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公开(公告)号:CN106409690A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201610873911.4
申请日:2016-09-29
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
CPC classification number: H01L21/4878 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供了一种基于激光纳米加工技术的埋置芯片互连方法,包括以下步骤:S1:选择一基板;S2:在所述基板上通过介质层光刻及金属化布线实现多层电路的连接形成布线层,在形成布线层时,根据芯片在所述布线层中的预设位置,采用激光纳米加工技术在所述基板上的相应位置处开设埋置槽,并将芯片安装于所述埋置槽中;S3:将芯片与布线层进行互连。并根据芯片位于布线层的位置具体分为芯片先置型埋入、芯片中置型埋入及芯片后置型埋入三种情况。本发明基于激光纳米加工技术,为芯片埋置提供了高效率与高精度的加工方法,解决了化学方法周期长程序繁琐的问题,实现芯片在基板或布线层埋置及互连的方法。
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公开(公告)号:CN118299470A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202410599570.0
申请日:2024-05-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明公开提供一种用于异面正对光导开关组装装置以及组装方法,涉及半导体开关领域,包括,底座,底座上开设有安装槽;光导开关主体部,设置于底座上且位于安装槽内;至少一按压组件,设置于底座上且环绕于安装槽;按压组件包括按压部、锁定部和按压块;锁定部和按压块均设置于底座上,且按压块接触于光导开关主体部,按压部穿设于按压块并可拆卸连接于锁定部,实现光导开关主体部位于安装槽内;顶起组件,设置于底座和光导开关主体部之间,且顶起组件位于安装槽内腔;顶起组件作用于光导开关主体部,并使得光导开关主体部抵紧于按压块。本申请具有便于安装和拆卸的效果。
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公开(公告)号:CN114025517B
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202111441061.8
申请日:2021-11-30
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H05K3/46
Abstract: 本发明公开了一种LCP多层电路板平坦化层压方法及装置,层压方法包括以下步骤:S1、将压头与层压平台上下对应设置,层压平台上设置有多个真空吸附孔,层压平台上端面上铺设有第一多孔铝箔;S2、多层LCP基板的下端面放置于第一多孔铝箔上,在多层LCP基板的上端面上铺设有第二多孔铝箔,聚酰亚胺膜包覆于多层LCP基板、第一多孔铝箔及第二多孔铝箔所组成的整体结构外;S3、通过抽真空装置降低真空吸附孔内的气压,使多层LCP基板密封于一密闭空间内;S4、压头内设有加热装置,压头下压接触在第二多孔铝箔上的聚酰亚胺膜上,压头开始加压加热使多层LCP基板发生键合,完成层压。
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公开(公告)号:CN116130953A
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202310167500.3
申请日:2023-02-27
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种低剖面模块化瓦片式有源相控阵天线,包括:波控电源层、金属腔体层、功分网络层、T/R链路层和天线阵面层,波控电源层的输入端同外部电源、控制信号连接,波控电源层的输出端与T/R链路层的低频输入端连接;在发射链路中,功分网络层的输入端穿过底层的波控电源层后与外部射频激励信号相连,功分网络层的输出端与T/R链路层的射频输入端连接,T/R链路层的输出端构成顶层天线阵面层的输入端;在接收链路中,射频信号的传输线路与发射链路相同,传输方向与发射链路相反,天线接收到的射频信号经过功分网络后的输出端传输至外部接收设备。从而降低了整机剖面高度,减少了整机重量和占用空间,实现天线的小型化与轻量化。
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公开(公告)号:CN112820721B
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202110056692.1
申请日:2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/66 , H01L23/367 , H01L23/538 , H01L21/768 , H01Q1/22 , H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/00
Abstract: 本发明公开了一种集成封装天线,包括至少一个半导体芯片及由上至下依次层压的天线模块基板、铝硅转接板及射频模块基板,天线模块基板包括天线层LCP基体及分别设于天线层LCP基体的顶面和底面的天线图形层和天线接地层,射频模块基板包括射频层LCP基体及分别设于射频层LCP基体的顶面和底面的射频接地层和射频传输布线层,本发明通过低介电常数、低吸湿率、高频稳定性好、损耗低的LCP基板进行天线和射频模块的布线,解决常用转接板散热相对较差、不可作为机械支撑的问题,相比传统的硅转接板或LTCC基板,可以降低成本,并提高散热,同时,本发明完成基板和壳体的集成,实现基板和壳体的结构功能一体化,获得天线模块与射频模块的集成、小型化、轻量化封装。
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公开(公告)号:CN112802809B
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN202110055168.2
申请日:2021-01-15
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L23/373 , H01L23/538 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L21/768 , H01Q1/22
Abstract: 本发明公开了一种硅铝合金封装基板及其制备方法,该硅铝合金封装基板的基体材料为硅铝合金,所述封装基板上设有曲面天线共型贴装平台、微波信号屏蔽腔体以及平面转接板,所述曲面天线共型贴装平台用于天线共型贴装,所述微波信号屏蔽腔体用于微波信号电路集成,所述封装基板为垂直互连封装基板。本发明提供的硅铝合金封装基板将转接板、微波屏蔽腔体、曲面天线共型贴装平台集中在封装基板上,实现了结构一体成型、一致性,简化了硅铝合金封装基板制备工序,结构强度高,同时实现了结构与功能一体化。本发明还提供了该封装基板的制造方法,该方法相对于传统封装基板制备工艺具有可操作性强,耗时短,成本低,可靠性高等优点。
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公开(公告)号:CN111586965B
公开(公告)日:2022-03-22
申请号:CN202010452075.9
申请日:2020-05-25
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP基材的高功率共形组件制备方法及共形组件,包括LCP多层板、芯片以及壳体;所述壳体具有一凸台,所述LCP多层板设置有一与所述凸台相匹配的芯片埋置槽;所述LCP多层板通过所述芯片埋置槽套设在所述LCP多层板上;所述芯片设置在所述凸台的端面上,并通过键合引线与所述LCP多层板上侧面的金属层电连接。本发明通过高频稳定性好损耗低的LCP基板进行组件基板制备,可有效降低信号损耗,解决常用射频基板应用频率低且无法共形装配的问题,相比柔性基板吸湿率低,解决了柔性基板散热差,无法应用于贴装高功率芯片的问题,实现了共形组件、壳体一体化散热封装。
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公开(公告)号:CN111372386B
公开(公告)日:2022-03-11
申请号:CN202010324762.2
申请日:2020-04-22
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01P11/00
Abstract: 本发明提供了一种基于多层LCP电路板的矩形微同轴传输线制备方法及传输线,包括:对多层LCP电路板进行光刻,第二层LCP电路板上表面的第一金属层光刻腐蚀形成内导体图案;对第二层LCP电路板上内导体图案加厚;将第二层LCP电路板、第三层LCP电路板的下表面以及第四层LCP电路板的上下表面附上半固化片;将第二层LCP电路板切割出两个空腔,第三层LCP电路板和第四层LCP电路板切割出一个空腔;第二层LCP电路板、第三层LCP电路板以及第四层LCP电路板进行层压键合;对第二层LCP电路板、第三层LCP电路板以及第四层LCP电路板的由空腔形成的侧壁上形成第二金属层;将多层LCP电路板堆叠层压键合。本发明中各层LCP电路板的加工可以并行进行,加工时间大为缩短。
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公开(公告)号:CN111952707B
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202010503676.8
申请日:2020-06-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于LCP的多层矩形微同轴射频传输线制造方法及传输线,包括:对多层LCP电路板进行光刻后层压生成目标多层LCP电路板,目标多层LCP电路板中的第一层LCP电路板的上表面具有第一金属区域,下表面具有第一金属层;对目标多层LCP电路板加工出沿厚度方向延伸的至少两沟槽,沟槽延伸至第一金属层;以第一金属层为阴极,沟槽为模具,对沟槽进行电铸填充至目标多层LCP电路板的上表面;在两沟槽与第一金属区域之间的目标多层LCP电路板进行切割形成支撑体和内腔体,用支撑用于支撑第一金属区域;将另一LCP电路板封盖内腔体后进行层压。本发明中金属侧壁,由层压后的多层板激光加工沟槽后,电铸铜填充形成,减少了层压次数,解决了叠层周期长的问题。
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公开(公告)号:CN112002770A
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN202010843478.6
申请日:2020-08-20
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种电极预置焊料的光导开关,包括碳化硅衬底及两个电极,两个电极设置于碳化硅衬底的第一表面和或第二表面上,电极包括依次堆叠的Ni层、TiW层、Pt层、第一Au层、第二Au层及Sn层,且Ni层位于靠近碳化硅衬底一侧,其中第二Au层和Sn层形成共晶焊料层,传统的焊料片熔化焊接方式存在着放置精度差,焊料片较厚,焊接后易形成凸起导致电荷集中,通过在电极上预置焊料膜层的方式可精准控制焊料定位,同时可有效控制焊料厚度及形状,提高光导开关的电极连接可靠性,从而提升光导开关的耐压能力及可靠性。
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