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公开(公告)号：CN101179058A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710196110.X
申请日：2004-05-13
IPC: H01L23/485 , H01L25/00 , H01L25/065
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 一种半导体芯片，包括：具有表面及背面的半导体基板；在该半导体基板的所述表面形成的功能元件；以及与该功能元件电连接，配置在在该功能元件的侧面沿厚度方向贯通所述半导体基板的贯通孔内，并将所述半导体基板的所述表面侧及所述背面侧电连接的贯通电极，所述贯通电极，包括：具有形成至所述贯通孔深度方向的中途、以便塞住所述贯通孔的部分的籽晶层；配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述表面侧的表面侧电极；以及配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述背面侧的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN101320702B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810110005.4
申请日：2008-06-02
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/6835 , H01L24/05 , H01L24/90 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05553 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/1134 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/16147 , H01L2224/16237 , H01L2224/81141 , H01L2224/81191 , H01L2224/90 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，可以提高具有三维地层叠的多个半导体芯片的半导体器件的制造成品率。形成有从半导体基板(1)的第2面(1b)到达焊盘(3)的贯通电极(17)。贯通电极(17)的内部的贯通空间是由第1孔(7)以及孔径小于第1孔(7)的第2孔(11)构成的。从半导体基板(1)的第2面(1b)贯通半导体基板(1)直到层间绝缘膜(2)的途中地形成有第1孔(7)。另外，形成有从第1孔(7)的底部贯通层间绝缘膜(2)到达焊盘(3)的第2孔(11)。此时，形成在半导体基板(1)的第1面(1a)上的层间绝缘膜(2)反映第1孔(7)的底面与半导体基板(1)的第1面(1a)造成的台阶而成为台阶形状。即，存在于第1孔(7)的底面与焊盘(3)间的层间绝缘膜(2)的膜厚比其他位置的层间绝缘膜(2)的膜厚薄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1574338A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410061683.8
申请日：2004-06-24
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/4851 , H01L2224/48624 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85205 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/20751 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015
Abstract: 一种半导体器件，对于Cu布线/Low－k材料的叠层布线结构LSI，可降低对键合焊盘的损伤，确立可与现有的铝布线的LSI同样使用的窄间距焊丝键合技术。在由Cu布线/Low－k绝缘膜材料形成多层叠层布线的半导体元件中，通过全部由Cu布线层形成，直至最上层的帽盖布线，在由Cu层形成的键合焊盘部中，在其上层形成Ti(钛)膜或(钨)膜等的高熔点的中间金属层，在其上层再形成铝合金层的键合焊盘结构来实现所述技术。
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公开(公告)号：CN101609828A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910142660.2
申请日：2009-06-05
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/52 , H01L23/485 , H01L25/00 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05553 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/1134 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/81136 , H01L2224/81801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。如果在芯片背面形成贯通电极以及背面布线，则通过作为贯通电极的一部分的背面布线焊盘以及背面布线，在芯片背面形成凸部。以此为原因，在吸附芯片时引起空气的泄漏而引起芯片吸附力降低。在形成背面布线焊盘(4d)以及背面布线(4e)的区域中，预先形成凹部(100)。在该凹部(100)内部设置背面布线焊盘(4d)以及背面布线(4e)。由此，通过由于背面布线焊盘(4d)以及背面布线(4e)厚度而产生的凸部，确保芯片(1C)背面的平坦性，而不会在处理芯片(1C)时造成吸附力降低。
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公开(公告)号：CN100383937C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410044584.9
申请日：2004-05-13
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 一种半导体芯片的制造方法，包括：从具有表面及背面且在表面上形成有功能元件的半导体基板的表面，形成沿该半导体基板的厚度方向延伸的表面侧凹处的工序；向该表面侧凹处内供给金属材料，形成与功能元件电连接的表面侧电极的表面侧电极形成工序；从背面去除半导体基板，将半导体基板薄形化至比表面侧凹处的深度大的所定厚度的薄型化工序；在该薄型化工序之后，通过在半导体基板的背面形成与表面侧凹处连通的背面侧凹处，从而形成包括表面侧凹处和背面侧凹处在内的连续的贯通孔的背面侧凹处形成工序；向背面侧凹处供给金属材料，形成与表面侧电极电连接的、与表面侧电极一起构成贯通半导体基板的贯通电极的背面侧电极形成工序。
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公开(公告)号：CN100521176C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200710196110.X
申请日：2004-05-13
IPC: H01L23/485 , H01L25/00 , H01L25/065
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06586 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 一种半导体芯片，包括：具有表面及背面的半导体基板；在该半导体基板的所述表面形成的功能元件；以及与该功能元件电连接，配置在该功能元件的侧面沿厚度方向贯通所述半导体基板的贯通孔内，并将所述半导体基板的所述表面侧及所述背面侧电连接的贯通电极，所述贯通电极，包括：具有形成至所述贯通孔深度方向的中途、以便塞住所述贯通孔的部分的籽晶层；配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述表面侧的表面侧电极；以及配置在比所述籽晶层的塞住所述贯通孔的部分更靠近所述背面侧的背面侧电极。
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公开(公告)号：CN101320702A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810110005.4
申请日：2008-06-02
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/6835 , H01L24/05 , H01L24/90 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05553 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/1134 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/16147 , H01L2224/16237 , H01L2224/81141 , H01L2224/81191 , H01L2224/90 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，可以提高具有三维地层叠的多个半导体芯片的半导体器件的制造成品率。形成有从半导体基板(1)的第2面(1b)到达焊盘(3)的贯通电极(17)。贯通电极(17)的内部的贯通空间是由第1孔(7)以及孔径小于第1孔(7)的第2孔(11)构成的。从半导体基板(1)的第2面(1b)贯通半导体基板(1)直到层间绝缘膜(2)的途中地形成有第1孔(7)。另外，形成有从第1孔(7)的底部贯通层间绝缘膜(2)到达焊盘(3)的第2孔(11)。此时，形成在半导体基板(1)的第1面(1a)上的层间绝缘膜(2)反映第1孔(7)的底面与半导体基板(1)的第1面(1a)造成的台阶而成为台阶形状。即，存在于第1孔(7)的底面与焊盘(3)间的层间绝缘膜(2)的膜厚比其他位置的层间绝缘膜(2)的膜厚薄。
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