公开(公告)号：CN112687678A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011110451.2

申请日：2020-10-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡庆威 ,  黄禹轩 ,  程冠伦 ,  李韦儒 ,  郑存甫 ,  吴忠纬

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L21/822

Abstract: 一种集成电路(integrated circuit,IC)，其包括形成在半导体基底上的电路；以及形成在半导体基底上并与电路整合的去耦电容(decouple capacitance,de‑cap)元件。去耦电容元件包括场效应晶体管(field‑effect transistor,FET)，其还包括透过接触部件连接的源极和漏极，其接触部件分别坐落在源极和漏极上；于通道上方并插入源极和漏极之间的栅极堆叠；以及设置于通道下方并连接至源极和漏极的掺杂部件，其中掺杂部件以源极和漏极相同类型的杂质掺杂。

公开(公告)号：CN115064491A

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202210429959.1

申请日：2022-04-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李韦儒 ,  郑存甫 ,  吴忠纬 ,  吴志强

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体装置，包括具有鳍状物的基板；第一源极/漏极结构，其包括第一外延层接触第一鳍状物、第二外延层位于第一外延层上、第三外延层位于第二外延层上且包括中心部分与高于中心部分的边缘部分、以及第四外延层位于第三外延层上；第二源极/漏极结构，与第一源极/漏极结构相邻并包括第一外延层接触第二鳍状物、第二外延层位于第二源极/漏极结构的第一外延层上、第三外延层位于该第二源极/漏极结构的第二外延层上且包括中心部分与高于第三外延层的中心部分的边缘部分。

公开(公告)号：CN114975260A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210285956.5

申请日：2022-03-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李韦儒 ,  林志昌 ,  郑存甫 ,  吴忠纬 ,  吴志强

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括基板；第一半导体通道与第二半导体通道，位于基板上且横向分开。栅极结构覆盖并包覆第一与第二半导体通道。第一源极/漏极区邻接栅极结构的第一侧上的第一半导体通道，且第二源极/漏极区邻接栅极结构的第一侧上的第二半导体通道。隔离结构位于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间与之下，且隔离结构包括第一隔离区接触第一源极/漏极区与第二源极/漏极区的下表面；以及第二隔离区接触该第一源极/漏极区与第二源极/漏极区的侧壁，且自第一隔离区的下表面延伸至第一源极/漏极区与第二源极/漏极区的上表面。

公开(公告)号：CN113363257B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202110480240.6

申请日：2021-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖翊博 ,  黄禹轩 ,  李韦儒 ,  陈豪育 ,  郑存甫

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 根据本发明的半导体器件包括第一互连结构、在第一互连结构上方的第一晶体管、在第一晶体管上方的第二晶体管以及在第二晶体管上方的第二互连结构。该第一晶体管包括第一纳米结构和与第一纳米结构邻接的第一源极区。该第二晶体管包括第二纳米结构和与第二纳米结构邻接的第二源极区。该第一源极区耦接到第一互连结构中的第一电源轨，并且该第二源极区耦接到第二互连结构中的第二电源轨。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN114792662A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210172776.6

申请日：2022-02-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李韦儒 ,  郑存甫 ,  吴忠纬 ,  吴志强

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。半导体装置包括有源区位于半导体基板。有源区沿着第一方向延伸。半导体装置亦包括栅极结构位于有源区上。栅极结构沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。此外，栅极结构接合有源区上的通道。装置还包括源极/漏极结构位于有源区上并与通道相连。源极/漏极结构在半导体基板上的投影符合六边形。

公开(公告)号：CN112750777A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202010842526.X

申请日：2020-08-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖翊博 ,  李韦儒 ,  锺政庭 ,  陈豪育 ,  郑存甫 ,  程冠伦

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法。半导体结构包括基板；第一垂直结构与第二垂直结构形成于基板上；以及导电轨结构，位于第一垂直结构与第二垂直结构之间。导电轨结构的上表面与第一垂直结构及第二垂直结构的上表面实质上共平面。

公开(公告)号：CN113363257A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110480240.6

申请日：2021-04-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖翊博 ,  黄禹轩 ,  李韦儒 ,  陈豪育 ,  郑存甫

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 根据本发明的半导体器件包括第一互连结构、在第一互连结构上方的第一晶体管、在第一晶体管上方的第二晶体管以及在第二晶体管上方的第二互连结构。该第一晶体管包括第一纳米结构和与第一纳米结构邻接的第一源极区。该第二晶体管包括第二纳米结构和与第二纳米结构邻接的第二源极区。该第一源极区耦接到第一互连结构中的第一电源轨，并且该第二源极区耦接到第二互连结构中的第二电源轨。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN112563264A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202010407078.0

申请日：2020-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王培宇 ,  李韦儒

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/06

Abstract: 半导体装置包含基底，多个半导体线设置于基底上方，栅极结构围绕多个半导体线的每一个，以及外延源极/漏极部件接触多个半导体线，空气间隙水平围绕外延源极/漏极部件的一部分。

公开(公告)号：CN112530902A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010830674.X

申请日：2020-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王培宇 ,  锺政庭 ,  李韦儒

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提供一种半导体装置及其形成方法。根据本公开的半导体装置，包括：第一介电层，具有第一顶表面；以及接触导孔，延伸穿过第一介电层并且上升到第一介电层的第一顶表面上方。

公开(公告)号：CN112447595A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010857388.2

申请日：2020-08-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李韦儒 ,  郑存甫 ,  吴忠纬 ,  吴志强

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本公开实施例提供半导体装置的制造方法。方法包括形成鳍状结构，其具有多个第一半导体层与多个第二半导体层交错堆叠；形成牺牲栅极结构于鳍状结构上；蚀刻牺牲栅极结构不覆盖的鳍状结构的源极/漏极区，以形成源极/漏极沟槽；经由源极/漏极沟槽横向蚀刻第一半导体层；形成内侧间隔物层于源极/漏极沟槽中的蚀刻后的第一半导体层的至少横向末端上；形成晶种层于内侧间隔物层上；以及成长源极/漏极外延层于源极/漏极沟槽中，其中源极/漏极外延层的成长步骤包括自晶种层成长源极/漏极外延层。