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公开(公告)号：CN101313406B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200680043494.5
申请日：2006-11-14
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/105 , H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 在存储单元区域mmry形成以矩阵状配置多个存储元件R的存储单元阵列，所述存储元件R具有通过原子排列变化存储电阻值高的高电阻状态和电阻值低的低电阻状态的硫属元素化物材料存储层22，在逻辑电路区域lgc形成半导体集成电路，存储单元阵列和半导体集成电路混装在同一半导体衬底1上。该硫属元素化物材料存储层22由含有10.5原子％以上40原子％以下的Ga或In中的至少任意一种、和5原子％以上35原子％以下的Ge、和5原子％以上25原子％以下的Sb、和40原子％以上65原子％以下的Te的硫属元素化物材料构成。
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公开(公告)号：CN100563009C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200580015902.1
申请日：2005-05-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L47/00 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。例如，与位线(BL)平行地配置多个扩散层(L)，在扩散层(L)之间与位线(BL)交替地配置栅极(G)，对在位线(BL)方向排列的多个扩散层(L)，按照每个扩散层(L)交叉地配置位线接触件(BC)和源极节点接触件(SC)，在源极节点接触件(SC)上设置相变元件，从而由2个存储单元晶体管(Q1、Q2)和1个相变元件构成1个存储单元(MC)。另外，相变元件也能够不设置在源极节点接触件(SC)上而设置在位线接触件(BC)上。由此，例如能够实现存储单元晶体管的驱动能力的提高和面积的减小等。
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公开(公告)号：CN101292299A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200580051863.0
申请日：2005-10-17
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C7/04 , G11C13/0004 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供如下的技术：在包括使用了相变材料的存储单元的半导体器件中，使控制写入速度的置位动作高速化。采用如下方案：将施加在相变材料上的置位脉冲电压取为2级，以第一级电压使相变材料的温度成为核生成最快的温度，以第二级脉冲使之成为结晶生长最快的温度，不溶化相变材料地使其固相生长。另外，采用如下方案：在相变材料上施加的2级脉冲电压由可降低漏极电流标准离差的施加在字线上的2级电压来控制。
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公开(公告)号：CN1624803A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410098334.3
申请日：2004-12-03
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0071 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/76 , G11C2213/79
Abstract: 在非易失性相变存储器中，利用相变部的电阻变化来记录信息。如果使相变部发生焦耳热并保持为特定的温度，则成为低电阻状态，但如果此时使用恒定电压源，则由于在相变部的低电阻化的同时流过大电流，故试样被过热，成为高电阻状态。为此，难以稳定地进行相变部的低电阻化。解决方法是，控制存储单元选择用晶体管QM(MISFET)的栅电压，通过在成为低电阻状态时施加中间状态的电压来限制对试样施加的最大电流。
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公开(公告)号：CN101313406A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200680043494.5
申请日：2006-11-14
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/105 , H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 在存储单元区域mmry形成以矩阵状配置多个存储元件R的存储单元阵列，所述存储元件R具有通过原子排列变化存储电阻值高的高电阻状态和电阻值低的低电阻状态的硫属元素化物材料存储层22，在逻辑电路区域lgc形成半导体集成电路，存储单元阵列和半导体集成电路混装在同一半导体衬底1上。该硫属元素化物材料存储层22由含有10.5原子％以上40原子％以下的Ga或In中的至少任意一种、和5原子％以上35原子％以下的Ge、和5原子％以上25原子％以下的Sb、和40原子％以上65原子％以下的Te的硫属元素化物材料构成。
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公开(公告)号：CN101673754A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910178205.8
申请日：2005-05-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/24 , H01L23/528 , G11C11/40
CPC classification number: H01L47/00 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。例如，与位线(BL)平行地配置多个扩散层(L)，在扩散层(L)之间与位线(BL)交替地配置栅极(G)，对在位线(BL)方向排列的多个扩散层(L)，按照每个扩散层(L)交叉地配置位线接触件(BC)和源极节点接触件(SC)，在源极节点接触件(SC)上设置相变元件，从而由2个存储单元晶体管(Q1、Q2)和1个相变元件构成1个存储单元(MC)。另外，相变元件也能够不设置在源极节点接触件(SC)上而设置在位线接触件(BC)上。由此，例如能够实现存储单元晶体管的驱动能力的提高和面积的减小等。
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公开(公告)号：CN100521224C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610082640.7
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法。硫属化物材料与硅氧化膜的接合性差，因此出现了在相变存储器的制造工序中容易剥离的课题。另外，相变存储器复位时(非晶化)必须要将硫属化物材料加热到熔点以上，因而出现了需要非常大的重写电流的课题。为解决上述课题，在硫属化物材料层和层间绝缘膜之间、以及硫属化物材料层和插塞之间，插入兼具了接合层和高电阻层(热电阻层)的功能的、由极薄的绝缘体或半导体构成的界面层。
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公开(公告)号：CN1954429A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200580015902.1
申请日：2005-05-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L47/00 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件。例如，与位线(BL)平行地配置多个扩散层(L)，在扩散层(L)之间与位线(BL)交替地配置栅极(G)，对在位线(BL)方向排列的多个扩散层(L)，按照每个扩散层(L)交叉地配置位线接触件(BC)和源极节点接触件(SC)，在源极节点接触件(SC)上设置相变元件，从而由2个存储单元晶体管(Q1、Q2)和1个相变元件构成1个存储单元(MC)。另外，相变元件也能够不设置在源极节点接触件(SC)上而设置在位线接触件(BC)上。由此，例如能够实现存储单元晶体管的驱动能力的提高和面积的减小等。
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公开(公告)号：CN1866533A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610082640.7
申请日：2006-05-19
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/24 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法。硫属化物材料与硅氧化膜的接合性差，因此出现了在相变存储器的制造工序中容易剥离的课题。另外，相变存储器复位时(非晶化)必须要将硫属化物材料加热到熔点以上，因而出现了需要非常大的重写电流的课题。为解决上述课题，在硫属化物材料层和层间绝缘膜之间、以及硫属化物材料层和插塞之间，插入兼具了接合层和高电阻层(热电阻层)的功能的、由极薄的绝缘体或半导体构成的界面层。
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