公开(公告)号：CN104593747B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201410712726.8

申请日：2009-11-25

Applicant: 弗萨姆材料美国有限责任公司

Inventor： L·M·马茨 ,  R·N·弗蒂斯 ,  M·L·奥尼尔 ,  D·西纳托雷

IPC: C23C16/32

CPC classification number: C23C16/32 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明提供了用于沉积具有改善的屏障介电性能(包括较低的介电常数和优越的电气性能)的介电阻挡薄膜的方法，所述介电阻挡薄膜包括具有硅、碳、氧和氢的前体。这一方法对用于互连结构的金属镶嵌或双重金属镶嵌集成中或用于其他介电阻挡应用中的屏障层是重要的。在这个例子中，注意改善屏障性能的特定结构特性。

公开(公告)号：CN108122845A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710402860.1

申请日：2017-06-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐宛萱 ,  王怡琇 ,  陈彦兆 ,  张展玮 ,  汪于仕 ,  吕信谚 ,  邱意为

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78 ,  H01L21/823418

Abstract: 一种接触结构的制造方法，包括形成第一晶体管及第二晶体管于基板上，其中第一晶体管及第二晶体管共享源极/漏极区，源极/漏极区形成于第一晶体管的第一栅极及第二晶体管的第二栅极之间，形成第一开口于层间介电层中，且于第一栅极及第二栅极间，沉积蚀刻停止层于第一开口中，且于层间介电层的顶表面上，沉积介电层于蚀刻停止层上，对介电层施行第一蚀刻工艺，直到露出蚀刻停止层，对蚀刻停止层进行第二蚀刻工艺，直到移除蚀刻停止层的露出部份及介电层的部份。

公开(公告)号：CN108028172A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054413.5

申请日：2016-09-15

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·陈 ,  陈一宏 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/04 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/306 ,  H01L21/32 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829

Abstract: 公开了用于通过原子层沉积选择性地沉积膜的方法。基板表面通过硅氢加成来钝化以防止沉积，并允许在未钝化的表面上选择性沉积。

公开(公告)号：CN104221130B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201380016231.5

申请日：2013-02-20

Applicant: 天工方案公司

Inventor： K.程

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/469 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/485 ,  H01L23/4855 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/532 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/535 ,  H01L23/66 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/41 ,  H01L29/452 ,  H01L29/475 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本申请公开了与诸如化合物半导体的半导体的铜互连金属化相关的改进的结构、装置和方法。在示例性构造中，金属化结构可包括设置在化合物半导体之上的第一钛(Ti)层、设置在第一Ti层之上的第一阻挡层、设置在第一阻挡层之上的第二Ti层和设置在第二Ti层之上的铜(Cu)层。在另一个示例性构造中，金属化结构可包括设置在化合物半导体之上的Ti层、设置在第一Ti层之上的第一氮化钛(TiN)层和设置在第一TiN层之上的Cu层。在再一个示例性构造中，金属化结构可包括设置在化合物半导体之上的堆叠，并且该堆叠包括势垒、设置在势垒之上的Cu层和设置在Cu层之上的第一Ti层。该金属化结构还可包括设置在第一Ti层之上的溅射的钛钨(TiW)层。

公开(公告)号：CN107919357A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710749122.4

申请日：2017-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  萧养康 ,  曾伟雄

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底，具有有源区；栅极结构，设置在所述有源区上；源极/漏极区，在所述栅极结构的一侧设置在所述有源区中；第一层间绝缘层及第二层间绝缘层，依序设置在所述栅极结构及所述源极/漏极区上；第一接触插塞，穿过所述第一层间绝缘层连接到所述源极/漏极区；第二接触插塞，穿过所述第一层间绝缘层及所述第二层间绝缘层连接到所述栅极结构；第一金属线，设置在所述第二层间绝缘层上，且具有金属通孔，所述金属通孔设置在所述第二层间绝缘层中且连接到所述第一接触插塞；以及第二金属线，设置在所述第二层间绝缘层上，且直接连接到所述第二接触插塞。所述第一接触插塞与所述第二接触插塞之间的间隔可为约10nm或小于10nm。

公开(公告)号：CN107768348A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710871387.1

申请日：2017-09-25

Applicant: 江苏时瑞电子科技有限公司

Inventor： 汪洋 ,  平德顺

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L23/53209 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/5328

Abstract: 本发明公开了一种用于铜互联的导电阻挡层材料及其制备方法。该材料包括以下组分：碳酸锂、镍粉、氧化铜、氧化铝、二氧化钛、硬脂酸、油酸、钛酸钠、钙钛矿、氮化硅、异丙醇铝、纳米碳、马来酸酐接枝剂、聚乙二醇。制备过程为，清洗基片；混合碳酸锂、镍粉、氧化铜、氧化铝、二氧化钛、硬脂酸、油酸、钛酸钠、钙钛矿、氮化硅、异丙醇铝、纳米碳、马来酸酐接枝剂、聚乙二醇；再将混合物依次与基片和Cu完成磁控溅射获得导电阻挡层材料。与现有技术相比，本发明所提供的阻挡层材料热稳定高，抗氧化性、方块电阻低，长久防止亦未出现Cu-Si化合物。

公开(公告)号：CN107665855A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710610070.2

申请日：2017-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘禹炅 ,  白宗玟 ,  张相信 ,  金秉熙 ,  V.阮 ,  李来寅 ,  李禹镇 ,  郑恩志 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/528 ,  H01L21/764

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成第一绝缘夹层；图案化第一绝缘夹层以形成多个第一开口；在被图案化的第一绝缘夹层中的第一开口内形成牺牲图案；图案化牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层以在牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层中形成多个第二开口；形成多个金属线，金属线在各自的第二开口中；去除牺牲图案的剩余部分中的至少一些以在金属线中的至少一些之间形成空隙；以及在金属线的顶表面、被图案化的第一绝缘夹层的顶表面、以及金属线的和被图案化的第一绝缘夹层的暴露的侧表面上共形地形成衬垫层。

公开(公告)号：CN107564888A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201610512129.X

申请日：2016-07-01

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 周鸣

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/53233 ,  H01L21/485 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/29 ,  H01L23/4928 ,  H01L23/53238

Abstract: 本发明公开了互连结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。该互连结构包括：衬底；位于所述衬底上的介质层；形成在所述介质层中与所述衬底接触的金属互连层，所述介质层的上表面与所述金属互连层的上表面齐平；以及位于所述金属互连层上的石墨烯层。在该互连结构中，石墨烯层可以将金属与空气隔绝，防止金属被空气中的氧气氧化，从而可以增加CMP工艺的等待时间，并且可以提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN107240573A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201610182177.7

申请日：2016-03-28

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 韩秋华 ,  吴端毅

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干栅极结构，在所述半导体衬底和所述栅极结构的侧壁上形成有接触孔蚀刻停止层，在所述接触孔蚀刻停止层上形成有第一介电层，以填充所述栅极结构之间的间隙；蚀刻去除所述栅极结构的侧壁上的所述接触孔蚀刻停止层，以在所述栅极结构和所述第一介电层之间形成沟槽；在所述沟槽中形成热降解聚合物，以填充所述沟槽；沉积第二介电层，以覆盖所述第一介电层、所述热降解聚合物和所述栅极结构；在所述栅极结构的外侧和/或所述栅极结构上形成接触插塞；执行加热步骤，以降解所述热降解聚合物，在所述栅极结构的外侧形成空气间隙。

公开(公告)号：CN107123635A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710103120.8

申请日：2017-02-24

Applicant: 精工半导体有限公司

Inventor： 北岛裕一郎

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L23/5256 ,  H01L23/528 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76888

Abstract: 提供在能够利用激光切断的熔丝元件中能够稳定地切断的半导体装置。熔丝元件由上部熔丝元件和下部熔丝布线及熔丝连接触点构成。在基于激光切断熔丝元件时下部熔丝布线被层间膜保护，只有上部熔丝元件被有效率地熔融气化。进而连接上部熔丝元件和下部熔丝布线的触点配置在激光照射区域的中心，因此成为连接部分最有效率地接受激光的能量的结构。