公开(公告)号：CN113410138B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202110663146.4

申请日：2021-06-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 侯斌 ,  李照 ,  王晨霞 ,  王忠芳 ,  杨晓文 ,  胡长青

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/56 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种低漏电SiC肖特基二极管及其制作方法，目的是减少SiC肖特基二极管反向漏电流，降低反向阻断损耗，提高电路效率，包括以下步骤：位于碳化硅晶圆正面N+衬底上的碳化硅外延层进行光刻胶涂覆，并光刻出对版标记；在碳化硅外延层的表面淀积氧化层，通过光刻形成保护环和划片道，在保护环和划片道内进行P型离子注入，再高温退火；在保护环和划片道内淀积场氧化层，并对划片道氧化层进行腐蚀保留；在碳化硅晶圆背面退火完成欧姆接触电极；在碳化硅晶圆正面退火完成肖特基接触电极；在碳化硅晶圆正面淀积或涂覆钝化层，覆盖肖特基接触电极与场氧化层接触的边缘；在碳化硅晶圆背面进行电极金属蒸发，低漏电碳化硅肖特基二极管制作完成。

公开(公告)号：CN113410135B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202110663133.7

申请日：2021-06-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 杨晓文 ,  王健 ,  王忠芳 ,  侯斌 ,  李照 ,  胡长青 ,  王英民

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明公开了一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，包括以下过程，在P型硅衬底形成P型外延层，在P型外延层形成第一介质层；在第一介质层上进行光刻形成保护环区；对保护环区进行P型注入，形成P型掺杂区；在P型外延层的第一介质层上进行光刻形成漂移区，在漂移区上进行N型注入，形成N型掺杂区；在漂移区上通过光刻形成源漏区，再进行N型注入，形成N型掺杂区；在漂移区上进行光刻形成栅区；所述栅区贯穿漂移区，并延伸至P型外延层，在栅区中进行多次P型注入并退火，形成P型掺杂区；在漂移区内形成源极电极和漏极电极；在表面形成钝化层；在P型硅衬底的背面形成栅极电极后，完成抗辐照结型场效应晶体管。

公开(公告)号：CN113013317B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202110230268.4

申请日：2021-03-02

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李照 ,  侯斌 ,  姚军 ,  王怡鑫 ,  臧继超

IPC: H10N10/17 ,  H10N10/01 ,  G01K7/02

Abstract: 本发明提供一种具有双多晶的热电偶结构及其制作方法，包括叠层双多晶和并列双多晶的热电偶结构，叠层双多晶热电偶结构中第一硅片的上表面制作有第一N型多晶硅条，之后淀积SiO2后制作与第一N型多晶硅条在垂直方向上形成叠层的第一P型多晶硅条，最后淀积铝使两种多晶硅条形成金属接触；并列双多晶热电偶结构中第二硅片的上表面制作有第二N型多晶硅条和第二P型多晶硅条，之后直接淀积铝使这两种多晶硅条也形成金属接触；最后按照设计版图要求，按照该结构一步步制作即可得到对应的热电偶结构，通过这样的热电偶结构得到的半导体热电堆红外测温芯片提高了测温芯片的性能，降低了测温芯片的成本。

公开(公告)号：CN113394090B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202110656522.7

申请日：2021-06-11

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 何静博 ,  胡长青 ,  尚春林 ,  侯斌 ,  齐易晨

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/18 ,  C23C14/30 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种n型低电阻率的4H‑SiC欧姆接触制造方法，包括以下步骤：步骤1，将n型4H重掺杂SiC衬底进行清洗；步骤2，在n型4H重掺杂SiC衬底的背表面上淀积金属镍层；步骤3，使用LPCVD设备加热金属镍层，使得金属镍层渗入到n型4H重掺杂SiC衬底中，金属镍层中的镍金属和SiC发生化合反应，形成NixSiy和碳团簇层，完成欧姆接触。使用LPCVD设备形成SiC材料的欧姆接触，在退火过程中使得Ar气流量和腔室内真空压力值稳定可控，硅化镍/SiC系统能够在循序渐进的升温过程中从肖特基接触平稳过渡到欧姆接触，减少在复杂的硅化过程中诱生的结构缺陷，在较低的高掺杂浓度下，形成稳定、有效、均匀的NixSiy和碳团簇层硅化物，完成欧姆接触的制备过程。

公开(公告)号：CN114899222A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210699354.4

申请日：2022-06-20

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 李照 ,  侯斌 ,  杨晓文 ,  赵帆 ,  卢泽宇 ,  程鹏刚 ,  胡长青 ,  刘威 ,  臧继超

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/732 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种高压晶体管的终端结构及其制作方法，包括衬底；衬底上表面设置有外延层；外延层上光刻后进行离子注入形成基极区域；在基极区域上光刻后进行离子注入形成浓基区环；在基区上光刻后进行离子注入形成发射极区域；在基极区域和发射极区域淀积金属形成基极和发射极，在基极区域边缘设置金属场板形成场板结构；浓基区环和场板结构形成复合终端结构；衬底下表面设置有集电极。相对于常规晶体管结构，可以显著提高器件耐压及降低器件的反向漏电流。场板主要通过改变晶体管表面电势分布，使其曲面结的曲率半径增大，抑制表面电场的集中，从而提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN113410135A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202110663133.7

申请日：2021-06-15

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 杨晓文 ,  王健 ,  王忠芳 ,  侯斌 ,  李照 ,  胡长青 ,  王英民

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/808

Abstract: 本发明公开了一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，包括以下过程，在P型硅衬底形成P型外延层，在P型外延层形成第一介质层；在第一介质层上进行光刻形成保护环区；对保护环区进行P型注入，形成P型掺杂区；在P型外延层的第一介质层上进行光刻形成漂移区，在漂移区上进行N型注入，形成N型掺杂区；在漂移区上通过光刻形成源漏区，再进行N型注入，形成N型掺杂区；在漂移区上进行光刻形成栅区；所述栅区贯穿漂移区，并延伸至P型外延层，在栅区中进行多次P型注入并退火，形成P型掺杂区；在漂移区内形成源极电极和漏极电极；在表面形成钝化层；在P型硅衬底的背面形成栅极电极后，完成抗辐照结型场效应晶体管。

公开(公告)号：CN112164650A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN202011034226.5

申请日：2020-09-27

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 张飞 ,  雷应毅 ,  鲁红玲 ,  杨鹏翮 ,  侯斌

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种倒梯型槽刻蚀工艺方法，属于微电子制作工艺领域。一种倒梯型槽刻蚀工艺方法，包括：1)对硅衬底材料进行氧化，形成氧化层，在氧化层上涂布光阻按照设计版图进行光刻；2)在光刻区域采用RIE刻蚀的方法去除氧化层，直至暴露出硅衬底；3)采用感应耦合等离子刻蚀机，对硅衬底进行分步骤刻蚀，采用C4F8和SF6交替刻蚀，刻蚀完成得到具有预设深度的硅槽；之后采用SF6和O2刻蚀的方法对硅槽进行刻蚀，刻蚀完成得到倒梯型硅槽；4)刻蚀完成之后，采用湿法去除光阻和氧化层，得到硅器件。本发明的工艺方法，可以得到不同硅槽深度的倒梯型槽，满足不同的工艺需求。

公开(公告)号：CN111613531A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010456314.8

申请日：2020-05-26

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 王健 ,  鲁红玲 ,  杨晓文 ,  侯斌 ,  张志新

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/225 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种提高二极管开关速度的方法，属于微电子制作领域。本发明的提高二极管开关速度的方法，在硅片背面进行铂扩散，即在800～1100℃、惰性气体下退火30～120min，二极管的反向恢复时间在IF＝1.0A、VR＝30V时，可控制在20～80ns，在IF＝25A、VR＝160V时，可控制在25～100ns，本发明通过掺铂控制少子寿命，本发明的方法制造的硅基半导体分立器件具有开关速度快、漏电流小、可靠性高的特点。

公开(公告)号：CN119800318A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510004228.6

申请日：2025-01-02

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 何静博 ,  程鹏刚 ,  侯斌 ,  胡长青 ,  尚春林 ,  刘思成 ,  齐易晨

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明公开了一种可规模化量产硅基含铂金属的合金工艺技术方法，使用LPCVD设备，并非传统通用设备的工艺菜单调取与菜单工艺开发，由于LPCVD全称为低压化学气相淀积，主要用于淀积氧化物、氮化物、多晶硅等非金属种类的薄膜介质，非通用合金用途设备，本发明创新使用了非合金设备进行了合金技术工艺的开发，完成了针对硅基铂金属的合金工艺技术开发过程。

公开(公告)号：CN112967930B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202110169376.5

申请日：2021-02-07

Applicant: 西安微电子技术研究所

Inventor： 侯斌 ,  王怡鑫 ,  何静博 ,  李照 ,  鲁红玲

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种SiC晶圆的金属化层剥离方法，先采用腐蚀或刻蚀的方法，将已报废SiC晶圆上表面和下表面的金属层去除，SiC晶圆上表面的金属化层和下表面的金属化层裸露出来；再对SiC晶圆上表面的金属化层和下表面的金属化层在1100℃～1400℃下进行氧化处理，所述的金属化层最外侧的一部分厚度形成氧化层，之后去除该氧化层；最后重复步骤2若干次，直至SiC晶圆上表面的金属化层和下表面的金属化层去净为止，完成SiC晶圆的金属化层剥离，有效解决目前SiC器件在金属化层加工不理想时，SiC晶圆报废的问题。