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公开(公告)号：CN113224488B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110523535.7
申请日：2021-05-13
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种宽阻带基片集成波导滤波功分器，包括第一金属层、第二金属层、第三金属层，第一介质基板和第二介质基板；第一介质基板设有第一谐振腔、第三谐振腔；第二介质基板设有第二谐振腔。整体设置输入波导、第一输出波导和第二输出波导。输入波导用于激励第一谐振腔和第二谐振腔；第一输出波导和第二输出波导用于激励第二谐振腔和第三谐振腔。第二金属层将第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔之间实现磁耦合。通过调节各单元的电磁耦合强度，调节两个传输零点，获得好的频率选择性，具备不同的高次模频率，实现宽阻带特性；能实现电、磁耦合性质的变换；获取高性能基片集成波导元件；结构紧凑易于平面电路集成，可用于高频及毫米波系统。
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公开(公告)号：CN114384399A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210004724.8
申请日：2022-01-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种测试功率放大器芯片结温的方法，包括如下步骤：搭建测试平台，将T/R组件或者功率放大器固定在测试平台上，设置测试平台的测试参数；测试，在结温的极限值范围内，设置测试平台中的脉冲频率后，分别测试每个状态下功率放大器芯片的结温和输出功率顶降值；生成曲线图，获取结温和输出功率顶降值，生成描绘顶降值与结温关系的曲线图；获取一T/R组件输出的顶降值，根据顶降值与芯片结温的关系曲线图查找该T/R组件对应功率放大器芯片的结温。本发明提供的测试功率放大器芯片结温的方法，能够解决目前现有测试芯片结温繁琐、测试设备要求高等不足的问题。
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公开(公告)号：CN116130365A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310175685.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种ABF膜高密度基板布线制造方法，包括以下步骤：在衬底基板边缘的两侧分别形成激光通孔定位标记和布线光刻定位标记；利用布线光刻定位标记，在衬底上制备第一层薄膜布线层；将裁剪后的ABF膜真空层压到第一层薄膜布线层上，并进行固化；利用布线光刻定位标记，在ABF膜表面光刻出通孔掩膜；利用激光通孔定位标记和通孔掩膜进行双重精准定位，进行激光钻孔，形成布线通孔；利用布线光刻定位标记，在ABF膜上制备第二层薄膜布线层。该制造方法利用真空层压工艺，改变了原PCB板的层压板级工艺中的工艺复杂、尺寸结构受限的问题；同时利用激光标记以及通孔掩膜双重精准定位，可实现层间的可靠互连，从而满足ABF膜高密度的薄膜布线互连。
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公开(公告)号：CN115642579A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211088096.2
申请日：2022-09-07
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于GaAs微波功率器件的加电装置，包括：正电压输入端、负电压输入端、正负压保护及浪涌抑制模块、漏极正电压输出端以及栅极负电压输出端；正电压输入端和负电压输入端为正负压保护及浪涌抑制模块的输入端，用于接入外部电源；漏极正电压输出端和栅极负电压输出端为正负压保护及浪涌抑制模块的输出端，并与GaAs微波功率器件电连接用以进行供电，保持加电电流的稳定性。本发明提高了GaAs微波功率器件加电的可靠性、稳定性、集成度高、易实现的特点，并具有通用性，可广泛应用于卫星通信、雷达、测控、导航、对抗等电子系统中。
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公开(公告)号：CN113224488A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110523535.7
申请日：2021-05-13
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种宽阻带基片集成波导滤波功分器，包括第一金属层、第二金属层、第三金属层，第一介质基板和第二介质基板；第一介质基板设有第一谐振腔、第三谐振腔；第二介质基板设有第二谐振腔。整体设置输入波导、第一输出波导和第二输出波导。输入波导用于激励第一谐振腔和第二谐振腔；第一输出波导和第二输出波导用于激励第二谐振腔和第三谐振腔。第二金属层将第一谐振腔、第二谐振腔和第三谐振腔之间实现磁耦合。通过调节各单元的电磁耦合强度，调节两个传输零点，获得好的频率选择性，具备不同的高次模频率，实现宽阻带特性；能实现电、磁耦合性质的变换；获取高性能基片集成波导元件；结构紧凑易于平面电路集成，可用于高频及毫米波系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115549613A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211278710.1
申请日：2022-10-19
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种星载高可靠双通道脉冲固态功率放大器，包括电源管理电路、双通道射频放大电路、同轴开关、环形器以及射频检测报警电路，电源管理电路的输出端与双通道射频放大电路的电源输入端连接，双通道射频放大电路的检波电压输出端与射频检测报警电路连接，双通道射频放大电路的射频输入端连接功率设备，双通道射频放大电路的第一射频输出端与同轴开关的第一输入端连接，双通道射频放大电路的第二射频输出端与同轴开关的第二输入端连接，同轴开关的输出端与环形器的第一输入端连接，环形器的第二输入端连接相控阵天线分系统的接收输出端，环形器的输出端构成功率输出端。本发明能够提高功率放大器在信号收发时的隔离度和可靠性。
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公开(公告)号：CN110429395A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910800706.9
申请日：2019-08-27
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种同轴接插件与基板微带的连接结构及方法，该结构包括：同轴接插件(1)和基板微带(3)；其中，所述同轴接插件(1)的内导体的一端通过金丝(2)与基板微带(3)键合连接。本发明整体结构简单，提高了同轴接插件与基板微带之间连接的可靠性和稳定性，从而可以使得同轴接插件与多种介质基板微带的连接在DC～18GHz频带内具备优良的射频性能，使其适用于各种实验环境。
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公开(公告)号：CN119400705A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411559920.7
申请日：2024-11-04
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种陶瓷芯封装基板及其制备方法，制备方法包括S1：通过陶瓷基板烧结工艺制作陶瓷芯板，陶瓷芯板设置有内部导电线及内部导通孔，陶瓷芯板的上表面和/或下表面设置有芯板表面导电线；S2：通过金属剥离工艺在芯板表面导电线上制备中间结合层；S3：在载板上开设若干个槽，将步骤2得到的陶瓷芯板嵌入载板的槽内；S4：在嵌入陶瓷芯板的载板的上表面和/或下表面贴合加热可流动性介质；S5：对S4步骤处理后的载板实施半加成法或改良半加成法制备增层布线层，增层布线层包括增层介质层、增层过孔和增层导电线，增层导电线与芯板表面导电线通过增层过孔连接，且增层过孔与芯板表面导电线之间具有中间结合层，得到的陶瓷芯封装基板。
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公开(公告)号：CN116840797A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310769197.4
申请日：2023-06-27
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明提供了一种星载Ka频段发射内定标器，包括：射频模块和电源模块，射频模块包括射频开关链路和开关驱动电路；电源模块包括DC/DC电源转换电路、RS422接口电路、遥测电路，射频开关链路根据上位机的指令完成射频通道状态切换，为发射内定标器提供射频通道；开关驱动电路驱动射频开关工作；DC/DC电源转换电路将外部电源转换为射频模块所需电源；RS422接口电路将上位机输入差分控制信号转换为单端脉冲信号，提供给开关驱动电路；遥测电路用于实现发射内定标器温度遥测。本发明中的发射内定标器存在多种工作状态，并且具备高隔离度，低平坦度和高输出信号稳定度的优良性能。
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公开(公告)号：CN116819452A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310846884.1
申请日：2023-07-11
Applicant: 上海航天电子通讯设备研究所
Abstract: 本发明公开了一种毫米波双面射频收发组件，包括：壳体、第一混压板、第二混压板、第一外盖板及第二外盖板，壳体包括底板及第一板体和第二板体，第一板体和第二板体设置在底板的两侧，底板上设有第一混压板和第二混压板，第一混压板、底板及第二混压板依次固定连接形成双面结构，且第一混压板和第二混压板外形尺寸呈镜像对称；底板开槽处设有转接板；第一板体上至少设有一个低频接插件，低频接插件与第一混压板通过金丝键合方式，第二板体上至少设有偶数个射频接插件；使用双面夹心的对称结构设计，在天线阵面阵子间距相同的情况下改善了传统单面射频收发组件因结构与混压板热膨胀系数不匹配而造成的结构件形变、壳体断裂问题。
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