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公开(公告)号:CN101668880B
公开(公告)日:2011-03-09
申请号:CN200880013501.6
申请日:2008-04-23
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: C23C18/1651 , C23C18/1837 , C23C18/42 , C23C18/54 , H01L21/4846 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L23/498 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/544 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81121 , H01L2224/81801 , H01L2224/83385 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01061 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K3/244 , H05K2203/072 , H05K2203/073 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/20752 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明改善具有置换镀金膜的连接端子的连接可靠性。一种连接端子,具有:导体层;非电解镀镍膜;第一镀钯膜,其是纯度为99质量%以上的置换镀钯膜或非电解镀钯膜;第二镀钯膜,其是纯度为90质量%以上且小于99质量%的非电解镀钯膜;置换镀金膜,其中,非电解镀镍膜、第一镀钯膜、第二镀钯膜及置换镀金膜依次层叠在导体层的一面侧,置换镀金膜位于与导体层相反侧的最表层。
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公开(公告)号:CN102498238B
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201080041044.9
申请日:2010-09-13
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: B22F9/26 , B22F1/02 , B22F9/22 , B22F9/24 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2302/25 , B22F2999/00 , B32B15/01 , C22C5/04 , C22C9/00 , H01B1/026 , H05K1/097 , H05K3/105 , H05K3/1283 , H05K2201/0224 , H05K2201/0272 , H05K2203/0315 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , Y10T156/10 , Y10T428/12903 , B22F2201/013 , B22F2202/13
Abstract: 本发明提供基板粘附性、低体积电阻率、深部金属性优良的金属铜膜、及能够在不损伤基板的情况下还原至深部来制造该金属铜膜的金属铜膜的制造方法。该金属铜膜的特征在于,其是通过将铜系粒子堆积层用加热到120℃以上的气体状的甲酸和/或甲醛进行处理而形成的,所述铜系粒子堆积层同时含有铜氧化物、和金属状的过渡金属或合金或者包含金属元素的过渡金属配合物。作为所述铜氧化物,优选为氧化亚铜和/或氧化铜;作为所述过渡金属、合金、或金属配合物,分别优选为选自由Cu、Pd、Pt、Ni、Ag、Au及Rh组成的组中的金属、或包含该金属的合金、或包含该金属元素的配合物。
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公开(公告)号:CN102498238A
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN201080041044.9
申请日:2010-09-13
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: B22F9/26 , B22F1/02 , B22F9/22 , B22F9/24 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2302/25 , B22F2999/00 , B32B15/01 , C22C5/04 , C22C9/00 , H01B1/026 , H05K1/097 , H05K3/105 , H05K3/1283 , H05K2201/0224 , H05K2201/0272 , H05K2203/0315 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , Y10T156/10 , Y10T428/12903 , B22F2201/013 , B22F2202/13
Abstract: 本发明提供基板粘附性、低体积电阻率、深部金属性优良的金属铜膜、及能够在不损伤基板的情况下还原至深部来制造该金属铜膜的金属铜膜的制造方法。该金属铜膜的特征在于,其是通过将铜系粒子堆积层用加热到120℃以上的气体状的甲酸和/或甲醛进行处理而形成的,所述铜系粒子堆积层同时含有铜氧化物、和金属状的过渡金属或合金或者包含金属元素的过渡金属配合物。作为所述铜氧化物,优选为氧化亚铜和/或氧化铜;作为所述过渡金属、合金、或金属配合物,分别优选为选自由Cu、Pd、Pt、Ni、Ag、Au及Rh组成的组中的金属、或包含该金属的合金、或包含该金属元素的配合物。
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公开(公告)号:CN101836268A
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:CN200880112547.3
申请日:2008-10-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01B13/00 , H01B1/00 , H01B1/22 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H05K3/10
CPC classification number: H05K3/102 , H01B1/026 , H01B1/22 , H01L21/4867 , H01L23/49866 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K3/105 , H05K2203/0315 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , Y10T428/12181 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种低电阻的铜配线图案形成方法以及用于其中的氧化铜粒子分散液,其在几乎不使用铜粒子的耐氧化、分散所必须的表面处理剂的情况下,使用电迁移少、材料自身的单价便宜的铜粒子,能够抑制断裂发生。该铜配线图案形成方法的特征在于,其包含下述工序:使用分散有铜系粒子的分散液在基板上形成任意图案的工序,所述铜系粒子具有氧化铜表面;以及利用原子状氢将所述图案中的铜系粒子表面的氧化铜还原成铜,并使还原而生成的铜金属粒子彼此烧结在一起的工序。
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公开(公告)号:CN102576693A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201080039774.5
申请日:2010-09-06
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H05K3/244 , H01L21/4857 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H05K3/062 , H05K3/108 , H05K3/4644 , H05K3/4652 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T29/49165 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于,提供即使在形成微细配线的情况下也能够使桥接的发生减少并且能够获得优异的引线接合性和焊料连接可靠性的半导体芯片搭载用基板的制造方法。本发明的半导体芯片搭载用基板的制造方法具有:抗蚀层形成工序,其在具有内层板和第1铜层的层叠体中的第1铜层上,除了应成为导体电路的部分以外形成抗蚀层,所述内层板在表面具有内层电路,所述第1铜层相隔绝缘层设置在内层板上;导体电路形成工序,其通过电解镀铜在第1铜层上形成第2铜层,得到导体电路;镍层形成工序,其通过电解镀镍在导体电路上的至少一部分形成镍层;抗蚀层除去工序,其将抗蚀层除去;蚀刻工序,其通过蚀刻将第1铜层除去;和金层形成工序,其通过非电解镀金在导体电路上的至少一部分形成金层。
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公开(公告)号:CN101903959A
公开(公告)日:2010-12-01
申请号:CN200880121523.4
申请日:2008-12-17
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H05K3/182 , C23C18/1601 , C23C18/1603 , C23C18/1633 , C23C18/1635 , C23C18/1637 , C23C18/1824 , C23C18/1872 , C23C18/30 , C23C18/40 , H01L24/29 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/29294 , H01L2224/29347 , H01L2224/8384 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/19043 , H01L2924/203 , H05K3/105 , H05K3/1241 , H05K2203/0315 , H05K2203/0709 , H05K2203/1157 , H05K2203/125 , Y10T428/12014 , Y10T428/12903 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明提供一种导电性及布线图案形成优良的、即使布线宽度及布线间空间变窄电路间的绝缘也不降低的铜导体膜及其制造方法、以及图案形成的铜导体布线。是采用在同一溶液中含有使铜氧化物离子化或络合化的药剂、和将铜离子或铜络合物还原成金属铜的还原剂的处理液,对同时含有相对于还原剂具有催化活性的金属、和铜氧化物而成的含铜系粒子层进行处理而成的导体膜及其制造方法,并且是通过印刷图案形成有含铜系粒子层、并通过采用同时在同一溶液中含有使铜氧化物离子化或络合化的药剂、和将铜离子或铜络合物还原成金属铜的还原剂的溶液的处理方法对该图案形成的含粒子层进行处理而得到的铜导体布线。
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公开(公告)号:CN104475758A
公开(公告)日:2015-04-01
申请号:CN201410616539.X
申请日:2010-09-13
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: B22F9/26 , B22F1/02 , B22F9/22 , B22F9/24 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2302/25 , B22F2999/00 , B32B15/01 , C22C5/04 , C22C9/00 , H01B1/026 , H05K1/097 , H05K3/105 , H05K3/1283 , H05K2201/0224 , H05K2201/0272 , H05K2203/0315 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , Y10T156/10 , Y10T428/12903 , B22F2201/013 , B22F2202/13
Abstract: 本发明提供能形成基板粘附性、低体积电阻率、深部金属性优良的金属铜膜和金属铜图案的液状组合物。其含有铜氧化物、和金属状的过渡金属或合金或者包含金属元素的过渡金属配合物、及25℃下的蒸气压小于1.34×103Pa的溶剂,所述铜氧化物、和金属状的过渡金属或合金或者包含金属元素的过渡金属配合物被分散为其平均分散粒径成为500nm以下且最大分散粒径成为2μm以下,所述铜氧化物的含量相对于所述铜氧化物、和金属状的过渡金属或合金或者包含金属元素的过渡金属配合物、及溶剂的总量100体积份为1~80体积份,所述过渡金属、合金、或过渡金属配合物分别为选自由Cu、Pd、Pt、Ag、Au及Rh组成的组中的金属、或包含该金属的合金、或包含该金属元素的配合物。
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公开(公告)号:CN101668880A
公开(公告)日:2010-03-10
申请号:CN200880013501.6
申请日:2008-04-23
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: C23C18/1651 , C23C18/1837 , C23C18/42 , C23C18/54 , H01L21/4846 , H01L21/561 , H01L23/3128 , H01L23/498 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/544 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32057 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81121 , H01L2224/81801 , H01L2224/83385 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01061 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01088 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H05K3/244 , H05K2203/072 , H05K2203/073 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/20752 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明改善具有置换镀金膜的连接端子的连接可靠性。一种连接端子,具有:导体层;非电解镀镍膜;第一镀钯膜,其是纯度为99质量%以上的置换镀钯膜或非电解镀钯膜;第二镀钯膜,其是纯度为90质量%以上且小于99质量%的非电解镀钯膜;置换镀金膜,其中,非电解镀镍膜、第一镀钯膜、第二镀钯膜及置换镀金膜依次层叠在导体层的一面侧,置换镀金膜位于与导体层相反侧的最表层。
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公开(公告)号:CN101903959B
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN200880121523.4
申请日:2008-12-17
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H05K3/182 , C23C18/1601 , C23C18/1603 , C23C18/1633 , C23C18/1635 , C23C18/1637 , C23C18/1824 , C23C18/1872 , C23C18/30 , C23C18/40 , H01L24/29 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/29294 , H01L2224/29347 , H01L2224/8384 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/0106 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/19043 , H01L2924/203 , H05K3/105 , H05K3/1241 , H05K2203/0315 , H05K2203/0709 , H05K2203/1157 , H05K2203/125 , Y10T428/12014 , Y10T428/12903 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明提供一种导电性及布线图案形成优良的、即使布线宽度及布线间空间变窄电路间的绝缘也不降低的铜导体膜及其制造方法、以及图案形成的铜导体布线。是采用在同一溶液中含有使铜氧化物离子化或络合化的药剂、和将铜离子或铜络合物还原成金属铜的还原剂的处理液,对同时含有相对于还原剂具有催化活性的金属、和铜氧化物而成的含铜系粒子层进行处理而成的导体膜及其制造方法,并且是通过印刷图案形成有含铜系粒子层、并通过采用同时在同一溶液中含有使铜氧化物离子化或络合化的药剂、和将铜离子或铜络合物还原成金属铜的还原剂的溶液的处理方法对该图案形成的含粒子层进行处理而得到的铜导体布线。
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公开(公告)号:CN102549086A
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201080041561.6
申请日:2010-09-13
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: C09D11/52 , C09D11/322 , H05K1/097
Abstract: 本发明提供一种印刷法用油墨,其含有包含Cu和/或CuO的金属纳米粒子,该印刷法用油墨不使用分散剂等添加剂就可获得良好的分散性和连续的分散稳定性。本发明的印刷法用油墨含有包含Cu和/或CuO的金属纳米粒子,并且离子性杂质量在总固体成分中为2600ppm以下。本发明的印刷法用油墨可以通过将包含Cu和/或CuO的金属纳米粒子分散于分散介质中而得到,所述金属纳米粒子的离子性杂质量在总固体成分中为2600ppm以下。
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