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公开(公告)号：CN114823529A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210237922.9
申请日：2022-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开提出一种半导体装置结构。半导体装置结构包含多个半导体层及与半导体层接触的第一源极/漏极外延部件。第一源极/漏极外延部件包含底部，底部具有实质上直的侧壁。半导体装置结构还包含间隔物，间隔物具有栅极间隔物部分及一或多个源极/漏极间隔物部分。每个源极/漏极间隔物部分具有第一高度，而一或多个源极/漏极间隔物部分中的一个与第一源极/漏极外延部件的实质上直的侧壁中的一个接触。半导体装置结构还包含介电部件，介电部件与一或多个源极/漏极间隔物部分中的一个相邻设置。介电部件具有第二高度，第二高度实质上大于第一高度。
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公开(公告)号：CN111952248B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202010402521.5
申请日：2020-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供半导体装置及其形成方法。半导体装置包含第一全环绕式栅极晶体管位于基底的第一区上方以及第二全环绕式栅极晶体管位于基底的第二区上方。第一全环绕式栅极晶体管包含多个第一通道元件沿垂直于基底的顶表面的第一方向堆叠以及第一栅极结构位于多个第一通道元件上方。第二全环绕式栅极晶体管包含多个第二通道元件沿平行于基底的顶表面的第二方向堆叠以及第二栅极结构位于多个第二通道元件上方。多个第一通道元件和多个第二通道元件包含具有第一晶面和不同于第一晶面的第二晶面的半导体材料。第一方向垂直于第一晶面，且第二方向垂直于第二晶面。
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公开(公告)号：CN118173448A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410178478.7
申请日：2024-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。一种方法包括形成包括第一FinFET和第二FinFET的互补场效应晶体管(CFET)。用于形成第一FinFET的工艺包括形成具有第一总数的至少一个半导体鳍，以及在至少一个所述半导体鳍上形成第一栅极堆叠件。第二FinFET与第一FinFET垂直对准。用于形成第二FinFET的工艺包括形成多个半导体鳍，其中多个半导体鳍具有大于第一总数的第二总数，以及在多个半导体鳍上形成第二栅极堆叠件。
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公开(公告)号：CN119730361A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202410900670.2
申请日：2024-07-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 互补场效应晶体管(CFET)器件包括：鳍；第一沟道区域，垂直设置在鳍上方；第二沟道区域，垂直设置在第一沟道区域上方；隔离结构，位于第一沟道区域和第二沟道区域之间；第一蚀刻停止层(ESL)，位于隔离结构的下表面上；第二ESL，位于隔离结构的上表面上，其中第一ESL、第二ESL、第一沟道区域和第二沟道区域是相同的半导体材料；第一源极/漏极区域，位于第一沟道区域的相对端部处；第二源极/漏极区域，位于第二沟道区域的相对端部处；介电结构，位于隔离结构的相对端部处，并且垂直设置在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间；第一栅极结构，位于第一沟道区域周围；以及第二栅极结构，位于第二沟道区域周围。本申请的实施例还涉及形成互补场效应晶体管(CFET)器件的方法。
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公开(公告)号：CN117276278A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311112727.4
申请日：2023-08-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , B82Y10/00
Abstract: 在实施例中，提供了一种半导体器件，一种半导体器件包括：介电壁；邻接介电壁的纳米结构；与纳米结构的下子集毗邻的下源极/漏极区域；与纳米结构的上子集毗邻的上源极/漏极区域，上源极/漏极区域与下源极/漏极区域相反地掺杂；以及接触上源极/漏极区域和下源极/漏极区域的共享源极/漏极接触件，共享源极/漏极接触件延伸到介电壁中。根据本申请的其他实施例，还提供了制造半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114497037A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110789469.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238
Abstract: 本发明实施例提出一种半导体装置。半导体装置包括半导体基板、源极结构与漏极结构、半导体层堆叠、栅极部分以及内侧间隔物。源极结构与漏极结构位于半导体基板上；半导体层堆叠夹设于源极结构与漏极结构之间；栅极结构位于半导体层堆叠的两个垂直相邻的层状物之间，并位于源极结构与漏极结构之间。此外，栅极部分具有相对的第一侧壁表面与第二侧壁表面。内侧间隔物位于第一侧壁表面上并位于栅极部分与漏极结构之间。第二侧壁表面直接接触源极结构。
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公开(公告)号：CN117894681A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311703487.5
申请日：2023-12-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 一种用于在晶体管周围形成垂直栅极的方法，包括在下源极/漏极区上形成半导体层的堆叠。半导体层的堆叠包括第一层、在第一层上的第二层和在第二层上的三层。第一层和第三层具有基本相同的组成，并且相对于第二层是可选择性蚀刻的。第一层和第二层可以被选择性地去除并且用内部间隔件代替。第二层可以被选择性地去除并且用栅电极代替。本申请的实施例还公开了一种半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113130623A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110208308.5
申请日：2021-02-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明的半导体装置包括第一隔离结构与第二隔离结构；鳍状结构，沿着第一方向纵向延伸并沿着第二方向夹设于第一隔离结构与第二隔离结构之间，且第一方向垂直于第二方向；第一通道组件，位于第一隔离结构上；第二通道组件，位于第二隔离结构上；以及栅极结构，位于第一通道组件与第二通道组件上并包覆第一通道组件与第二通道组件。
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公开(公告)号：CN112750777A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010842526.X
申请日：2020-08-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法。半导体结构包括基板；第一垂直结构与第二垂直结构形成于基板上；以及导电轨结构，位于第一垂直结构与第二垂直结构之间。导电轨结构的上表面与第一垂直结构及第二垂直结构的上表面实质上共平面。
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公开(公告)号：CN112599421A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010842503.9
申请日：2020-08-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/36 , H01L21/28 , H01L29/08 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 在此提供一种半导体装置及其形成方法。此半导体装置包括第一源极/漏极区域及第二源极/漏极区域，其设置在多个导电层的相对两侧上。此半导体装置亦包括介电层，其覆盖第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域及多个导电层。此半导体装置亦包括电性接触件，其延伸穿过介电层并进入第一源极/漏极区域。电性接触件的第一表面是电性接触件的最接近基板的表面，多个导电层的第一表面是多个导电层的最接近基板的表面，并且上述电性接触件的第一表面比上述多个导电层的第一表面更接近基板。
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