公开(公告)号：CN100521224C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610082640.7

申请日：2006-05-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 松井裕一 ,  岩崎富生 ,  高浦则克 ,  黑土健三

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法。硫属化物材料与硅氧化膜的接合性差，因此出现了在相变存储器的制造工序中容易剥离的课题。另外，相变存储器复位时(非晶化)必须要将硫属化物材料加热到熔点以上，因而出现了需要非常大的重写电流的课题。为解决上述课题，在硫属化物材料层和层间绝缘膜之间、以及硫属化物材料层和插塞之间，插入兼具了接合层和高电阻层(热电阻层)的功能的、由极薄的绝缘体或半导体构成的界面层。

公开(公告)号：CN1866533A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610082640.7

申请日：2006-05-19

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 松井裕一 ,  岩崎富生 ,  高浦则克 ,  黑土健三

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法。硫属化物材料与硅氧化膜的接合性差，因此出现了在相变存储器的制造工序中容易剥离的课题。另外，相变存储器复位时(非晶化)必须要将硫属化物材料加热到熔点以上，因而出现了需要非常大的重写电流的课题。为解决上述课题，在硫属化物材料层和层间绝缘膜之间、以及硫属化物材料层和插塞之间，插入兼具了接合层和高电阻层(热电阻层)的功能的、由极薄的绝缘体或半导体构成的界面层。

公开(公告)号：CN1954428B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200580015301.0

申请日：2005-05-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 松井裕一 ,  松崎望 ,  高浦则克 ,  山本直树 ,  松冈秀行 ,  岩崎富生

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 硫属化物材料与高熔点金属或硅氧化物膜的接合性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易剥离的问题。另外，硫属化物材料热稳定性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易升华的问题。在硫属化物材料层的上部和下部形成导电性或绝缘性的接合层，使剥离强度提高。另外，在硫属化物材料层的侧壁形成由氮化膜构成的保护膜来抑制升华。

公开(公告)号：CN1954428A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200580015301.0

申请日：2005-05-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 松井裕一 ,  松崎望 ,  高浦则克 ,  山本直树 ,  松冈秀行 ,  岩崎富生

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 硫属化物材料与高熔点金属或硅氧化物膜的接合性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易剥离的问题。另外，硫属化物材料热稳定性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易升华的问题。在硫属化物材料层的上部和下部形成导电性或绝缘性的接合层，使剥离强度提高。另外，在硫属化物材料层的侧壁形成由氮化膜构成的保护膜来抑制升华。