公开(公告)号：CN101150128A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200610059879.2

申请日：2003-06-24

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 石塚典男 ,  岩崎富生 ,  太田裕之 ,  三浦英生 ,  高橋正人 ,  鈴木範夫 ,  池田修二 ,  田中英樹 ,  美馬宏行

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，其特征在于具有：半导体衬底；含形成在所述衬底中的沟槽和埋入在沟槽内的绝缘膜的元件隔离区；形成在所述衬底中的有源区，该有源区包括其上形成有栅绝缘膜的阱区，该栅绝缘膜上形成有栅电极，阱区包括与栅电极相对应地设置的源和漏扩散区，其中，沟槽中的埋入绝缘膜具有平面延伸到衬底中的底表面，且该埋入绝缘膜包围着有源区，该底表面延伸的深度比扩散区深；埋入绝缘膜有至少包围源和漏扩散区的凹陷的上部平表面，以防止元件隔离区所引起的晶体缺陷，所述凹陷的上部平表面的深度从衬底的平表面算起大于等于所述源和漏扩散区的杂质分布的峰值浓度的深度；沿沟槽中的埋入绝缘膜的侧面和底面形成有氮氧化物膜，该氮氧化物膜与衬底相接触。

公开(公告)号：CN100511682C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200610059879.2

申请日：2003-06-24

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社瑞萨科技

Inventor： 石塚典男 ,  岩崎富生 ,  太田裕之 ,  三浦英生 ,  高橋正人 ,  鈴木範夫 ,  池田修二 ,  田中英樹 ,  美馬宏行

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，其特征在于具有：半导体衬底；含形成在所述衬底中的沟槽和埋入在沟槽内的绝缘膜的元件隔离区；形成在所述衬底中的有源区，该有源区包括其上形成有栅绝缘膜的阱区，该栅绝缘膜上形成有栅电极，阱区包括与栅电极相对应地设置的源和漏扩散区，其中，沟槽中的埋入绝缘膜具有平面延伸到衬底中的底表面，且该埋入绝缘膜包围着有源区，该底表面延伸的深度比扩散区深；埋入绝缘膜有至少包围源和漏扩散区的凹陷的上部平表面，以防止元件隔离区所引起的晶体缺陷，所述凹陷的上部平表面的深度从衬底的平表面算起大于等于所述源和漏扩散区的杂质分布的峰值浓度的深度；沿沟槽中的埋入绝缘膜的侧面和底面形成有氮氧化物膜，该氮氧化物膜与衬底相接触。

公开(公告)号：CN103477182A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201180070255.X

申请日：2011-04-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 太田裕之 ,  芦田喜章 ,  宫岛健太郎

IPC: G01B7/16

CPC classification number: H01L41/04 ,  G01B7/18 ,  G01L1/2206 ,  G01L1/2293 ,  G01M5/0033 ,  G01M5/0083

Abstract: 本发明提供一种力学量测定装置、半导体装置、剥离感知装置以及模块。力学量测定装置(100)中，能测定作用于半导体基板(1)的力学量的测定部(7)设置在半导体基板(1)的中央部(1c)，半导体基板(1)被粘贴于被测定物并间接地测定作用于被测定物的力学量，其中，在半导体基板(1)的中央部(1c)的外侧的外周部(1e)具有形成以互相靠近的方式在至少一个位置集中的集合(5)的多个杂质扩散电阻(3a、3b、4a、4b)，形成集合(5)之一的多个杂质扩散电阻(3a、3b、4a、4b)被互相连接并形成惠斯通电桥(2a、2b)。由此，力学量测定装置(100)能够可靠地感知自身的剥离。

公开(公告)号：CN100411172C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200410081801.1

申请日：2004-12-30

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 谷江尚史 ,  久野奈柄 ,  太田裕之 ,  池田博明 ,  安生一郎 ,  片桐光昭 ,  渡边祐二

IPC: H01L25/10

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 课题在于提供可以降低动作时的温度上升的半导体器件。把接口芯片(2)叠层到叠层起来的多个半导体元件(1)的上面。在多个半导体元件(1)的下面，配置Si内插板(3)和树脂基板内插板(4)。Si内插板(3)配置在树脂内插板(4)与多个半导体元件(1)之间，厚度比半导体元件(1)的厚度更厚，而且，具有小于树脂内插板(4)的线膨胀系数，大于等于多个半导体元件(1)的线膨胀系数的线膨胀系数。

公开(公告)号：CN1306613C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02823476.6

申请日：2002-11-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石典男 ,  熊谷幸博 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  竹田敏文 ,  太田裕之

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/7846 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/7842

Abstract: 本发明的目的在于提供半导体器件及制造方法，半导体器件具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，漏极电流特性优良、可靠性高。用于实现该目的的本发明的核心在于，在形成了n沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上设置氮化硅膜，而且在p沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上仅在与沟道方向垂直的方向上设置氮化硅膜。根据本发明，可以提供电流特性优良的具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管的半导体器件。

公开(公告)号：CN1299344C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200410042010.8

申请日：1999-03-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 河野竜治 ,  北野诚 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  原田武 ,  金丸昌敏 ,  明石照久 ,  细金敦 ,  有贺昭彦 ,  伴直人

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/28

CPC classification number: G01R1/07314 ,  G01R1/06744 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2863

Abstract: 一种半导体器件的测试设备，包括：设在第一平片部分上且形成在所述第一平片部分一主表面上的凸出部，用于与被测半导体器件的电极相连；在与所述主表面相反的表面上设置的焊接点；和电连接所述凸出部和所述焊接点的导电部件，其中，所述第一平片部分上形成有凸出部的区域比其它区域易于变形，并且，其中，形成有所述凸出部的区域的第一平片部分厚度比其它区域的第一平片部分厚度薄。

公开(公告)号：CN1421932A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02152632.X

申请日：2002-11-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 熊谷幸博 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  三岛通宏 ,  中西克之

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L29/772 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10897

Abstract: 本发明的目的在于在具有使用特性相同的多个场效应晶体管的电路的半导体器件中，提供晶体管特性优良的可靠性高的半导体器件。采用在该晶体管中，把与已形成了理想的是特性相同的晶体管的有源区相邻的浅沟元件隔离的沟宽作成为相同的办法，使得归因于相邻的浅沟元件隔离而在有源区内产生的应力，在该晶体管彼此间变成为相同，因而具有可以得到相同特性晶体管的效果。

公开(公告)号：CN103477182B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201180070255.X

申请日：2011-04-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 太田裕之 ,  芦田喜章 ,  宫岛健太郎

IPC: G01B7/16

CPC classification number: H01L41/04 ,  G01B7/18 ,  G01L1/2206 ,  G01L1/2293 ,  G01M5/0033 ,  G01M5/0083

Abstract: 本发明提供一种力学量测定装置、半导体装置、剥离感知装置以及模块。力学量测定装置(100)中，能测定作用于半导体基板(1)的力学量的测定部(7)设置在半导体基板(1)的中央部(1c)，半导体基板(1)被粘贴于被测定物并间接地测定作用于被测定物的力学量，其中，在半导体基板(1)的中央部(1c)的外侧的外周部(1e)具有形成以互相靠近的方式在至少一个位置集中的集合(5)的多个杂质扩散电阻(3a、3b、4a、4b)，形成集合(5)之一的多个杂质扩散电阻(3a、3b、4a、4b)被互相连接并形成惠斯通电桥(2a、2b)。由此，力学量测定装置(100)能够可靠地感知自身的剥离。

公开(公告)号：CN101621040A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910150584.X

申请日：2009-06-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 平光真二 ,  太田裕之 ,  佐佐木康二 ,  中村真人 ,  池田靖 ,  松吉聪

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H02M7/02

CPC classification number: H01L23/051 ,  H01L23/24 ,  H01L2224/33181

Abstract: 本发明提供一种能够充分确保散热性能，且降低在接合材料中产生的热应力，由此能够抑制接合材料的热疲劳的半导体装置。在由半导体芯片、在半导体芯片的下侧经由第一接合材料接合且具有导电性的基电极、在半导体芯片的上侧经由第二接合材料接合且具有导电性的引线电极、用于降低因半导体芯片和基电极的膨胀量差产生的第一接合材料的应力的第一应力缓冲材料构成的半导体装置中，在第一接合材料的下面设置基电极和第一应力缓冲材料分别直接接触的区域。

公开(公告)号：CN1293634C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN02152632.X

申请日：2002-11-26

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 熊谷幸博 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  三岛通宏 ,  中西克之

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L29/772 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10897

Abstract: 本发明的目的在于在具有使用特性相同的多个场效应晶体管的电路的半导体器件中，提供晶体管特性优良的可靠性高的半导体器件。采用在该晶体管中，把与已形成了理想的是特性相同的晶体管的有源区相邻的浅沟元件隔离的沟宽作成为相同的办法，使得归因于相邻的浅沟元件隔离而在有源区内产生的应力，在该晶体管彼此间变成为相同，因而具有可以得到相同特性晶体管的效果。