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公开(公告)号：CN1536658A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200410031330.3
申请日：2004-03-26
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/97 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45164 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48455 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48724 , H01L2224/49171 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/78704 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/01202 , H01L2924/01204 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20752 , H01L2924/351 , H01L2924/01046 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48744 , H01L2924/00015 , H01L2924/0102 , H01L2924/013 , H01L2924/01004 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006
Abstract: 接合焊盘和金线的球部分之间的粘附力得以改善以提高半导体器件的可靠性。约1wt.％的Pd含在金线中，金线用于连接形成在布线基板上的电极焊盘和形成在半导体芯片上的电极焊盘(主要由Al形成的顶层布线的露出区域)，由此，在形成在半导体芯片上的电极焊盘和金线的球部分之间的接合部分中，抑制了Au和Al的相互扩散，以防止PCT(压力锅蒸煮试验)之后形成Au4Al。由于防止了易于被腐蚀的Au4Al的形成，即使形成在半导体芯片上的电极焊盘的间距小于65μm并且每个金线的球部分的直径小于55μm或每个金线的线部分的直径不大于25μm的情况中，也可以得到需要的金线接合强度。同样在顶层布线很厚或者很薄或者接合温度很低的情况中也可以确保需要的接合强度。
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公开(公告)号：CN1574338A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410061683.8
申请日：2004-06-24
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48453 , H01L2224/48465 , H01L2224/4851 , H01L2224/48624 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85205 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01105 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20303 , H01L2924/20304 , H01L2924/20305 , H01L2924/20751 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/00015
Abstract: 一种半导体器件，对于Cu布线/Low－k材料的叠层布线结构LSI，可降低对键合焊盘的损伤，确立可与现有的铝布线的LSI同样使用的窄间距焊丝键合技术。在由Cu布线/Low－k绝缘膜材料形成多层叠层布线的半导体元件中，通过全部由Cu布线层形成，直至最上层的帽盖布线，在由Cu层形成的键合焊盘部中，在其上层形成Ti(钛)膜或(钨)膜等的高熔点的中间金属层，在其上层再形成铝合金层的键合焊盘结构来实现所述技术。
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公开(公告)号：CN100375278C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200410031330.3
申请日：2004-03-26
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/97 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45164 , H01L2224/4807 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48453 , H01L2224/48455 , H01L2224/48465 , H01L2224/4847 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48724 , H01L2224/49171 , H01L2224/49431 , H01L2224/49433 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/78704 , H01L2224/85045 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/01202 , H01L2924/01204 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/20752 , H01L2924/351 , H01L2924/01046 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48744 , H01L2924/00015 , H01L2924/0102 , H01L2924/013 , H01L2924/01004 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006
Abstract: 接合焊盘和金线的球部分之间的粘附力得以改善以提高半导体器件的可靠性。约1wt.%的Pd含在金线中，金线用于连接形成在布线基板上的电极焊盘和形成在半导体芯片上的电极焊盘(主要由Al形成的顶层布线的露出区域)，由此，在形成在半导体芯片上的电极焊盘和金线的球部分之间的接合部分中，抑制了Au和Al的相互扩散，以防止PCT(压力锅蒸煮试验)之后形成Au4Al。由于防止了易于被腐蚀的Au4Al的形成，即使形成在半导体芯片上的电极焊盘的间距小于65μm并且每个金线的球部分的直径小于55μm或每个金线的线部分的直径不大于25μm的情况中，也可以得到需要的金线接合强度。同样在顶层布线很厚或者很薄或者接合温度很低的情况中也可以确保需要的接合强度。
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公开(公告)号：CN1591884A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410059317.9
申请日：2004-06-15
Applicant: 株式会社瑞萨科技 , 瑞萨东日本半导体公司
CPC classification number: H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L31/0203 , H01L31/02325 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05599 , H01L2224/13144 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48475 , H01L2224/4848 , H01L2224/48599 , H01L2224/81801 , H01L2224/82 , H01L2224/85051 , H01L2224/85181 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2224/85444 , H01L2224/85447 , H01L2224/86 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/12043 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H04N5/2253 , H04N5/2254 , H04N5/2257 , H01L2224/85 , H01L2924/01079 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 传感器芯片和其内容纳传感器芯片的透镜架被安装在布线基片的一个表面，而其内容纳透镜的透镜握持器与透镜架耦合。在布线基片的后表面上，安装一个逻辑芯片，一个存贮器芯片和一无源部件，它们用一种密封树脂加以密封。传感器芯片的电极焊盘通过连线被电连接到布线基片表面的电极上，但在布线基片表面的电极上还形成一个钮状凸块，而此钮状凸块与接合线接合。在布线基片的表面上，用一种各向异性导电膜和一种粘结剂，粘结一柔性基片。当要制造一个相机组件时，布线基片的表面侧是在布线基片的后表面侧被装配好以后再装配的。
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