公开(公告)号：CN104716110B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201410111967.7

申请日：2014-03-24

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 廖宗仁

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种芯片封装结构及其制造方法，该芯片封装结构包括导线架、芯片、至少一散热柱以及封装胶体。导线架包括芯片座以及多个引脚。芯片座具有至少一贯孔。引脚环绕芯片座设置。芯片设置于芯片座上并电性连接至引脚。芯片包括主动表面以及相对主动表面的背面。芯片以背面设置于芯片座上。散热柱设置于背面并穿过贯孔。封装胶体包覆芯片、至少部份引脚以及芯片座。封装胶体包括至少一开口，以暴露散热柱。一种制造此芯片封装结构的方法也被提出。

公开(公告)号：CN103681361B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310108676.8

申请日：2013-03-29

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 廖宗仁

IPC: H01L21/48

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/1111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/014

Abstract: 本揭露涉及一种微凸块(micro bump)结构的制造方法，其包含提供一基板；形成一球下冶金层于该基板中供容置锡球；设置一缓冲层于该基板上；置放一锡球于该球下冶金层上并与其接合；以及硏磨该锡球使其高度达到一预定值。

公开(公告)号：CN104716110A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410111967.7

申请日：2014-03-24

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 廖宗仁

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/48 ,  H01L24/82 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种芯片封装结构及其制造方法，该芯片封装结构包括导线架、芯片、至少一散热柱以及封装胶体。导线架包括芯片座以及多个引脚。芯片座具有至少一贯孔。引脚环绕芯片座设置。芯片设置于芯片座上并电性连接至引脚。芯片包括主动表面以及相对主动表面的背面。芯片以背面设置于芯片座上。散热柱设置于背面并穿过贯孔。封装胶体包覆芯片、至少部份引脚以及芯片座。封装胶体包括至少一开口，以暴露散热柱。一种制造此芯片封装结构的方法也被提出。

公开(公告)号：CN104617075A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410162691.5

申请日：2014-04-22

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 廖宗仁

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/433 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1626 ,  H01L2224/811 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81897 ,  H01L2224/81904 ,  H01L2224/81951 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本公开提供一种引线框架的封装结构，其包含一裸晶、一介电层、至少一导电柱、至少一引线框架以及至少一锡球。介电层设置于裸晶的表面上。至少一导电柱穿透介电层并设置该表面上。至少一引线框架设置于介电层上并与至少一导电柱间有一间隔。锡球填充该间隔并电性连接该至少一导电柱及该至少一引线框架。

公开(公告)号：CN103681386A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310099726.0

申请日：2013-03-26

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 廖宗仁

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体结构与其制造方法，特别是关于一种晶片扇出的制造方法，包含将一干膜形成一预设图案；提供一晶片，其中该晶片的接垫分布与该干膜的预设图案相对应；将该晶片的接垫表面与干膜相接触；形成一封胶体包覆该晶片；以及移除该干膜使接垫表面露出。

公开(公告)号：CN102956547A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110320424.2

申请日：2011-10-11

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 廖宗仁 ,  彭美芳 ,  黄成棠

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/535

CPC classification number: H01L23/13 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058

Abstract: 本发明提出一种半导体封装结构及其制作方法。该方法包括以下步骤：提供一具有多个贯孔的第一介电层。提供一具有多个导电通孔及一芯片容纳开口的第二介电层。将第二介电层压合于第一介电层上。将一芯片配置于芯片容纳开口中，并使芯片贴附于芯片容纳开口所暴露出的第一介电层上。芯片的一背面贴附于第一介电层上。于第二介电层上形成一重配置线路层。部分重配置线路层从第二介电层延伸至芯片的一有源表面与导电通孔上，以使芯片通过部分重配置线路层与导电通孔电性连接。于第一介电层上形成多个焊球。焊球位于贯孔内且通过导电通孔及重配置线路层而与芯片电性连接。本发明的半导体封装结构具有较佳可靠度与较小的封装厚度。

公开(公告)号：CN104637895B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201410125667.4

申请日：2014-03-31

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 廖宗仁

IPC: H01L23/367 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/525 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0236 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11418 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10158 ,  H05K1/111 ,  H05K2201/09436 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明系关于一种具有侧边散热设计的扇出封装结构，包括：一半导体基板，一焊垫位于所述半导体基板上，以及一重分布线路层连接于所述焊垫并位于所述半导体基板上方且该重分布线路层的一端往所述半导体基板的一侧壁延伸，且所述端与所述侧壁切齐。

公开(公告)号：CN103872004B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201310080343.9

申请日：2013-03-13

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 廖宗仁

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/5386 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/0756 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/49174 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种芯片结构及多芯片堆迭封装，其中芯片结构包括一芯片、至少一转接板以及多个第一连接端子。芯片具有一主动表面、相对主动表面的一背面上以及多个分别连接主动表面及背面的侧表面。芯片包括至少一配置于主动表面上的焊垫以及至少一配置于背面上的接垫。转接板实质上平行于其中一个侧表面设置。转接板包括一基材以及一配置于基材上的导线图案，且导线图案位于基材与芯片之间。第一连接端子设置于芯片与转接板之间。焊垫透过第一连接端子以及导线图案电性连接至接垫。

公开(公告)号：CN103872004A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310080343.9

申请日：2013-03-13

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 廖宗仁

IPC: H01L23/52 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/5386 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/0756 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/49174 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种芯片结构及多芯片堆迭封装，其中芯片结构包括一芯片、至少一转接板以及多个第一连接端子。芯片具有一主动表面、相对主动表面的一背面上以及多个分别连接主动表面及背面的侧表面。芯片包括至少一配置于主动表面上的焊垫以及至少一配置于背面上的接垫。转接板实质上平行于其中一个侧表面设置。转接板包括一基材以及一配置于基材上的导线图案，且导线图案位于基材与芯片之间。第一连接端子设置于芯片与转接板之间。焊垫透过第一连接端子以及导线图案电性连接至接垫。

公开(公告)号：CN103681553A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310113967.6

申请日：2013-04-03

Applicant: 南茂科技股份有限公司

Inventor： 廖宗仁

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76894 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/0657 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置，该装置包含一半导体元件具有一第一表面、与该第一表面相对的一第二表面，以及设置于该半导体元件上之一导电孔。该半导体元件包含一晶粒、设置于该第一表面上的一第一线路层、以及设置于该半导体元件之第二表面上的一第二线路层。该导电孔自该第二表面延伸且电连接该第一线路层与第二线路层，其中该导电孔两端之孔径尺寸不同且该晶粒可透过该导电孔与另一半导体装置电连接。