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公开(公告)号：CN116387352A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310287791.X
申请日：2023-03-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种高速的抗辐射加固深亚微米SOI器件结构及方法，包括设置于SOI衬底片顶层硅中的P阱，以及设置于P阱两侧的STI浅槽隔离区；所述P阱表面设置有厚栅氧化层和薄栅氧化层；所述厚栅氧化层和薄栅氧化层上设置有栅极；所述P阱表面和栅极两侧沿与沟道平行方向设置有N型LDD区；所述栅极的两侧设置有侧墙；所述侧墙两侧沿与沟道平行方向的N型重掺杂区设置有N型沟道SOI晶体管的源极和漏极；所述器件沿与沟道垂直方向两端的P型重掺杂区设置有N型沟道SOI晶体管的体引出极；本申请不需要增加额外的制造工序，结构中由于寄生栅下方介质厚度的增加，寄生栅电容显著降低，提高逻辑单元的工作速度，对抗辐射深亚微米集成电路性能的提升具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113410305B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110663157.2
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法，衬底表面并列形成有P阱和漂移区；P阱上依次层叠有SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层；HTO氮氧硅层上形成有多晶栅；漂移区上形成有多个场氧；场氧之间形成有场环；场环上形成有SiO2薄氮氧硅层；P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上形成有介质层。方法包括在衬底表面形成P阱和漂移区；在P阱上依次生长SiO2栅氧层氮化形成SiO2氮氧硅层、淀积HTO栅氧层氮化形成HTO氮氧硅层，SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层形成复合栅介质结构，淀积多晶硅形成栅极；在漂移区上的场氧之间形成总剂量加固的场环，场环上依次生长SiO2薄氧化层，并氮化成SiO2薄氮氧硅层形成漂移区加固结构；在P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上淀积形成有介质层。
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公开(公告)号：CN112510080A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011376406.1
申请日：2020-11-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法，结构包括从下至上依次堆叠的衬底、缓冲外延层、PN结超结外延、垫氧层、层间介质层和金属层；PN结超结为周期性交替的P柱和N柱，N柱上方的垫氧层和层间介质层之间从下至上依次设置有JFET加固栅氧和栅极多晶；P柱上方的垫氧层中从下至上依次设置有P+体区和N+源区；P柱上方的层间介质层上设置有源极沟槽，源极沟槽穿过N+源区，源极沟槽的底部不超过P+体区，源极沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体区和P柱相连接；源极沟槽内和层间介质层的表面上设置有金属过渡层，金属层设置在金属过渡层上。起到抑制单粒子烧毁效应的作用，有效消除单粒子栅穿现象的产生。
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公开(公告)号：CN112510081A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011380487.2
申请日：2020-11-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内部从下至上依次层叠有第一栅氧、浮空多晶栅、第二栅氧和控制多晶栅形成双层屏蔽栅极结构；层间介质层上设置有源极浅沟槽，源极浅沟槽对称分布在栅极沟槽的两侧，源极浅沟槽依次穿过层间介质层、N+源掺杂区和P+体掺杂区，源极浅沟槽的深度不超过栅极沟槽中控制多晶栅的纵向多晶厚度；源极浅沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体掺杂区相连接；金属层设置在层间介质层上，并填充源极浅沟槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119835989A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510009582.8
申请日：2025-01-03
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于微电子半导体器件设计与制造领域，具体涉及一种PN结复合多晶硅栅极结构、制备方法及其半导体器件。本发明主要包括第一型多晶硅栅极和第二型多晶硅栅极，第二型多晶硅栅极包裹第一型多晶硅栅极除底面以外的全部表面，二者共同构成PN结复合多晶硅栅极结构。PN结复合多晶硅栅极结构在栅氧化层上方，栅氧化层的下方为体区，第一型多晶硅栅极在垂直方向位于体区外，体区位于漂移区内，栅氧化层的一端为源电极，另一端为漏电极，源电极附近为第一型源极重掺杂区域和第二型源极重掺杂区域，漏电极附近为第二型漏极重掺杂区域，以形成具有PN结复合多晶硅栅极结构的半导体器件。
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公开(公告)号：CN112510080B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202011376406.1
申请日：2020-11-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子高压MOS场效应晶体管的辐射加固结构和制备方法，结构包括从下至上依次堆叠的衬底、缓冲外延层、PN结超结外延、垫氧层、层间介质层和金属层；PN结超结为周期性交替的P柱和N柱，N柱上方的垫氧层和层间介质层之间从下至上依次设置有JFET加固栅氧和栅极多晶；P柱上方的垫氧层中从下至上依次设置有P+体区和N+源区；P柱上方的层间介质层上设置有源极沟槽，源极沟槽穿过N+源区，源极沟槽的底部不超过P+体区，源极沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体区和P柱相连接；源极沟槽内和层间介质层的表面上设置有金属过渡层，金属层设置在金属过渡层上。起到抑制单粒子烧毁效应的作用，有效消除单粒子栅穿现象的产生。
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公开(公告)号：CN112510081B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202011380487.2
申请日：2020-11-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种星用抗辐射沟槽型MOS场效应晶体管的加固结构和制备方法，结构包括依次堆叠的衬底、缓变外延层、层间介质层和金属层；缓变外延层的表面上依次设置有P+体掺杂区和N+源掺杂区，缓变外延层上设置栅极沟槽；栅极沟槽内部从下至上依次层叠有第一栅氧、浮空多晶栅、第二栅氧和控制多晶栅形成双层屏蔽栅极结构；层间介质层上设置有源极浅沟槽，源极浅沟槽对称分布在栅极沟槽的两侧，源极浅沟槽依次穿过层间介质层、N+源掺杂区和P+体掺杂区，源极浅沟槽的深度不超过栅极沟槽中控制多晶栅的纵向多晶厚度；源极浅沟槽内通过离子注入形成P+深源，P+深源与P+体掺杂区相连接；金属层设置在层间介质层上，并填充源极浅沟槽。
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公开(公告)号：CN113410305A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110663157.2
申请日：2021-06-15
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种抗辐射加固的LDMOS晶体管和制备方法，衬底表面并列形成有P阱和漂移区；P阱上依次层叠有SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层；HTO氮氧硅层上形成有多晶栅；漂移区上形成有多个场氧；场氧之间形成有场环；场环上形成有SiO2薄氮氧硅层；P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上形成有介质层。方法包括在衬底表面形成P阱和漂移区；在P阱上依次生长SiO2栅氧层氮化形成SiO2氮氧硅层、淀积HTO栅氧层氮化形成HTO氮氧硅层，SiO2氮氧硅层和HTO氮氧硅层形成复合栅介质结构，淀积多晶硅形成栅极；在漂移区上的场氧之间形成总剂量加固的场环，场环上依次生长SiO2薄氧化层，并氮化成SiO2薄氮氧硅层形成漂移区加固结构；在P阱、多晶栅、场氧和SiO2氮氧硅层上淀积形成有介质层。
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公开(公告)号：CN112382656A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011270506.6
申请日：2020-11-13
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种横向扩散MOS场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括由下至上依次设置的衬底硅层、埋氧层和硅膜层；硅膜层的两端分别形成阱、漏极，并在阱与漏极之间形成超薄硅层漂移区；阱上具有源级、栅极，漂移区上具有场板；所述硅膜层的阱与漏极之间减薄形成顶部下凹的超薄漂移区；漂移区自阱至漏极方向的掺杂浓度线性递增，使得漂移区能够形成平缓横向电场分布，大幅提升了器件击穿电压；所述漂移区的厚度小于硅膜层两端的厚度。与现有的LDMOS相比，该晶体管结构简单，在具有高击穿电压的同时具有低的开启电压，易于与BCD工艺技术兼容，为高压及功率集成电路的设计及工艺制造提供了更多选择性。
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