公开(公告)号：CN117276279A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311112733.X

申请日：2023-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 尤韦翔 ,  何韦德 ,  洪昕扬 ,  林孟佑 ,  黄祥鸿 ,  郑存甫 ,  胡宽侃 ,  陈思桦 ,  吴亭昀 ,  曾威程 ,  林威呈 ,  王振印 ,  黄瑞乾 ,  廖思雅

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：形成第一晶体管和堆叠在第一晶体管上的第二晶体管；形成与第一晶体管和第二晶体管相邻的第一开口；在第一开口中形成栅极隔离层；在栅极隔离层上形成导电层，导电层位于第一开口中；在导电层中形成切口区域；在切口区域中的导电层上形成介电层；形成与第二晶体管和导电层接触的前侧源极/漏极接触件；以及形成与第一晶体管和导电层接触的背侧源极/漏极接触件。本发明的实施例还提供了半导体器件。

公开(公告)号：CN112687678A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011110451.2

申请日：2020-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡庆威 ,  黄禹轩 ,  程冠伦 ,  李韦儒 ,  郑存甫 ,  吴忠纬

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822

Abstract: 一种集成电路(integrated circuit,IC)，其包括形成在半导体基底上的电路；以及形成在半导体基底上并与电路整合的去耦电容(decouple capacitance,de‑cap)元件。去耦电容元件包括场效应晶体管(field‑effect transistor,FET)，其还包括透过接触部件连接的源极和漏极，其接触部件分别坐落在源极和漏极上；于通道上方并插入源极和漏极之间的栅极堆叠；以及设置于通道下方并连接至源极和漏极的掺杂部件，其中掺杂部件以源极和漏极相同类型的杂质掺杂。

公开(公告)号：CN115064491A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210429959.1

申请日：2022-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李韦儒 ,  郑存甫 ,  吴忠纬 ,  吴志强

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置，包括具有鳍状物的基板；第一源极/漏极结构，其包括第一外延层接触第一鳍状物、第二外延层位于第一外延层上、第三外延层位于第二外延层上且包括中心部分与高于中心部分的边缘部分、以及第四外延层位于第三外延层上；第二源极/漏极结构，与第一源极/漏极结构相邻并包括第一外延层接触第二鳍状物、第二外延层位于第二源极/漏极结构的第一外延层上、第三外延层位于该第二源极/漏极结构的第二外延层上且包括中心部分与高于第三外延层的中心部分的边缘部分。

公开(公告)号：CN114975260A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210285956.5

申请日：2022-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李韦儒 ,  林志昌 ,  郑存甫 ,  吴忠纬 ,  吴志强

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括基板；第一半导体通道与第二半导体通道，位于基板上且横向分开。栅极结构覆盖并包覆第一与第二半导体通道。第一源极/漏极区邻接栅极结构的第一侧上的第一半导体通道，且第二源极/漏极区邻接栅极结构的第一侧上的第二半导体通道。隔离结构位于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间与之下，且隔离结构包括第一隔离区接触第一源极/漏极区与第二源极/漏极区的下表面；以及第二隔离区接触该第一源极/漏极区与第二源极/漏极区的侧壁，且自第一隔离区的下表面延伸至第一源极/漏极区与第二源极/漏极区的上表面。

公开(公告)号：CN102468240B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110243091.8

申请日：2011-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴志强 ,  许义明 ,  余宗兴 ,  程冠伦 ,  曹志彬 ,  陈文园 ,  郑存甫 ,  王志庆

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575

Abstract: 一种形成集成电路的方法，包括形成多个沿着第一方向纵向地排布在衬底上方的栅极结构。对衬底实施多个角度离子注入。每个角度离子注入具有各自的关于第二方向的注入角度。第二方向基本上与衬底的表面平行并且基本上与第一方向垂直。每个所述注入角度都基本上大于0°。

公开(公告)号：CN113363257B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202110480240.6

申请日：2021-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖翊博 ,  黄禹轩 ,  李韦儒 ,  陈豪育 ,  郑存甫

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 根据本发明的半导体器件包括第一互连结构、在第一互连结构上方的第一晶体管、在第一晶体管上方的第二晶体管以及在第二晶体管上方的第二互连结构。该第一晶体管包括第一纳米结构和与第一纳米结构邻接的第一源极区。该第二晶体管包括第二纳米结构和与第二纳米结构邻接的第二源极区。该第一源极区耦接到第一互连结构中的第一电源轨，并且该第二源极区耦接到第二互连结构中的第二电源轨。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN114792662A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210172776.6

申请日：2022-02-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李韦儒 ,  郑存甫 ,  吴忠纬 ,  吴志强

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置包括有源区位于半导体基板。有源区沿着第一方向延伸。半导体装置亦包括栅极结构位于有源区上。栅极结构沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。此外，栅极结构接合有源区上的通道。装置还包括源极/漏极结构位于有源区上并与通道相连。源极/漏极结构在半导体基板上的投影符合六边形。

公开(公告)号：CN112750777A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202010842526.X

申请日：2020-08-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖翊博 ,  李韦儒 ,  锺政庭 ,  陈豪育 ,  郑存甫 ,  程冠伦

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法。半导体结构包括基板；第一垂直结构与第二垂直结构形成于基板上；以及导电轨结构，位于第一垂直结构与第二垂直结构之间。导电轨结构的上表面与第一垂直结构及第二垂直结构的上表面实质上共平面。

公开(公告)号：CN116435305A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202310185373.X

申请日：2023-03-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林孟佑 ,  王薏涵 ,  郑存甫 ,  王振印 ,  廖翊博 ,  廖思雅

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种集成电路包括互补场效应晶体管(CFET)。CFET包括第一晶体管，该第一晶体管具有对应于第一晶体管的沟道区域的第一半导体纳米结构和围绕第一半导体纳米结构的第一栅极金属。CFET包括第二晶体管，该第二晶体管包括位于第一半导体纳米结构之上的第二半导体纳米结构和围绕第二半导体纳米结构的第二栅极金属。CFET包括位于第一半导体纳米结构和第二半导体纳米结构之间的隔离结构。本发明的实施例还提供了形成集成电路的方法。

公开(公告)号：CN112750778A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011001155.9

申请日：2020-09-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林孟佑 ,  郑存甫 ,  吴忠纬 ,  吴志强

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开实施例说明半导体结构的形成方法，包括形成虚置栅极结构于基板上；形成第一间隔物于虚置栅极结构的侧壁上，并形成第二间隔物于第一间隔物上；形成源极/漏极结构于基板上；移除第二间隔物；形成介电结构于源极/漏极结构上；将虚置栅极结构置换为金属栅极结构与金属栅极结构上的盖结构；以及形成开口于介电结构中。开口露出源极/漏极结构。方法亦包括形成虚置间隔物于开口的侧壁上；形成接点结构于开口中；以及移除虚置间隔物以形成气隙于接点结构与金属栅极结构之间。接点结构接触开口中的源极/漏极结构。