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公开(公告)号：CN113178486B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202011629012.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 根据本发明实施例的半导体器件包括：抗穿通(APT)区，位于衬底上方；多个沟道构件，位于抗穿通区上方；栅极结构，围绕多个沟道构件中的每一者；源极/漏极部件，邻近栅极结构；以及扩散延迟层。源极/漏极部件通过扩散延迟层与抗穿通区间隔开。源极/漏极部件通过扩散延迟层与多个沟道构件中的每一者间隔开。扩散延迟层是半导体材料。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113517281B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202110294664.3
申请日：2021-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体结构包括电源轨、位于电源轨上的第一源极/漏极导电部件、连接电源轨与第一源极/漏极导电部件的沟道；位于第一源极/漏极导电部件上的隔离部件，以及位于隔离部件上的第二源极/漏极导电部件，其中第一源极/漏极导电部件和第二源极/漏极导电部件的导电类型相反。本申请的实施例提供了半导体结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN115565982A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210955460.4
申请日：2022-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L21/768
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置。半导体装置具有前侧至背侧的电路径以穿过源极/漏极结构。在一些实施例中，前侧至背侧的导电路径穿过标准单元中的源极/漏极结构。在其他实施例中，前侧至背侧的导电路径穿过填充单元中的源极/漏极结构。前侧至背侧的导电路径使局部连接、背侧信号连接及/或背侧电源轨连接所用的弹性绕线可行。
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公开(公告)号：CN114722764A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110594545.X
申请日：2021-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/392 , G06F30/394 , G06F30/398 , H01L27/092
Abstract: 本揭露的一态样关于一种集成电路制造系统及其操作方法及集成电路结构，方法包括将第一纳米片结构放置在IC布局图内。第一纳米片结构具有第一宽度。方法包括邻接第二纳米片结构与第一纳米片结构。第二纳米片结构具有第二宽度。第二宽度小于第一宽度。方法包括产生IC布局图并将IC布局图储存在储存元件中。
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公开(公告)号：CN113363257A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110480240.6
申请日：2021-04-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 根据本发明的半导体器件包括第一互连结构、在第一互连结构上方的第一晶体管、在第一晶体管上方的第二晶体管以及在第二晶体管上方的第二互连结构。该第一晶体管包括第一纳米结构和与第一纳米结构邻接的第一源极区。该第二晶体管包括第二纳米结构和与第二纳米结构邻接的第二源极区。该第一源极区耦接到第一互连结构中的第一电源轨，并且该第二源极区耦接到第二互连结构中的第二电源轨。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113054018A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011561350.7
申请日：2020-12-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 提供半导体结构及其形成方法。半导体结构包含基底和从基底突出的鳍片结构。半导体结构还包含在鳍片结构上方形成的纳米结构和围绕纳米结构的栅极结构。半导体结构还包含连接至纳米结构的源极/漏极结构以及夹设在鳍片结构和源极/漏极结构之间的隔离部件。
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公开(公告)号：CN111261628A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911214023.1
申请日：2019-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体装置，该半导体装置包括井区，晶体管位于井区上方，导线电性接触晶体管的第一源极/漏极区，且具有与井区的侧壁电性接触的侧壁，以及衬垫层设置于导线的侧壁与井区的侧壁之间。半导体装置的形成方法包括在半导体层中形成井区，在井区上方形成第一鳍和第二鳍，在第一鳍上形成第一间隙壁，且在第二鳍上形成第二间隙壁，移除井区位于第一间隙壁与第二间隙壁之间的部分，以定义沟槽，在沟槽中形成衬垫层，以及在衬垫层上方的沟槽中形成导线，其中导线电性接触井区。
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公开(公告)号：CN113053887B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202011261991.0
申请日：2020-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种半导体结构的实施例。半导体结构包括：衬底，具有前侧和背侧；栅极堆叠件，形成在衬底的前侧上，并且设置在衬底的有源区上；第一源极/漏极部件，形成在有源区上并且设置在栅极堆叠件的边缘处；背侧电源轨，形成在衬底的背侧上；背侧接触部件，插入在背侧电源轨和第一源极/漏极部件之间，并且将背侧电源轨电连接到第一源极/漏极部件。背侧接触部件还包括设置在衬底的背侧上的第一硅化物层。本发明的实施例还涉及形成集成电路结构的方法。
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公开(公告)号：CN113140546B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202110283495.3
申请日：2021-03-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L27/088 , H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 公开了在半导体器件的源极/漏极区和栅极结构上执行背侧蚀刻工艺的方法以及通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，半导体器件包含：第一晶体管结构；在第一晶体管结构的前侧上的第一互连结构；以及在第一晶体管结构的背侧上的第二互连结构，该第二互连结构包含：在第一晶体管结构的背侧上的第一介电层；延伸穿过第一介电层至第一晶体管结构的源极/漏极区的接触件；以及在接触件与第一介电层之间沿接触件侧壁的第一间隔件，面对第一介电层的该第一间隔件的侧壁与第一晶体管结构的源极/漏极区的侧壁对准。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN118039695A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410084683.7
申请日：2024-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 在实施例中，一种半导体器件包括：下源极/漏极区域；上源极/漏极区域；上源极/漏极区域和下源极/漏极区域之间的纳米结构；延伸到纳米结构的侧壁中的栅极结构，该栅极结构包括栅极电介质和栅电极，栅电极的外侧壁与栅极电介质的外侧壁对齐；以及与栅极结构相邻的栅极接触件，栅极接触件沿着栅电极的外侧壁和栅极电介质的外侧壁延伸。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。
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