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公开(公告)号：CN112992664B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202110218621.7
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/331 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法，该制备方法针对NPN晶体管基区杂质浓度分布对厄利电压的影响机理，是一种通过调整基区杂质纵向分布形成高厄立电压NPN晶体管的工艺方法。通过这种工艺方法获得的NPN晶体管具有更高的厄利电压。该方法分别对采用本发明提出的新工艺方法形成的高厄立电压NPN晶体管，在相同放大倍数条件下，新工艺方法形成的NPN晶体管的厄利电压高于传统结构NPN晶体管。
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公开(公告)号：CN112992664A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110218621.7
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/331 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法，该制备方法针对NPN晶体管基区杂质浓度分布对厄利电压的影响机理，是一种通过调整基区杂质纵向分布形成高厄立电压NPN晶体管的工艺方法。通过这种工艺方法获得的NPN晶体管具有更高的厄利电压。该方法分别对采用本发明提出的新工艺方法形成的高厄立电压NPN晶体管，在相同放大倍数条件下，新工艺方法形成的NPN晶体管的厄利电压高于传统结构NPN晶体管。
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公开(公告)号：CN119947142A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510110022.1
申请日：2025-01-23
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于NPN管制备技术领域，涉及一种超大电流增益高压NPN管及其制备方法。本发明通过在N‑外延层中注入硼杂质高能离子形成P型注入区；向N‑外延层中注入磷或者砷杂质高能离子，在P型注入区中形成N‑注入区；对N‑外延层进行氧化扩散，使P型注入区形成P型基区，使N‑注入区形成N‑发射区；分别在N‑发射区上和N‑外延层上依次进行磷杂质预掺杂和氧化扩散，形成两个N+发射区；在N‑外延层的表面分别淀积生成基区金属电极、发射区金属电极和集电区金属电极，基区金属电极连接P型基区，发射区金属电极连接N‑发射区内部的N+发射区，集电区金属电极连接N‑外延层内的N+发射区。本发明在提高电流增益的基础上，也保证了NPN管能得到较高的耐压。
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公开(公告)号：CN110828559A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911115642.5
申请日：2019-11-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种高厄利电压横向晶体管结构及其制备方法，横向PNP晶体管是通过在N型外延层上进行选择性的P型杂质掺杂形成：由一个P型掺杂区构成PNP晶体管的发射区，在发射区外由一个完整或部分的环形P型掺杂区构成PNP晶体管的集电区，在两个P型掺杂区之间是N型掺杂的外延层，形成PNP晶体管的基区，从而构成一个横向的P-N-P结构，形成横向PNP晶体管。它与传统PNP管的区别在于：新型结构横向PNP晶体管的P型集电区单独进行掺杂，使P型集电区杂质浓度低于N型基区浓度，当PNP晶体管CE电压增大时，由于横向PNP晶体管P型集电区浓度低于N型集区，CB结空间电荷区主要向P型集电区扩展，抑制因CE电压增大导致的基区宽度变化，从而获得较高的厄利电压。
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公开(公告)号：CN117855048A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410026131.0
申请日：2024-01-08
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/337 , H01L29/808
Abstract: 本发明提供一种提升双极PJFET阈值均匀性的方法，通过不同能量的多次高能离子注入和退火激活扩散杂质直接形成PJFET的顶栅和沟道的掺杂分布，从而消除了原有工艺中高温氧化扩散，造成了PJFET沟道和顶栅杂质再分布引起阈值电压变化的因素；本申请制备的PJFET片内，批次之间的阈值电压的均匀性得到了极大的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110854179A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911114902.7
申请日：2019-11-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/73
Abstract: 本发明公开了一种基于自建电场的辐射加固硅基双极晶体管结构及制备方法，通过多层布线形成：通过多层布线工艺，在晶体管表面形成一层与最低电位连通的地电位层，从而在晶体管各掺杂区与地电位层之间的二氧化硅绝缘层中形成一个指向地电位层的自建电场。该自建电场抑制总剂量辐射在二氧化硅绝缘层中产生的正电荷向硅-二氧化硅界面运动，从而减小辐射诱生正电荷到达硅-二氧化硅界面并形成新的界面态的数量，从而提高双极型晶体管抗总剂量辐射能力。
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公开(公告)号：CN110828549A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911114882.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/73 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法，在通过传统双极工艺完成不同区域杂质选择性掺杂，形成双极晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在晶体管P型掺杂区的横向扩散区域表面进行一次P型杂质注入，在P型掺杂横向扩散区表面形成一个环形的P+掺杂区，提高P型掺杂横向扩散区表面P型杂质浓度，避免因总剂量辐射导致双极型晶体管的P型掺杂区表面耗尽和反型，从而提高双极型晶体管抗总剂量辐射能力。
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公开(公告)号：CN112993015B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202110218622.1
申请日：2021-02-26
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/08 , H01L29/06 , H01L29/735 , H01L21/331 , H01L21/265 , H01L21/266
Abstract: 本发明公开了一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法，该晶体管通过在P型集电区的侧壁和底部设置一层磷杂质基区，因磷杂质的扩散系数高于硼杂质的扩散系数，在后续集电区退火再扩散过程中N型杂质(磷杂质)和P型杂质(硼杂质)双扩散，提高横向PNP晶体管基区在集电区一侧的N型杂质浓度梯度，而在发射区一侧N型杂质浓度不受影响。
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公开(公告)号：CN115274434A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210893868.3
申请日：2022-07-27
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/06 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种通过优化表面介质结构制备高性能稳压二极管及方法，通过增加一次特殊的光刻、刻蚀工艺，选择性的去除除前面工序留下的包含缺陷和电荷的氧化层，从而消除了表面氧化层中的带电电荷引起的稳压二极管击穿电压随时间、温度变化的因素；低温重新生长一层氧化层，消除前道工序对器件表面氧化层的影响，实现对稳压二极管p‑n结表面介质层结构的优化，提高稳压二极管击穿电压的稳定性；本申请的稳压二极管在持续加反偏电流的老炼过程中，器件的击穿电压几乎不变；本申请与现有技术中的双极工艺兼容，对原有双极器件的性能无明显影响，但能够显著提升稳压二极管击穿电压的稳定性。
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公开(公告)号：CN110828549B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201911114882.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/73 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种保护环掺杂抗辐射晶体管结构及其制备方法，在通过传统双极工艺完成不同区域杂质选择性掺杂，形成双极晶体管结构之后，通过光刻胶掩蔽注入的方法在晶体管P型掺杂区的横向扩散区域表面进行一次P型杂质注入，在P型掺杂横向扩散区表面形成一个环形的P+掺杂区，提高P型掺杂横向扩散区表面P型杂质浓度，避免因总剂量辐射导致双极型晶体管的P型掺杂区表面耗尽和反型，从而提高双极型晶体管抗总剂量辐射能力。
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