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公开(公告)号：CN106328603B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610003814.X
申请日：2016-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/32 , G03F7/0387 , G03F7/039 , G03F7/0752 , G03F7/095 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/38 , H01L21/02282 , H01L21/0273 , H01L21/31127 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L21/76802 , H01L21/76825 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/94 , H01L2924/18162
Abstract: 一些实施例涉及用于形成封装件结构的方法并且由此形成的封装件结构。实施例方法包括：在支撑结构上沉积感光介电层；在感光介电层的表面上形成第一层；将感光介电层暴露于辐射；以及在形成第一层和暴露于辐射之后，显影感光介电层。支撑结构包括集成电路管芯。在显影期间，第一层具有与感光介电层不同的去除选择性。根据一些实施例，在显影之后可以提高感光介电层的厚度均匀性，并且可以减少因显影感光介电层导致的厚度损失。本发明实施例涉及封装件结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109690405A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780054941.5
申请日：2017-09-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/36 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/36 , C08F2800/20 , C09D133/14 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/20 , G03F7/2004 , G03F7/2006 , G03F7/322 , G03F7/38
Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1)～式(3)所示的结构单元的共聚物、交联剂、有机酸催化剂、以及溶剂。(式中，R1各自独立地表示氢原子或甲基，R2表示碳原子数1～3的亚烷基，A表示保护基，R3表示具有四元环～七元环的内酯骨架、金刚烷骨架、三环癸烷骨架或降冰片烷骨架的有机基，R4表示至少1个氢原子被氟基取代、并且还可以具有至少1个羟基作为取代基的碳原子数1～12的直链状、支链状或环状的有机基。)
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公开(公告)号：CN109143786A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811119730.8
申请日：2018-09-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法，包括1)将晶圆置于冷板上进行涂胶前冷却；2)将完成步骤1)的晶圆涂覆底部抗反射涂层，静置60～100s，然后传送至高温热板上烘烤，接着传送至冷板冷却至室温；3)对冷却至室温的晶圆进行光刻胶涂覆，然后传送到低温热板烘烤，接着传送至冷板冷却到室温，然后进行边缘曝光；4)将边缘曝光完成的晶圆转移至低温热板上进行曝光，然后烘焙，接着传送至冷板冷却至室温；5)对完成步骤4)的晶圆进行显影，显影完成后在低温热板上坚膜，接着传送至冷板冷却至室温。本发明通过晶圆在涂覆底部抗反射涂层后静置60～100s，在保证晶圆每步工艺状态的一致性的同时，减少了深亚微米光刻工艺球状缺陷的产生。
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公开(公告)号：CN108700836A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780012588.4
申请日：2017-02-23
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/40 , B32B15/088 , G03F7/037 , G03F7/038 , G03F7/38 , H01L21/312
CPC classification number: B32B15/088 , G03F7/037 , G03F7/038 , G03F7/38 , G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种树脂层与树脂层或树脂层与金属层的密合性优异的层叠体的制造方法，以及包括上述制造方法的半导体器件的制造方法。该层叠体的制造方法包括：感光性树脂组合物层形成工序，将感光性树脂组合物应用于基板而形成为层状；曝光工序，对上述感光性树脂组合物层进行曝光；显影处理工序，对上述经曝光的感光性树脂组合物层进行负型显影处理；金属层形成工序工序，在上述显影处理后的感光性树脂组合物层的表面形成金属层；及表面活性化处理，对上述金属层及感光性树脂组合物层的至少一部分进行表面活性化处理，还包括再次依次进行上述感光性树脂组合物层形成工序、上述曝光工序及上述显影处理工序，上述感光性树脂组合物包含选自聚酰亚胺前体等中的树脂，还满足上述树脂包含聚合性基团以及上述感光性树脂组合物包含聚合性化合物的情况中的至少一种。
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公开(公告)号：CN107870518A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710885362.7
申请日：2017-09-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/2004 , G03F7/30 , G03F7/38 , G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/038
Abstract: 本发明为抗蚀剂组合物和图案化方法。包括基础聚合物和含碘化芳族基团的羧酸的金属盐的抗蚀剂组合物显示出增感效果和酸扩散抑制效果并且形成具有改进的分辨率、LWR和CDU的图案，所述金属选自钠、镁、钾、钙、铷、锶、铯、钡、钴、镍、铜、锌、镉、锡、锑、锆、铪、铈、铝和铟。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107689322A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710660773.6
申请日：2017-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0274 , B08B3/08 , C11D11/0047 , G03F7/0043 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40 , G03F7/425 , G03F7/426 , G03F7/70033 , G03F7/70091 , G03F7/70233 , G03F7/70308 , H01L21/02052 , H01L21/0206 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/67051 , H01L21/0271
Abstract: 制造一半导体元件的方法。一光致抗蚀剂层涂布在一晶片上，该光致抗蚀剂层包含一含金属材料。对该光致抗蚀剂层进行极紫外线(extreme ultraviolet，EUV)光刻工艺，以形成一图案化光致抗蚀剂。以一洗净液洗净该晶片，以移除该含金属材料。该洗净液包含一溶剂，该溶剂的汉森溶解度参数(Hansen solubility parameters)delta D在13至25之间、delta P在3至25之间、及delta H在4至30之间。该溶剂含有一酸解离常数小于4的酸，或是含有一酸解离常数大于9的碱。
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公开(公告)号：CN107533298A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680023007.2
申请日：2016-04-15
Applicant: 株式会社北陆滤化
CPC classification number: C23F1/28 , C25D1/10 , C25D5/02 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/38 , H05K3/06 , H05K3/18
Abstract: 本发明提供能够在基材层的表面简单地且确实地在密合的状态下设置而形成树脂层的掩模的形成方法、利用了其的印刷配线基板的制造方法、电铸部件的制造方法和丝网印刷制版的制造方法。使含有底涂层形成剂的酸性水溶液(30)接触基材层(2)的表面，将基材层(2)表面的氧化被膜除去，并且使由此露出的基材层(2)表面活化。掩模(10)的形成方法，其在活性表面形成来自底涂层形成剂的底涂层(3)的工序；在底涂层(3)的表面设置紫外线固化活性的树脂层(1)，从而经由底涂层(3)使树脂层(1)密合于基材层(2)的表面，形成由底涂层(3)和树脂层(1)构成的紫外线固化型掩模层(31)的工序；和通过对掩模层(31)照射紫外线，使照射部位固化，并且将未固化掩模层除去而形成固化的掩模(10)。另外，利用该形成方法的印刷配线基板的制造方法、电铸部件的制造方法和丝网印刷制版的制造方法。
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公开(公告)号：CN107533288A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201580079314.8
申请日：2015-05-28
Applicant: 英特尔公司
IPC: G03F7/004 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/76816 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/095 , G03F7/2002 , G03F7/2004 , G03F7/2022 , G03F7/32 , G03F7/38 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/31144 , H01L21/76808 , H01L21/76897 , H01L23/49827
Abstract: 本发明的实施例包括光致抗蚀剂材料和图案化光致抗蚀剂材料的方法。在实施例中，光致抗蚀剂材料包括多个分子玻璃（MG）。在实施例中，光致抗蚀剂材料的玻璃转变温度Tg小于对来自MG的阻断基团去阻断所需的活化温度。实施例包括图案化光致抗蚀剂材料的方法，所述方法包括利用紫外辐射来曝光光致抗蚀剂材料。所述方法还可以包括：在第一温度处执行第一曝光后烘焙，其中所述第一温度小于对来自MG的阻断基团去阻断所需的活化温度，以及在第二温度处执行第二曝光后烘焙，所述第二温度大约等于或大于对来自MG的阻断基团去阻断所需的活化温度。
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公开(公告)号：CN107203092A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201611187173.4
申请日：2016-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/0337 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/405 , H01L21/0274 , H01L21/31144 , G03F1/56 , G03F1/76
Abstract: 一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化可图案化层。
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公开(公告)号：CN107153326A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201611178550.8
申请日：2016-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/70341 , B05D1/60 , B05D3/06 , B05D3/061 , B05D3/068 , G03F7/0042 , G03F7/038 , G03F7/11 , G03F7/167 , G03F7/2004 , G03F7/201 , G03F7/2037 , G03F7/2039 , G03F7/38 , G03F7/40 , G03F7/70325 , H01L21/02118 , H01L21/02277 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/687 , H01L21/68764
Abstract: 本发明的实施例公开了用于光刻图案化的方法。该方法包括提供衬底，在衬底上方形成沉积增强层(DEL)并且使有机气体在DEL的表面附近流动。在有机气体的流动期间，该方法还包括用图案化的辐射辐照DEL和有机气体。有机气体的元素通过图案化的辐射而聚合，从而在DEL上方形成光刻胶图案。该方法还包括用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻DEL，从而形成图案化的DEL。
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