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公开(公告)号：CN113156578B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110002382.1
申请日：2021-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/10
Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了光子器件和制造方法。在实施例中，利用填充材料和/或辅助波导，以便保护其他内部结构(例如，光栅耦合器)免受后续处理步骤的严格影响。通过在制造工艺期间的适当时间处使用这些结构，可以避免可能以其他方式干扰器件的制造工艺或器件的操作的损坏和碎屑。
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公开(公告)号：CN112864119A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011361227.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , H01L25/16 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 提供了集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件包括光子集成电路管芯。光子集成电路管芯包括光耦合器。集成电路封装件还包括密封光子集成电路管芯的密封剂、位于光子集成电路管芯和密封剂上方的第一再分布结构以及延伸穿过第一再分布结构并且暴露光耦合器的开口。
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公开(公告)号：CN112864119B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202011361227.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , H10B80/00 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 提供了集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件包括光子集成电路管芯。光子集成电路管芯包括光耦合器。集成电路封装件还包括密封光子集成电路管芯的密封剂、位于光子集成电路管芯和密封剂上方的第一再分布结构以及延伸穿过第一再分布结构并且暴露光耦合器的开口。
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公开(公告)号：CN110970387B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910608348.1
申请日：2019-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L27/08 , H01L21/48 , H01L21/768 , H01L21/82
Abstract: 半导体器件包括无源电子组件，位于衬底中；以及互连结构，位于无源电子组件上方，互连结构的导电部件电耦合到无源电子组件。互连结构的导电部件包括：第一导线，位于衬底上方；导电凸块，位于第一导线上方，其中，在平面图中，导电凸块具有第一细长形状并且完全设置在第一导线的边界内；以及第一通孔，位于第一导线和导电凸块之间，第一通孔电连接到第一导线和导电凸块，其中，在平面图中，第一通孔具有第二细长形状并且完全设置在导电凸块的边界内。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN110970387A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910608348.1
申请日：2019-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L27/08 , H01L21/48 , H01L21/768 , H01L21/82
Abstract: 半导体器件包括无源电子组件，位于衬底中；以及互连结构，位于无源电子组件上方，互连结构的导电部件电耦合到无源电子组件。互连结构的导电部件包括：第一导线，位于衬底上方；导电凸块，位于第一导线上方，其中，在平面图中，导电凸块具有第一细长形状并且完全设置在第一导线的边界内；以及第一通孔，位于第一导线和导电凸块之间，第一通孔电连接到第一导线和导电凸块，其中，在平面图中，第一通孔具有第二细长形状并且完全设置在导电凸块的边界内。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110957295A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910162856.1
申请日：2019-03-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 半导体封装件包括半导体器件，该半导体器件包括第一UBM结构，其中第一UBM结构包括：多个第一导电条，第一导电条沿第一方向延伸；多个第二导电条，多个第二导电条与多个第一导电条分离并交错，第二导电条沿第一方向延伸，其中多个第一导电条在第一方向上与多个第二导电条偏移第一偏移距离；以及衬底，包括：第二UBM结构，第二UBM结构包括多个第三导电条，多个第三导电条中的每一个接合到多个第一导电条中的一个或多个第二导电条中的一个。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN107644847B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201610891674.4
申请日：2016-10-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体封装，包括模封半导体器件、第一重布线路层、第二重布线路层及多个层间导通孔。模封半导体器件包括管芯。第一重布线路层设置于模封半导体器件的第一侧。第二重布线路层设置于模封半导体器件的相对第一侧的第二侧。第二重布线路层包括图案化金属层以及金属环。图案化金属层具有电性连接至管芯的连接线路部。金属环围绕连接线路部并与连接线路部分离。层间导通孔连接至金属环的一部分且位于金属环的下方。层间导通孔延伸穿过模封半导体器件，以电性连接第一重布线路层及第二重布线路层。
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公开(公告)号：CN113156578A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110002382.1
申请日：2021-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/10
Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造方法。提供了光子器件和制造方法。在实施例中，利用填充材料和/或辅助波导，以便保护其他内部结构(例如，光栅耦合器)免受后续处理步骤的严格影响。通过在制造工艺期间的适当时间处使用这些结构，可以避免可能以其他方式干扰器件的制造工艺或器件的操作的损坏和碎屑。
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公开(公告)号：CN109755192B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201811292332.6
申请日：2018-11-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/528 , H01L23/498
Abstract: 半导体封装件包括集成无源器件(IPD)，集成无源器件(IPD)包括位于第一衬底上方的一个或多个无源器件；以及位于一个或多个无源器件上方并且电连接至一个或多个无源器件的金属化层，其中，金属化层的最顶部金属化层包括多个第一导电图案；以及与导电图案的多个第一导电图案交错的多个第二导电图案。IPD也包括位于最顶部金属化层上方的第一凸块下金属(UBM)结构，其中，第一UBM结构包括多个第一导电带，多个第一导电带的每个均电连接至多个第一导电图案中的相应的一个；多个第二导电带与多个第一导电带交错，多个第二导电带的每个均电连接至多个第二导电图案中的相应的一个。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN109524378B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201711017344.3
申请日：2017-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本揭露提供一种封装结构及其制造方法。所述封装结构包括管芯、重布线结构、集成扇出型穿孔以及第一连接件。重布线结构与管芯连接且包括多条重布线。集成扇出型穿孔位于管芯侧边且穿过重布线结构。第一连接件与集成扇出型穿孔电性接触，且与管芯电性连接。集成扇出型穿孔与重布线层结构的重布线电性接触。
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