公开(公告)号：CN113990983B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202111243682.5

申请日：2021-10-25

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王成熙 ,  王英民 ,  赵杰 ,  王勇 ,  陈斌 ,  孙有民 ,  王清波 ,  温富刚

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/102 ,  H01L31/108

Abstract: 本发明提供一种光吸收能力强的光敏二极管及其制备方法，在晶圆表面的接触孔和受光区域中生长介质层，得到受光区域的增透膜结构；然后对介质层进行第二次接触孔光刻，得到欧姆接触孔；然后在晶圆表面溅射金属薄膜，进行第一次光刻、刻蚀工艺保留受光区域和欧姆接触孔上的顶层金属层；然后在晶圆表面淀积钝化层，并将受光区域上的钝化层去掉；然后在晶圆表面受光区域的顶层金属层进行第二次光刻、刻蚀工艺，去掉受光区域的金属薄膜，退火，得到光敏二极管，通过上述方法本发明实现调节光敏二极管受光区增透膜材料和结构的目的，从而增强光敏二极管对指定波长光线的吸收能力，提高光敏二极管的电流传输比(CTR)，最终提升光电耦合器传输特性。

公开(公告)号：CN114784131B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202210373740.4

申请日：2022-04-11

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王普昌 ,  郝立科 ,  陈斌 ,  崔祖石 ,  王雷

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/102

Abstract: 本发明公开一种光敏二极管、一种光敏运放电路及一种光敏芯片，该光敏二极管包括P型衬底，P型衬底上沉积有N型外延层，N型外延层上形成有P+基区层；P+基区层为网格结构；P+基区层上设有基区氧化层，网格结构间隙中的N型外延层上设有外延氧化层；外延氧化层的厚度大于基区氧化层的厚度；当该光敏二极管工作时，激发光敏二极管的红外光源的辐射深度小于光敏二极管的N型外延层的厚度。该一种光敏运放电路包括有上述的光敏二极管以及肖特基二极管。本发明中光敏二极管的结构以及光敏运放电路的设计有效缩小芯片面积、减小光敏芯片功耗、提高稳定性、减小传输延迟，防止输出常高功能错误、实现了高速光耦产品整体小型化、高速化、可靠性的设计。

公开(公告)号：CN115225081A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210885809.1

申请日：2022-07-26

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 武岳 ,  刘娜 ,  王漪婷 ,  倪洁茹 ,  雒宝花 ,  于洪波 ,  胡新鹏 ,  陈斌 ,  赵明 ,  张聪杰 ,  张丰

IPC: H03K21/38

Abstract: 本发明公开了一种复位脉宽可调的Timer电路及驱动器，基于CMOS工艺技术实现复位脉宽可调的有效方法，复位脉宽可调的Timer电路包括实现脉宽可调的状态指示模块、电流源模块、充放电模块和比较器模块，源极电压比较电路可以有效地让复位信号脉冲结束时间完全由Timer的比较电压与阈值的比较结果来决定，从而实现了Reset复位信号脉冲宽度可调，极大地提升了Timer计时和重置的精度，从而解决了由于传统Timer结构使用固定脉宽的Reset复位信号导致Timer在计时周期积累后可能出现误关停和异常情况漏检测的问题，提高了隔离型DC/DC电源中同步整流驱动器的可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN113992162A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111276011.9

申请日：2021-10-29

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 兰蕾 ,  魏海龙 ,  王勇 ,  陈斌

IPC: H03F1/30 ,  H03F1/26 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明公开了一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构，包括运算放大器的输入级电路，所述输入级电路中的输入差分对管采用三极管QD1和三极管QD2形成输入NPN对管；输入NPN对管的版图结构采用四管交叉结构；三极管QD1和三极管QD2的发射极与集电极之间设置有铝线，发射极与铝线的间距为5‑8μm。通过在运算放大器的输入级电路中将输入NPN对管的版图采用四管交叉(共重心)结构，版图结构上要求四管必须足够靠近并将面积裕量用来增加发射极面积以减小失调和噪声电压。本发明中利用现有NPN管设计面积，结合工艺规则，输入NPN对管的版图结构进行修正，实现国产电路辐照后参数合格。并且本发明的版图结构改进后不影响电路其他性能。

公开(公告)号：CN109301028B

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201811103152.9

申请日：2018-09-20

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 陈斌 ,  张丰 ,  王普昌 ,  崔祖石 ,  王雷

IPC: H01L31/12 ,  H01L31/0203

Abstract: 本发明公开了一种一次成型的塑封光电耦合器制作方法，首先制作塑封光电耦合器的承载结构，采用了设计成形的内部光导介质成型结构，有效地提高器件的光电耦合效率，并且无需采用改变光导介质内腔形状的多种成型模具或改变光导介质透明度的掺杂工艺以及改变引线框架金岛角度的复杂步骤，便可方便达到光电耦合器电流传输比(CTR)参数精确可调的目的，只需开发一次外壳注塑模具，即可实现光电耦合器产品的塑封化和性能参数分档精细化的要求，优化了共面光耦的光电耦合效率，解决了一次注塑模具实现光电耦合器电流传输比(CTR)精细化分档的共面封装问题，从而在降低产品模具开发成本的基础上，实现了光电耦合器的塑封化及产品性能参数精确可控的目标。

公开(公告)号：CN116126072A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310141270.3

申请日：2023-02-20

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 倪洁茹 ,  陈斌 ,  武岳 ,  丁超山 ,  刘娜 ,  于洪波 ,  张丰

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开一种可用于电压基准电路的高精度修调电路，通过偏置电路外接控制信号输入，锁定电路的输出端与熔断电路阵列的输入端连接，偏置电路的输出端分别与D触发器阵列、锁定电路及熔断电路的输入端连接，D触发器阵列的输出端与熔断电路及锁定电路的输入端连接，熔断电路的输出端与输出电压分压网络的输入端连接，输出电压分压网络输出端反馈信号与输出电压分压网络输入端连接，通过偏置电路对D触发器阵列、熔断电路阵列的控制，改变输出电压分压网络中接入的电阻，从而在保留输出电压温漂特性，噪声特性的前提下修正输出电压值。

公开(公告)号：CN114844502A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210609393.0

申请日：2022-05-31

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 武岳 ,  刘娜 ,  倪洁茹 ,  于洪波 ,  张丰 ,  陈斌 ,  赵明 ,  胡新鹏 ,  李建杨

IPC: H03L7/185

Abstract: 本发明公开了基于TIA结构有源负载的RFD电路，输入缓冲模块、分频器核心电路模块和输出缓冲模块；所述分频器核心电路模块包括有源负载，Gilbert混频器和射随器电路模块；引入新型TIA有源负载模块，这种电阻并联反馈拓扑降低了与吉尔伯特单元连接处的电阻，从而降低了开环时间常数，由于时间常数与环路增益带宽呈负相关，环路带宽随时间常数的减小而增大，整体上提升了分频器的最大工作频率，进而延展了分频器的分频范围，从而保证VCO的调谐范围和分频器的分频范围充分重叠，甚至分频范围还能远大于调谐范围。

公开(公告)号：CN113394301A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110657287.5

申请日：2021-06-11

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 陈斌 ,  谢宣蓉 ,  倪洁茹 ,  王勇

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  G02B5/08 ,  G02B1/11

Abstract: 本发明提供了一种提高光电耦合器光学特性的介质膜层制备方法及结构，基于现有主流半导体钝化膜制备工艺条件，通过对主流半导体钝化材料二氧化硅SiO2和氮化硅Si3N4光学特性的进行优化计算，本发明涉及的膜结构能够在特定红外波段范围内提高介质膜的光学特性。与现行主流钝化工艺相比较，解决了受光区钝化层整体低反射曲线无法满足范围覆盖的缺点。此外针对820nm～920nm近红外波段，可同时实现光耦接收芯片受光区的增透和非受光区的增反，在820nm～920nm波段，可将受光区平均透射率提升至96.83％同时可将非受光区的平均反射率由40％提高到77％并且拓宽了高反射率覆盖范围。针对5％～10％工艺误差，本发明设计的膜层结构具有较宽松的工艺实施性。

公开(公告)号：CN112816767A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202110217364.5

申请日：2021-02-26

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 倪洁茹 ,  陈斌 ,  时应璇 ,  王科云

IPC: G01R19/175

Abstract: 本发明公开了一种电感电流过零检测电路，包括输入级模块，输入级模块用于监测SW点的电压，并给SW点的电压附加一个超前阈值，将SW点的电压与功率地电位同时进行采集，并输出至比较级模块；比较级模块，比较级模块用于将输入级模块采集的SW点的电压与功率地电位电压进行比较，输出电感电流过零与否的比较结果至输出级模块；输出级模块，用于将比较级模块输出的信号进行整形后输出。可以防止由于系统延迟、工艺误差导致的系统非连续导通模式下的不期望的电感电流反向。

公开(公告)号：CN114710149B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202210433149.3

申请日：2022-04-22

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 武岳 ,  于洪波 ,  刘娜 ,  张丰 ,  陈斌

IPC: H03K19/0944 ,  H03L7/087

Abstract: 本发明属于电路设计领域，具体涉及一种基于反馈式电平转换技术的全N沟道耗尽型D锁存器，包括采样模块、保持模块和反馈式电平转换模块。本发明添加的的反馈式电平转换模块可以实现简单的输出可调，满足不同供电电压和输入信号的需要，同时可以解决逻辑错误，完全实现高电平采样和低电平保持的功能，为采用全N沟道耗尽型晶体管实现应用于无延迟单元的鉴频鉴相器中的D锁存器提供了新的电路结构。