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公开(公告)号：CN105977143B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201610524236.4
申请日：2011-01-25
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/223 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种用于形成p型扩散层的组合物和方法，以及一种用于制备光伏电池的方法。所述组合物在使用硅基板制备光伏电池的工艺过程中能够形成p型扩散层，而不引起硅基板中的内应力和基板的翘曲。根据本发明的用于形成p型扩散层的组合物含有含受体元素的玻璃粉末和分散介质。p型扩散层和具有p型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成p型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。
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公开(公告)号：CN102169738B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201110031097.9
申请日：2011-01-25
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01B1/22 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2225 , H01L21/223 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种用于形成p型扩散层的组合物和方法，以及一种用于制备光伏电池的方法。所述组合物在使用硅基板制备光伏电池的工艺过程中能够形成p型扩散层，而不引起硅基板中的内应力和基板的翘曲。根据本发明的用于形成p型扩散层的组合物含有含受体元素的玻璃粉末和分散介质。p型扩散层和具有p型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成p型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。
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公开(公告)号：CN106158603A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610345273.9
申请日：2011-01-25
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/2255 , H01L21/2225 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L21/22 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种用于形成n型扩散层的组合物和方法，以及制备广泛电池的方法。所述组合物能够在使用硅基板的光伏电池的制造工艺中，在基板的某个部分上形成n型扩散层，而且不形成不必要的n型扩散层。根据本发明的用于形成n型扩散层的组合物包含含给体元素的玻璃粉末和分散介质。n型扩散层和具有n型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成n型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。
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公开(公告)号：CN104835724A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510193767.5
申请日：2011-01-25
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L31/18 , H01L31/068 , H01L21/22
Abstract: 本发明提供一种用于形成p型扩散层的组合物和方法，以及一种用于制备光伏电池的方法。所述组合物在使用硅基板制备光伏电池的工艺过程中能够形成p型扩散层，而不引起硅基板中的内应力和基板的翘曲。根据本发明的用于形成p型扩散层的组合物含有含受体元素的玻璃粉末和分散介质。p型扩散层和具有p型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成p型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。
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公开(公告)号：CN104810258A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510194303.6
申请日：2011-01-25
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L31/0224 , H01L31/18 , C03C12/00 , H01B1/22
CPC classification number: H01L21/2255 , H01L21/2225 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , H01L31/022425 , H01L31/0236
Abstract: 本发明提供一种用于形成n型扩散层的组合物和方法，以及制备广泛电池的方法。所述组合物能够在使用硅基板的光伏电池的制造工艺中，在基板的某个部分上形成n型扩散层，而且不形成不必要的n型扩散层。根据本发明的用于形成n型扩散层的组合物包含给体元素的玻璃粉末和分散介质。n型扩散层和具有n型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成n型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102844841A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180018421.1
申请日：2011-04-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/225 , C03C8/18 , H01L31/04
CPC classification number: H01L21/2255 , C03C8/18 , H01L21/2225 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种n型扩散层形成组合物，其含有包含施主元素的玻璃粉末和分散介质。上述玻璃粉末含有含施主元素物质和玻璃成分物质。上述玻璃粉末中的上述含施主元素物质的含有比率为1质量％以上80质量％以下。通过涂布该n型扩散层形成组合物并实施热扩散处理，可制造n型扩散层及具有n型扩散层的太阳能电池元件。
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公开(公告)号：CN1746255A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510108259.9
申请日：2002-02-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
CPC classification number: C09K3/1454 , C01F17/0043 , C01G25/00 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/31053
Abstract: 本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用CMP技术的抛光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是下列之一：(1)从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为3～6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1～300纳米的铈化合物，(2)四价金属氧化物。使用这种抛光剂抛光的抛光方法，活用抛光剂中粒子的化学作用并且尽量减小机械作用，藉此能够兼容粒子引起的抛光损伤减少和抛光速度提高。
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公开(公告)号：CN102870197B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180020190.8
申请日：2011-04-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L21/22 , H01L21/225 , C03C3/097 , C03C8/18
CPC classification number: H01L31/0288 , C03C3/097 , C03C8/18 , H01L21/04 , H01L21/22 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/022425 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的n型扩散层形成组合物含有：含给体元素并且寿命扼杀剂元素的总量为1000ppm以下的玻璃粉末；和分散介质。通过涂布该n型扩散层形成组合物，实施热扩散处理，从而制造n型扩散层和具有n型扩散层的太阳能电池元件。
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公开(公告)号：CN104916531A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510227944.7
申请日：2011-04-22
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/225 , C03C8/18 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0288 , C03C3/097 , C03C8/18 , H01L21/04 , H01L21/22 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/022425 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的n型扩散层形成组合物含有：含给体元素并且寿命扼杀剂元素的总量为1000ppm以下的玻璃粉末；和分散介质。通过涂布该n型扩散层形成组合物，实施热扩散处理，从而制造n型扩散层和具有n型扩散层的太阳能电池元件。
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公开(公告)号：CN104900724A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510193638.6
申请日：2011-01-25
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L31/0224 , C03C12/00 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种用于形成n型扩散层的组合物和方法，以及制备广泛电池的方法。所述组合物能够在使用硅基板的光伏电池的制造工艺中，在基板的某个部分上形成n型扩散层，而且不形成不必要的n型扩散层。根据本发明的用于形成n型扩散层的组合物包含含给体元素的玻璃粉末和分散介质。n型扩散层和具有n型扩散层的光伏电池通过下列方法制备：涂敷用于形成n型扩散层的组合物，随后进行热扩散处理。
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