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公开(公告)号：CN119070806A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411153380.2
申请日：2024-08-21
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H03K19/0175 , H03K17/22
Abstract: 本申请公开了一种消除断电期间误指令输出的电路及应用，属于空间嵌入式计算机应用领域，该电路包括处理器、逻辑控制芯片、双电源电平转换驱动器、复位电路、反相器和DC/DC电源转换模块；通过在逻辑控制芯片后级设计双电源电平转换器，通过复位电路控制双电源电平转换器的使能端，使得在产品下电过程中，双电源电平转换器处于无效态，此时该器件输出端引脚均处于高阻态，起到阻断信号传输的目的，可以有效地防止掉电期间逻辑控制芯片产生的误指令输出到下一级，进而不会影响到后级设备。该电路能有效地消除掉电期间误指令带来的风险及可能造成系统，甚至整星故障的风险，增强了产品的抗干扰能力，提高了产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN119011321A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410960834.0
申请日：2024-07-17
Applicant: 西安微电子技术研究所 , 西北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SRIO总线的高速数据流装置及工作方法，包括高速接口板外接高速相机、图线处理节点和数据计算节点，均与16路1X SRIO交换网络相连接；16路1X SRIO交换网络连接低速接口板；低速接口板外接接收设备；高速接口板对所接收的图像数据进行打包，并发送至SRIO交换网络；SRIO交换网络将所接收的图像数据包分发至图像处理节点和数据计算节点进行处理，SRIO交换网络将最终的处理结果通过低速接口板输出低速实时信息，低速实时信息进入接收设备。本发明将计算机内部数据输入接口和多个计算节点连接，可实现任意节点间的数据交互，使得高性能计算机的计算资源能够灵活配置，计算节点间无阻塞通信，有效提高计算机的应用效能。
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公开(公告)号：CN117406820A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311438419.0
申请日：2023-10-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于电子器件领域，公开了一种零极点负载跟随补偿的低压差线性稳压器及其电路，包括低压差线性稳压器电路以及相互连接的电流采样电路和阻容网络电路；电流采样电路与低压差线性稳压器电路的电源端以及低压差线性稳压器电路的误差放大器的输出端均连接；阻容网络电路与低压差线性稳压器电路的误差放大器的负输入端、低压差线性稳压器电路的输出端以及低压差线性稳压器电路的两个反馈电阻的连接线均连接。实现补偿位置随负载自适应变化，调节自由度高，即便在误差放大器主极点附近存在其它额外的零极点加速电路相位下降，也会由于负载跟随补偿的相位起点位于0°附近，使得所能兼容的相位或增益衰减范围更大，保证系统的稳定。
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公开(公告)号：CN116466783A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310287809.6
申请日：2023-03-22
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种双极带隙基准结构及工作方法，属于电源管理领域，具体属于模拟集成电路领域，通过采用两个相同的PNP晶体管，可产生相等的支路电流，从而使得两个NPN晶体管的集电极电流相等，生成的与温度正相关的电流，在流经电阻R2，产生与温度正相关电压，将与温度正相关电压与PNP晶体管Q2的VBE结压降叠加，得到并输出不受电源电压变化影响的带隙基准电压；本结构设计简单，能够减小电流镜失配的影响，具有功耗低、可靠性好、适应双极型工艺、芯片面积小、低成本的特点，提高了基准电压源电路的应用适用性，并且可广泛应用在各种电源类管理和驱动类芯片中，具有良好的应用前景和经济效益。
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公开(公告)号：CN109474246B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201811291283.4
申请日：2018-10-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了电压箝位保护单元、电路及包含保护电路的运算放大器，包括晶体管Q23，晶体管Q23的集电极与晶体管Q25的集电极连接，晶体管Q25的发射极与正电源VS+连接，晶体管Q25的基极与晶体管Q26的基极连接，晶体管Q25的基极与集电极连接；晶体管Q26的发射极与正电源VS+连接，集电极与二极管D3的负极连接且用于连接晶体管Q1的集电极，二极管D3的正极与结型场效应管PJFET1的源极连接；结型场效应管PJFET1的漏极与负电源VS‑连接，栅极用于连接输入晶体管Q1的发射极。采用二合一箝位结构对输入晶体管进行箝位，在与现有工艺完全兼容的前提下，实现晶体管小偏置电流高放大倍数的需求，既不影响电路性能，避免了难度较大的工艺开发所带来的风险。
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公开(公告)号：CN113394301A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110657287.5
申请日：2021-06-11
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , G02B5/08 , G02B1/11
Abstract: 本发明提供了一种提高光电耦合器光学特性的介质膜层制备方法及结构，基于现有主流半导体钝化膜制备工艺条件，通过对主流半导体钝化材料二氧化硅SiO2和氮化硅Si3N4光学特性的进行优化计算，本发明涉及的膜结构能够在特定红外波段范围内提高介质膜的光学特性。与现行主流钝化工艺相比较，解决了受光区钝化层整体低反射曲线无法满足范围覆盖的缺点。此外针对820nm～920nm近红外波段，可同时实现光耦接收芯片受光区的增透和非受光区的增反，在820nm～920nm波段，可将受光区平均透射率提升至96.83％同时可将非受光区的平均反射率由40％提高到77％并且拓宽了高反射率覆盖范围。针对5％～10％工艺误差，本发明设计的膜层结构具有较宽松的工艺实施性。
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公开(公告)号：CN112035384A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010888482.4
申请日：2020-08-28
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种星载信息处理系统、方法、设备及可读存储介质，属于星载平台管理和载荷数据管理领域。基于柔性变更的系统架构和总线转换模块远程控制，构建出一种灵活度高、伸缩性强、具备动态组装特性的星载信息处理系统。本发明的星载信息处理系统具备可拉伸的特点，可以根据系统的需求，将各处理节点的分布以一种最适合的形态进行拉伸，贴合系统需求，同时在拉伸过程中，系统的软件配置不需进行更改，电子系统仍能保持电路连接的稳定性，能够广泛用于卫星平台及载荷管理。
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公开(公告)号：CN109634343B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910091058.4
申请日：2019-01-30
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟集成片上二次电源技术领域，具体涉及一种以带隙基准电路为核心的片上二次电源供电电路，以带隙基准为核心结构，通过比例电阻将带隙基准电压放大到其需要的二次电源电压，并在其基础上增加驱动线路模块，得到具有一定驱动能力的二次电源供电电路。该实现电路结构简单、易于在各种工艺上移植，该结构可适配多种应用条件，并具有较好的温度系数，满足在极端温度条件下正常工作的需求。
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公开(公告)号：CN106771476B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201611056816.1
申请日：2016-11-25
Applicant: 西安微电子技术研究所
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明一种高压电流监控电路，包括第一运放和第二运放；第一运放连接母线电压和正电源供电，第一运放包括连接在母线电压和负电源之间的分压电路；第一运放的同相输入端和反相输入端分别通过电阻R1和电阻R2连接在高边采样电阻的两端，第一运放的输出端连接输出达林顿管的基极，第一运放的分压输出端分别连接对应的分压达林顿管的基极，分压达林顿管依次级联在第一运放的同相输入端和输出达林顿管的集电极之间，输出达林顿管的发射极经电阻R3接地；第二运放连接第一运放的分压输出端和正电源供电；第二运放的同相输入端连接输出达林顿管的发射极；反相输入端分别经电阻R4接地，经电阻R5连接第二运放的输出端；输出端输出监控信号。
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公开(公告)号：CN109474246A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811291283.4
申请日：2018-10-31
Applicant: 西安微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了电压箝位保护单元、电路及包含保护电路的运算放大器，包括晶体管Q23，晶体管Q23的集电极与晶体管Q25的集电极连接，晶体管Q25的发射极与正电源VS+连接，晶体管Q25的基极与晶体管Q26的基极连接，晶体管Q25的基极与集电极连接；晶体管Q26的发射极与正电源VS+连接，集电极与二极管D3的负极连接且用于连接晶体管Q1的集电极，二极管D3的正极与结型场效应管PJFET1的源极连接；结型场效应管PJFET1的漏极与负电源VS-连接，栅极用于连接输入晶体管Q1的发射极。采用二合一箝位结构对输入晶体管进行箝位，在与现有工艺完全兼容的前提下，实现晶体管小偏置电流高放大倍数的需求，既不影响电路性能，避免了难度较大的工艺开发所带来的风险。
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