公开(公告)号：CN113156578A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110002382.1

申请日：2021-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁崇铭 ,  余振华 ,  刘重希 ,  蔡豪益 ,  谢政杰 ,  郭鸿毅 ,  戴志轩 ,  林华奎 ,  于宗源 ,  徐敏翔

IPC: G02B6/10

Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了光子器件和制造方法。在实施例中，利用填充材料和/或辅助波导，以便保护其他内部结构(例如，光栅耦合器)免受后续处理步骤的严格影响。通过在制造工艺期间的适当时间处使用这些结构，可以避免可能以其他方式干扰器件的制造工艺或器件的操作的损坏和碎屑。

公开(公告)号：CN104659003B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201410377149.1

申请日：2014-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈洁 ,  陈英儒 ,  陈宪伟 ,  于宗源

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括具有表面的衬底、设置在衬底的表面上的多个焊盘，多个焊盘包括非焊料掩模限定(NSMD)焊盘和焊料掩模限定(SMD)焊盘，并且NSMD焊盘布置在预定位置处。此外，一种制造半导体器件的方法包括：提供衬底，在衬底的表面上设置多个焊盘，在衬底的表面和多个焊盘的上方设置焊料掩模，在焊料掩模中形成第一凹槽以围绕多个焊盘中的一个，以及在焊料掩模中并且在多个焊盘中的一个之上形成第二凹槽。本发明还提供半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN104008981B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201310199231.5

申请日：2013-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于宗源 ,  陈宪伟 ,  陈英儒

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03424 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05109 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成凸块结构的方法，包括：通过化学镀工艺在顶部金属层上形成金属化层；在金属化层上方形成聚合物层；在聚合物层上形成开口以暴露金属化层；以及在暴露的金属化层上方形成焊料凸块，以与顶部金属层电接触。

公开(公告)号：CN103050461B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210192147.6

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁世纬 ,  陈宪伟 ,  陈英儒 ,  于宗源 ,  李明机

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括：依次形成在半导体衬底上的钝化层、第一保护层、互连层、以及第二保护层。互连层具有暴露部分，在该暴露部分上形成有阻挡层和焊料凸块。钝化层、第一保护层、互连层和第二保护层中的至少一层包括形成在导电焊盘区域之外的区域中的至少一个槽状件。本发明提供了钝化后互连结构。

公开(公告)号：CN102956602B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201110399930.5

申请日：2011-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈英儒 ,  陈宪伟 ,  于宗源 ,  梁世纬

IPC: H01L23/498

CPC classification number: H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48681 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48881 ,  H01L2224/48884 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种形成接合焊盘结构的机构。该接合焊盘具有通过接合焊盘下面的钝化层中的开口形成的凹槽区域。上钝化层至少覆盖了接合焊盘的凹槽区域，以减少困在凹槽区域中的图案化残留物和/或蚀刻残留物。由此降低了接合焊盘腐蚀的可能性。本发明还提供了一种用于减少接合焊盘腐蚀的接合焊盘结构。

公开(公告)号：CN104051429A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310294010.6

申请日：2013-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于宗源 ,  陈宪伟 ,  吕文雄 ,  林鸿仁

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/544 ,  H01L24/03 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用于晶圆级封装的方法和装置，其中一种半导体器件，包括：衬底、位于衬底上方的接合焊盘、位于衬底上方的保护环、在接合焊盘和保护环之间位于衬底上方的对准标记。该器件可以包括位于衬底上的钝化层、聚合物层、与接合焊盘接触的钝化后互连（PPI）层、以及位于PPI层上的连接件，其中连接件位于接合焊盘和保护环之间，并且对准标记位于连接件和保护环之间。对准标记可以位于PPI层中。可以在不同的层中具有多个对准标记。可以在被保护环环绕的区域的角部附近或边缘处存在器件的多个对准标记。

公开(公告)号：CN103855126A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310069494.4

申请日：2013-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  吴念芳 ,  郭鸿毅 ,  陈洁 ,  陈英儒 ,  于宗源

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括在工件上方形成集成电路的第一功能区域，以及在工件上方形成集成电路的第二功能区域。该方法包括围绕集成电路的第一功能区域形成保护环。在第一功能区域和第二功能区域上方设置的材料层中形成该保护环。

公开(公告)号：CN103855100A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310165208.4

申请日：2013-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  邵栋樑 ,  杨庆荣 ,  赖昱嘉 ,  蔡豪益 ,  于宗源

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/552 ,  H01L21/02 ,  H01L27/01

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/585 ,  H01L27/016 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有金属绝缘体金属电容器的密封圈结构集成电路的密封圈结构包括密封圈和金属绝缘体金属（MIM）电容器。MIM电容器包括顶电极、设置在顶电极下面的底电极，以及设置在顶电极和底电极之间的第一绝缘层。MIM电容器设置在密封圈范围内且与密封圈隔离。

公开(公告)号：CN113078125B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202110246259.4

申请日：2021-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  郭鸿毅 ,  刘重希 ,  蔡豪益 ,  谢政杰 ,  于宗源 ,  曾明鸿

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/065 ,  H10B80/00 ,  H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 一种形成管芯堆叠件的方法，包括：将第一器件管芯接合至第二器件管芯；将第一器件管芯密封在第一密封剂中；在第二器件管芯上实施背面研磨工艺，以露出第二器件管芯中的贯穿通孔；以及形成位于第二器件管芯上的第一电连接器，以形成封装件。封装件包括第一器件管芯和第二器件管芯。该方法还包括将第一封装件密封在第二密封剂中；以及形成与第一封装件和第二密封剂重叠的互连结构。互连结构包括第二电连接器。根据本申请的其他实施例，还提供了管芯堆叠结构。

公开(公告)号：CN111799227A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010242219.8

申请日：2020-03-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  郭鸿毅 ,  刘重希 ,  蔡豪益 ,  谢政杰 ,  于宗源

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 公开了封装的半导体器件及其形成方法，该封装的半导体器件包括附接至再分布结构的第一管芯、附接至第一管芯的第二管芯以及围绕第一管芯和第二管芯的模塑料。在实施例中，方法包括在第一再分布结构上方形成电耦接至第一再分布结构的第一导电柱；将第一管芯附接至第一再分布结构，第一管芯包括第二导电柱；在邻近第二导电柱的位置将第二管芯附接至第一管芯；用密封剂密封第一导电柱、第一管芯和第二管芯；在密封剂、第一导电柱、第一管芯和第二管芯上方形成第二再分布结构；并且将第三管芯接合至第一再分布结构。