公开(公告)号：CN119786349A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411840416.4

申请日：2024-12-13

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 张万垚 ,  杨尚洁 ,  郝军 ,  田一竺 ,  刘如征 ,  刘存生

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H10N97/00 ,  H01L23/522 ,  B08B3/08 ,  B08B3/02

Abstract: 本发明公开了一种解决片上薄膜电阻钨钛腐蚀残留的方法，属于半导体芯片制造领域，该方法首先在已制备好的金属与薄膜电阻互连的硅片上使用双氧水刻蚀掉大部分钨钛相当于主刻蚀；其中，薄膜电阻具备钨钛阻挡层；其次进行湿法有机清洗，去除剩余钨钛表面的反应副产物；最后使用双氧水去除剩余钨钛相当于过刻蚀。与现有技术相比，本发明提出的方法可操作性强，常规的湿法酸槽即可满足工艺要求；成本较低，使用的化学腐蚀液以及特气均为半导体集成电路生产线常见物料；应用前景广阔，在模拟集成电路制造过程中即可完成对该铬硅系薄膜电阻金属互连层的腐蚀。