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公开(公告)号：CN1664697B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200510056073.3
申请日：2002-05-31
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 伊藤正光
IPC: G03F1/38 , H01L21/027
Abstract: 提供一种掩模基板信息生成方法和掩模基板的制造方法，可以解决在将掩模基板吸附到晶片曝光装置的掩模台后掩模基板的平整度恶化而引起晶片曝光装置制品成品率低的问题。该掩模基板信息生成方法，包括：取得表示掩模基板的主面的表面形状和/或平整度的第一信息的工序；取得表示由根据上述第一信息和与曝光装置的掩模吸盘的结构有关的信息进行的把上述掩模基板设置于上述曝光装置上时的模拟得到的上述主面的平整度的第二信息的工序；以及取得有关由上述模拟得到的上述掩模基板的主面的平整度是否合乎规格的信息的工序。
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公开(公告)号：CN1664697A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510056073.3
申请日：2002-05-31
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 伊藤正光
IPC: G03F1/00 , H01L21/027
Abstract: 提供一种掩模基板信息生成方法和掩模基板的制造方法，可以解决在将掩模基板吸附到晶片曝光装置的掩模台后掩模基板的平整度恶化而引起晶片曝光装置制品成品率低的问题。该掩模基板信息生成方法，包括：取得表示掩模基板的主面的平整性的第一信息的工序；取得表示由根据上述第一信息和与曝光装置的掩模吸盘的结构有关的信息进行的把上述掩模基板设置于上述曝光装置上时的模拟得到的上述主面的平整度的第二信息的工序；以及取得有关由上述模拟得到的上述掩模基板的主面的平整度是否合乎规格的信息的工序。
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公开(公告)号：CN1300640C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN03156086.5
申请日：2003-08-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/30 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/30 , Y10S438/906
Abstract: 本发明的目的是提供一种使图案的加工尺寸变成为均一而与图案的疏密无关的衬底处理方法及其装置。在从药液吐出/吸引部的第1药液吐出口对被处理衬底连续地吐出第1药液，同时，一边从被配置在第1药液吐出/吸引部上的并被配置为将第1药液吐出口夹在中间的2个吸引口连续地吸引上述衬底上的溶液，一边使上述第1药液吐出/吸引部与上述被处理衬底相对地进行水平直线移动来对上述被处理衬底进行药液处理的衬底处理方法中，使在与上述被处理衬底接触的单位体积区域内在单位时间内通过的第1药液的量在药液处理过程中变化。
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公开(公告)号：CN1255855C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN03105260.6
申请日：2003-02-25
Inventor： 伊藤正光
CPC classification number: G03F9/7084 , G03B27/42 , G03F1/60 , G03F9/7076 , Y10T428/24545
Abstract: 一种掩模基板包括具有参考标记的透明基板和形成在透明基板上的遮光膜。
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公开(公告)号：CN1472776A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03147531.0
申请日：2003-07-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , G03F7/09
CPC classification number: G03F1/32
Abstract: 由基板；基板上选择性形成的半透明膜；以及半透明膜上选择性形成的遮光膜构成的光掩模，将基板、半透明膜和遮光膜各自的杨氏系数(MPa)设为E0、E1、E2，各自的厚度(m)设为d0、d1、d2，半透明膜和遮光膜在室温的各自内应力(MPa)设为s1和s2，在没有形成遮光膜的区域的半透明膜被覆率设为h，假设系数k1到k4分别为k1＝1.3×10－8，k2＝－9.5×10－2，k3＝6.0×10－7，k4＝－5.2×10－2，则满足：≤1.4×10-4(m-1)的条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1366333A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN01133875.X
申请日：2001-12-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/30 , H01L21/027 , G03F7/30
CPC classification number: G03D5/003
Abstract: 提供一种衬底处理装置及衬底处理方法,可以消除被处理表面上的药液浓度差,可以实现高精度的药液处理。在药液喷出/吸引单元(扫描喷嘴)21中设置有用来向被处理衬底喷出药液的药液喷出开口22和用来吸引被处理衬底上的药液的药液吸引开口23,由于从上述药液喷出开口22连续喷出的药液被上述药液吸引开口23连续吸引,在上述扫描喷嘴21和被处理表面之间,以及在上述药液喷出开口22和上述药液吸引开口23之间的区域中不断有新鲜药液供给被处理表面。
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公开(公告)号：CN1340742A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN01111868.7
申请日：2001-03-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/039 , G03F7/0045 , G03F7/38 , Y10S430/143
Abstract: 提供图形形成材料和形成方法以及曝光用掩模的制造方法。本发明的图形形成材料含有碱性可溶性树脂、酸产生剂以及溶解抑止基,作为该溶解抑止基,包含一定比例的通过用电子束照射后在真空中放置,使所述图形形成材料高灵敏度化的第1溶解抑止基、和同样地使所述图形形成材料低灵敏度化的第2溶解抑制基,该比例使得通过在所述图形形成材料中照射电子束,使其可溶于所述碱性溶液的碱性可溶部分的大小与在真空中的放置时间无关,基本上一定。
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公开(公告)号：CN1952791A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610163352.4
申请日：2003-08-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G03F7/30 , Y10S438/906
Abstract: 本发明的目的是使图案的加工尺寸变成为均一而与图案的疏密无关。具体解决方案的特征在于包括：预先求出显影液中的抗蚀剂的溶解浓度和由上述显影液导致的抗蚀剂的溶解速度之间的关系的工序；根据上述关系预先估计上述抗蚀剂的溶解速度变成为所希望的速度或以上的抗蚀剂的溶解浓度的工序；在上述显影液中的抗蚀剂的溶解浓度在该估计溶解浓度或以下的状态下进行显影处理的工序。
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公开(公告)号：CN1264198C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN03147531.0
申请日：2003-07-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , G03F7/09
CPC classification number: G03F1/32
Abstract: 由基板；基板上选择性形成的半透明膜；以及半透明膜上选择性形成的遮光膜构成的光掩模，将基板、半透明膜和遮光膜各自的杨氏系数(MPa)设为E0、E1、E2，各自的厚度(m)设为d0、d1、d2，半透明膜和遮光膜在室温的各自内应力(MPa)设为s1和s2，在没有形成遮光膜的区域的半透明膜被覆率设为h，假设系数k1到k4分别为k1＝1.3×10-8，k2＝-9.5×10-2，k3＝6.0×10-7，k4＝-5.2×10-2，则满足：见式的条件。
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公开(公告)号：CN1264196C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN02121780.7
申请日：2002-05-31
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 伊藤正光
IPC: H01L21/027 , G03F1/00
Abstract: 提供一种曝光掩模的制造方法及其应用，可以解决在将掩模基板吸附到晶片曝光装置的掩模台后掩模基板的平整度恶化而引起晶片曝光装置制品成品率低的问题。该方法包括：对多个掩模基板的每一个，取得表示主面的表面形状及吸附到曝光装置的掩模台前后的主面的平整度；制备在吸附到曝光装置的掩模台之前后都具有平整度良好的表面形状的掩模基板；在此掩模基板上形成所希望的图形而生成曝光掩模。
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