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公开(公告)号：CN100521224C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610082640.7
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法。硫属化物材料与硅氧化膜的接合性差，因此出现了在相变存储器的制造工序中容易剥离的课题。另外，相变存储器复位时(非晶化)必须要将硫属化物材料加热到熔点以上，因而出现了需要非常大的重写电流的课题。为解决上述课题，在硫属化物材料层和层间绝缘膜之间、以及硫属化物材料层和插塞之间，插入兼具了接合层和高电阻层(热电阻层)的功能的、由极薄的绝缘体或半导体构成的界面层。
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公开(公告)号：CN1866533A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610082640.7
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法。硫属化物材料与硅氧化膜的接合性差，因此出现了在相变存储器的制造工序中容易剥离的课题。另外，相变存储器复位时(非晶化)必须要将硫属化物材料加热到熔点以上，因而出现了需要非常大的重写电流的课题。为解决上述课题，在硫属化物材料层和层间绝缘膜之间、以及硫属化物材料层和插塞之间，插入兼具了接合层和高电阻层(热电阻层)的功能的、由极薄的绝缘体或半导体构成的界面层。
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公开(公告)号：CN1954428B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200580015301.0
申请日：2005-05-09
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 硫属化物材料与高熔点金属或硅氧化物膜的接合性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易剥离的问题。另外，硫属化物材料热稳定性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易升华的问题。在硫属化物材料层的上部和下部形成导电性或绝缘性的接合层，使剥离强度提高。另外，在硫属化物材料层的侧壁形成由氮化膜构成的保护膜来抑制升华。
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公开(公告)号：CN100461414C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510073840.1
申请日：2005-05-24
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/02134 , H01L21/02137 , H01L21/02203 , H01L21/3124 , H01L21/31662 , H01L29/7833
Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法，抑制半导体器件的栅电极端部的衬底中产生的位错。具有在半导体衬底的主表面上形成的多个元件形成区，位于上述元件形成区之间且嵌入有上述元件隔离绝缘膜的元件隔离沟槽，在上述元件形成区形成的栅绝缘膜和上述栅电极和上述栅电极的上方形成的多个布线层；上述元件隔离沟槽具有在上述半导体衬底和上述元件隔离绝缘膜之间形成的热氧化膜；上述元件隔离绝缘膜内部含有多个微细孔隙，比上述热氧化膜孔隙更多地形成上述元件隔离绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1625810A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN03803048.9
申请日：2003-02-05
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6659 , H01L21/26513 , H01L29/4925 , H01L29/4983 , H01L29/7833
Abstract: 本发明的目的在于提供可靠性高、成品率高的半导体装置。本发明的半导体装置具备硅衬底、在上述硅衬底主表面侧形成的栅绝缘膜、层叠在上述栅绝缘膜上形成的栅电极，以及含有砷和磷的扩散层，其中，砷的最高浓度部分的浓度和磷的最高浓度部分的浓度都在大于等于1026原子/m3、小于等于1027原子/m3的范围内，且使得磷的最高浓度部分从上述硅衬底表面向下的深度小于等于砷的最高浓度部分的深度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1574338A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410061683.8
申请日：2004-06-24
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/4851 , H01L2224/48624 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85205 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/20751 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015
Abstract: 一种半导体器件，对于Cu布线/Low－k材料的叠层布线结构LSI，可降低对键合焊盘的损伤，确立可与现有的铝布线的LSI同样使用的窄间距焊丝键合技术。在由Cu布线/Low－k绝缘膜材料形成多层叠层布线的半导体元件中，通过全部由Cu布线层形成，直至最上层的帽盖布线，在由Cu层形成的键合焊盘部中，在其上层形成Ti(钛)膜或(钨)膜等的高熔点的中间金属层，在其上层再形成铝合金层的键合焊盘结构来实现所述技术。
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公开(公告)号：CN100397637C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200510078018.4
申请日：2005-06-10
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76807 , H01L21/7682 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体器件，可以抑制在以铜为主要构成材料的布线结构中因应力迁移而引起的空隙产生且可靠性高。在半导体衬底上的绝缘膜上形成的多层布线结构中，布线结构为：以与以铜为主要构成材料构成的第一布线的上表面相接的方式，从下依次至少层叠阻挡性高且具有压缩应力的第一绝缘膜、具有拉伸应力的第二绝缘膜、比上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜介电常数低的第三绝缘膜，设置通孔以便贯通上述第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜并与上述第一布线连接。
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公开(公告)号：CN101150128A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610059879.2
申请日：2003-06-24
IPC: H01L27/04 , H01L27/115 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件，其特征在于具有：半导体衬底；含形成在所述衬底中的沟槽和埋入在沟槽内的绝缘膜的元件隔离区；形成在所述衬底中的有源区，该有源区包括其上形成有栅绝缘膜的阱区，该栅绝缘膜上形成有栅电极，阱区包括与栅电极相对应地设置的源和漏扩散区，其中，沟槽中的埋入绝缘膜具有平面延伸到衬底中的底表面，且该埋入绝缘膜包围着有源区，该底表面延伸的深度比扩散区深；埋入绝缘膜有至少包围源和漏扩散区的凹陷的上部平表面，以防止元件隔离区所引起的晶体缺陷，所述凹陷的上部平表面的深度从衬底的平表面算起大于等于所述源和漏扩散区的杂质分布的峰值浓度的深度；沿沟槽中的埋入绝缘膜的侧面和底面形成有氮氧化物膜，该氮氧化物膜与衬底相接触。
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公开(公告)号：CN100361314C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN03803048.9
申请日：2003-02-05
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6659 , H01L21/26513 , H01L29/4925 , H01L29/4983 , H01L29/7833
Abstract: 本发明的目的在于提供可靠性高、成品率高的半导体装置。本发明的半导体装置具备硅衬底、在上述硅衬底主表面侧形成的栅绝缘膜、层叠在上述栅绝缘膜上形成的栅电极，以及含有砷和磷的扩散层，其中，砷的最高浓度部分的浓度和磷的最高浓度部分的浓度都在大于等于1026原子/m3、小于等于1027原子/m3的范围内，且使得磷的最高浓度部分从上述硅衬底表面向下的深度小于等于砷的最高浓度部分的深度。
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公开(公告)号：CN1716607A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510073840.1
申请日：2005-05-24
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/02134 , H01L21/02137 , H01L21/02203 , H01L21/3124 , H01L21/31662 , H01L29/7833
Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法，抑制半导体器件的栅电极端部的衬底中产生的位错。具有在半导体衬底的主表面上形成的多个元件形成区，位于上述元件形成区之间且嵌入有上述元件隔离绝缘膜的元件隔离沟槽，在上述元件形成区形成的栅绝缘膜和上述栅电极和上述栅电极的上方形成的多个布线层；上述元件隔离沟槽具有在上述半导体衬底和上述元件隔离绝缘膜之间形成的热氧化膜；上述元件隔离绝缘膜内部含有多个微细孔隙，比上述热氧化膜孔隙更多地形成上述元件隔离绝缘膜。
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