公开(公告)号：CN102290391B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201110066789.7

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野雄一 ,  井本孝志 ,  武部直人 ,  石田胜广 ,  本田友巳 ,  熊谷靖

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01R43/00

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48476 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48992 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及半导体器件、制造半导体器件的方法以及半导体器件的制造装置。根据一个实施例，一种半导体器件包括第一半导体元件、第一电极、球部、第二电极、以及线。所述第一电极被电连接到所述第一半导体元件。所述球部被设置在所述第一电极上。所述线连接所述球部和所述第二电极。位于所述线的与所述第二电极相反的一侧的端部处的折返部的厚度小于所述线的直径。

公开(公告)号：CN102931106A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201210055038.X

申请日：2012-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野雄一 ,  武部直人

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/4554

Abstract: 本发明提供在执行引线接合时降低环形高度的引线接合装置及半导体装置的制造方法。本实施方式的引线接合装置具有：细管；接合台；使前述细管相对于前述接合台相对移动的移动机构；以及对前述移动机构进行控制的控制部。前述控制部，对插通于细管的引线，通过前述细管向第1焊盘进行第一次接合，通过前述细管使前述引线接触于设置有第2焊盘的基板的上表面中接近于前述第2焊盘的部位并按压变形，由此形成接合用的连接部。然后，前述控制部控制前述移动机构，使得将前述引线的连接部接合于前述第2焊盘。

公开(公告)号：CN1180235A

公开(公告)日：1998-04-29

申请号：CN97122703.9

申请日：1997-09-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野雄一 ,  横田昌广 ,  小岛忠洋 ,  蒲原英治

IPC: H01J29/86

CPC classification number: H01J29/861 ,  H01J29/826

Abstract: 本发明的目的在于构成既能充分确保真空外壳的耐气压强度,又能降低偏转功率和泄漏磁场的阴极射线管。对于由大致矩形的屏盘3、与该屏盘连接的漏斗状的锥体4和与该锥体的小径部分连接的圆筒状的管颈7构成的真空外壳10的阴极射线管而言,在屏盘的长轴、短轴方向上以保持长轴、短轴的非圆形形状形成与构成锥体小径部分的角部分的管轴垂直的横截面上的外表面形状,用所述长轴、短轴作为顶部以向管轴方向突出的凸曲面构成的形状形成其横截面中的内表面形状。

公开(公告)号：CN104916664A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410452797.9

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野雄一

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种可在不使外形尺寸变大的情况下进行导线接合的半导体装置及其制造方法。根据实施方式的半导体装置，其是具有回折构造者，即，该回折构造是将多个半导体芯片阶梯状地错开而积层多级，且在中途使半导体芯片的错开方向反转积层；且于在即将使所述错开方向反转前所积层的回折级半导体芯片的一面配置粘接材，在位于所述回折级半导体芯片的紧接下方的半导体芯片的端面部至少与所述粘接材接触的状态下，所述各半导体芯片进行了导线接合。对所述各半导体芯片进行导线接合时的所述粘接材的弹性模数为40Mpa以上。

公开(公告)号：CN1134816C

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN97122703.9

申请日：1997-09-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野雄一 ,  横田昌广 ,  小岛忠洋 ,  蒲原英治

IPC: H01J29/86 ,  H01J5/02

CPC classification number: H01J29/861 ,  H01J29/826

Abstract: 本发明的目的在于构成既能充分确保真空外壳的耐气压强度，又能降低偏转功率和泄漏磁场的阴极射线管。对于由大致矩形的屏盘(3)、与该屏盘连接的漏斗状的锥体(4)和与该锥体的小径部分连接的圆筒状的管颈(7)构成的真空外壳(10)的阴极射线管而言，在屏盘的长轴、短轴方向上以保持长轴、短轴的非圆形形状形成与构成锥体小径部分的角部分的管轴垂直的横截面上的外表面形状，用所述长轴、短轴作为顶部以向管轴方向突出的凸曲面构成的形状形成其横截面中的内表面形状。

公开(公告)号：CN1134815C

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN97120668.6

申请日：1997-09-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野雄一 ,  横田昌广

IPC: H01J29/86 ,  H01J29/70 ,  H01J31/20

CPC classification number: H01J29/826 ,  H01J29/861

Abstract: 即使对管壳的偏转线圈部进行角锥化，也能保证耐气压强度且可得到有效地降低偏转功率的阴极射线管。将形成于荧光屏与颈部之间并在其外部安装偏转系统的偏转线圈部14的形状在横切管轴的横剖面方向作成例如，圆筒型的非圆形形状，当设荧光屏的平面形状比为M∶N、横剖面的荧光屏垂直轴方向外径为SA、水平轴方向外径为LA及最大偏转线圈部外径为DA时，使之满足下式：(M+N)/(2(M2+N2)1/2)＜(SA+LA)/(2DA)≤0.86。

公开(公告)号：CN103199028A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210308848.1

申请日：2012-08-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井本孝志 ,  石田胜广 ,  蒋田英雄 ,  渡边昭吾 ,  佐野雄一 ,  谷本亮 ,  安藤善康 ,  武部直人 ,  岩本正次 ,  竹本康男

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能够既抑制成本又降低噪声、并且既确保金属线与焊盘的连接强度又顺畅连续地进行接合的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法，通过毛细管以及能够切换成闭合状态和打开状态的线夹，用线连接在基板上形成的基板侧电极焊盘和在芯片上形成的芯片侧电极焊盘。通过化学镀在基板侧电极焊盘的最表层形成镀金。使毛细管移动至越过线对基板侧电极焊盘接合的一次接合的位置的正上方的位置为止，接着对基板侧电极焊盘进行线的一次接合。

公开(公告)号：CN103000600A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210071044.4

申请日：2012-03-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井本孝志 ,  安藤善康 ,  谷本亮 ,  岩本正次 ,  竹本康男 ,  田口英男 ,  武部直人 ,  宫下浩一 ,  田中润 ,  石田胜广 ,  渡边昭吾 ,  佐野雄一

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/29 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L23/3135 ,  H01L23/145 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明涉及半导体装置。在一个实施例中，一种半导体装置具有基底、第一半导体芯片、电极、第一和第二连接部件以及第一和第二密封部件。所述电极被设置在所述第一半导体芯片上并包含Al。所述第一连接部件电连接所述电极和所述基底，并包含Au或Cu。所述第一密封部件密封所述第一半导体芯片和所述第一连接部件。一个或多个第二半导体芯片层叠在所述第一密封部件上。所述第二密封部件密封所述第一连接部件、所述一个或多个第二半导体芯片以及一个或多个第二连接部件。所述第一密封部件中的Cl离子和Br离子的总重量W1与所述第一密封部件和所述基底的树脂的重量W0的比率小于等于7.5ppm。

公开(公告)号：CN102290391A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110066789.7

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野雄一 ,  井本孝志 ,  武部直人 ,  石田胜广 ,  本田友巳 ,  熊谷靖

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01R43/00

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48476 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48992 ,  H01L2224/48997 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及半导体器件、制造半导体器件的方法以及半导体器件的制造装置。根据一个实施例，一种半导体器件包括第一半导体元件、第一电极、球部、第二电极、以及线。所述第一电极被电连接到所述第一半导体元件。所述球部被设置在所述第一电极上。所述线连接所述球部和所述第二电极。位于所述线的与所述第二电极相反的一侧的端部处的折返部的厚度小于所述线的直径。

公开(公告)号：CN1217378C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN02800846.4

申请日：2002-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐野雄一

IPC: H01J29/76

CPC classification number: H01J29/76 ,  H01J29/762 ,  H01J2229/7032

Abstract: 一种阴极射线管装置包含偏转线圈，该线圈包括使电子束在水平方向上偏转的水平偏转线圈。水平偏转线圈具有位于沿着管轴方向的主线圈部分，位于主线圈部分荧光屏一侧的凸缘部分，以及位于主线圈部分颈部一侧的无弯曲凸缘部分。颈侧凸缘部分的最大线圈厚度大于在颈侧凸缘部分附近的主线圈部分的最大线圈厚度。