅氧化膜质量降低和绝缘性退化问题。

公开(公告)号：CN112510081B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202011380487.2

申请日：2020-11-30

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王晨杰 ,  王英民 ,  刘存生 ,  薛智民 ,  孙有民 ,  王小荷

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内部从下至上依次层叠有第一栅氧、浮空多晶栅、第二栅氧和控制多晶栅形成双层屏蔽栅极结构；层间介质层上设置有源极浅沟槽，源极浅沟槽对称分布在栅极沟槽的两侧，源极浅沟槽依次穿过层间介质层、N+源掺杂区和P+体掺杂区，源极浅沟槽的深度不超过栅极沟槽中控制多晶栅的纵向多晶厚度；源极浅沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体掺杂区相连接；金属层设置在层间介质层上，并填充源极浅沟槽。

公开(公告)号：CN112885813A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110057448.7

申请日：2021-01-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 杨丽侠 ,  薛智民 ,  刘存生 ,  曹磊 ,  邢鸿雁 ,  王晨杰

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管的接触孔链电阻的监控结构，在N+孔链中增加部分区域，尤其是在孔接触区域增加P+注入，与原有孔链结构兼容，结构实现简单，监控结果对比显著，若出现新型结构孔链电阻偏小，而P+孔链电阻正常，可以轻松定位异常工序。本发明PN结孔链结构，在相同的工艺过程中，更能反映出工艺过程的波动，相对N+孔链、P+孔链结构，能更敏感的反映出工艺过程的变化，真实的反映产品批次间导通电阻的变化趋势。

公开(公告)号：CN112510080B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202011376406.1

申请日：2020-11-30

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王晨杰 ,  王英民 ,  刘存生 ,  薛智民 ,  孙有民 ,  王小荷

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法，结构包括从下至上依次堆叠的衬底、缓冲外延层、PN结超结外延、垫氧层、层间介质层和金属层；PN结超结为周期性交替的P柱和N柱，N柱上方的垫氧层和层间介质层之间从下至上依次设置有JFET加固栅氧和栅极多晶；P柱上方的垫氧层中从下至上依次设置有P+体区和N+源区；P柱上方的层间介质层上设置有源极沟槽，源极沟槽穿过N+源区，源极沟槽的底部不超过P+体区，源极沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体区和P柱相连接；源极沟槽内和层间介质层的表面上设置有金属过渡层，金属层设置在金属过渡层上。起到抑制单粒子烧毁效应的作用，有效消除单粒子栅穿现象的产生。

公开(公告)号：CN112510080A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011376406.1

申请日：2020-11-30

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王晨杰 ,  王英民 ,  刘存生 ,  薛智民 ,  孙有民 ,  王小荷

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法，结构包括从下至上依次堆叠的衬底、缓冲外延层、PN结超结外延、垫氧层、层间介质层和金属层；PN结超结为周期性交替的P柱和N柱，N柱上方的垫氧层和层间介质层之间从下至上依次设置有JFET加固栅氧和栅极多晶；P柱上方的垫氧层中从下至上依次设置有P+体区和N+源区；P柱上方的层间介质层上设置有源极沟槽，源极沟槽穿过N+源区，源极沟槽的底部不超过P+体区，源极沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体区和P柱相连接；源极沟槽内和层间介质层的表面上设置有金属过渡层，金属层设置在金属过渡层上。起到抑制单粒子烧毁效应的作用，有效消除单粒子栅穿现象的产生。