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公开(公告)号：CN100490318C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200510006851.8
申请日：2005-01-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H03H9/15
CPC classification number: H03H9/02015 , H01H2057/006 , H01L41/0477 , H01L41/094 , H01L41/316 , H01L41/319 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H9/175 , H03H9/542 , H03H9/582 , H03H9/605 , H03H2003/021 , H03H2003/023 , H03H2003/025 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/49117 , Y10T29/49155
Abstract: 一种压电薄膜器件包括设置在衬底上的非晶态金属膜和设置在非晶态金属膜上的压电膜。压电膜的一个晶轴在垂直于非晶态金属的表面的方向上对齐。
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公开(公告)号：CN100440502C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200510005674.1
申请日：2005-01-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/564 , H01L23/522 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置包括设置在半导体基片上的第一绝缘层。第一绝缘层包括基本由具有相对介电常数小于3的材料构成的一薄层。第一绝缘层包括由孔塞和导线构成的第一整体的结构。导线的上表面与第一绝缘层的上表面齐平，而孔塞的下表面则与第一绝缘层的下表面齐平。区域保护部件由孔塞和导线构成的第二整体的结构形成。第二整体结构从第一绝缘层的上表面延伸到第一绝缘层的下表面。区域保护部件包围着在水平平面上的边界区分隔的第一到第n区(n是自然数2或更大)中一个区。
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公开(公告)号：CN101074485A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710092331.2
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C25D7/12 , H01L21/288
CPC classification number: H01L21/2885 , C25D5/34 , C25D7/123 , H01L21/76829 , H01L21/76843 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/76877
Abstract: 一种制造电子部件的方法，包括在基体上方形成籽晶膜，冷却所述籽晶膜，以及将所述冷却的籽晶膜放入镀敷溶液中以利用所述籽晶膜作为阴极进行电镀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1264198C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN03147531.0
申请日：2003-07-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , G03F7/09
CPC classification number: G03F1/32
Abstract: 由基板；基板上选择性形成的半透明膜；以及半透明膜上选择性形成的遮光膜构成的光掩模，将基板、半透明膜和遮光膜各自的杨氏系数(MPa)设为E0、E1、E2，各自的厚度(m)设为d0、d1、d2，半透明膜和遮光膜在室温的各自内应力(MPa)设为s1和s2，在没有形成遮光膜的区域的半透明膜被覆率设为h，假设系数k1到k4分别为k1＝1.3×10-8，k2＝-9.5×10-2，k3＝6.0×10-7，k4＝-5.2×10-2，则满足：见式的条件。
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公开(公告)号：CN1747158A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510007564.9
申请日：2005-02-05
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 莲沼正彦
CPC classification number: H01L23/367 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/16195 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 根据本发明的一个方面，提供一种半导体器件，包括：半导体芯片，在其内部具有第一金属导热介质；衬底，具有热连接到第一金属导热介质的第二金属导热介质；以及温度控制装置，其至少部分设置在衬底上，热连接到第二金属导热介质，以及设置为控制半导体芯片内的温度。
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公开(公告)号：CN1487581A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03156516.6
申请日：2003-09-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/768 , H01L21/00 , H01L23/52
CPC classification number: H01L23/585 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L23/3677 , H01L23/522 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供因可以实现导电部分对由在低相对介电系数膜内发生的热应力引起的负载的耐久性的提高而提高了可靠性的半导体器件。具体解决方案是：在硅衬底1上边2层叠层起来设置的低相对介电系数在3.4以下的低相对介电系数膜4的每一者的下层，设置杨氏模量在30GPa以上的SiCN膜3。在各个低相对介电系数膜4的内部设置Cu导电层14、26。在Cu导电层14、26上电连上Cu导电插针15、27，构成通电路径。此外，在Cu导电层14、26上，还设置Cu增强插针16、28使之在连接到这些Cu导电层14、26上的同时，还贯通在各个低相对介电系数膜4的每一者的下侧的SiCN膜。各个Cu增强插针16、28，通过势垒金属膜9、21实质上连接到SiCN膜3上。
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公开(公告)号：CN1428840A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02156814.6
申请日：2002-12-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/768 , H01L21/314 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76801 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76831 , H01L21/76855 , H01L21/76888 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：已形成了元件的半导体衬底；在上述半导体衬底上形成的具有3以下的介电系数的低介电系数绝缘膜；已埋入到上述低介电系数绝缘膜中的插针和布线，和在上述低介电系数绝缘膜和上述插针之间接连到上述插针的侧面上形成的杨氏模量15GPa以上的高杨氏模量绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1375871A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN02118069.5
申请日：2002-03-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/532 , H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76858 , H01L21/76886 , H01L21/76888 , H01L22/32 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/02166 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05017 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05093 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05546 , H01L2224/05552 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05567 , H01L2224/05605 , H01L2224/05611 , H01L2224/05613 , H01L2224/05616 , H01L2224/0562 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/13099 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/1312 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45116 , H01L2224/4512 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/4807 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48505 , H01L2224/48611 , H01L2224/48616 , H01L2224/48624 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48711 , H01L2224/48716 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48747 , H01L2224/48799 , H01L2224/48805 , H01L2224/48811 , H01L2224/48813 , H01L2224/48816 , H01L2224/4882 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/85375 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01327 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2224/05609 , H01L2924/00 , H01L2224/48744 , H01L2224/48713 , H01L2224/48705 , H01L2224/4872 , H01L2224/48605 , H01L2224/48613 , H01L2224/4862 , H01L2924/00015
Abstract: 提供一种具有在半导体衬底上形成的铜布线层,与上述铜布线层导通并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜的半导体器件。
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