公开(公告)号：CN113053761B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202011524118.6

申请日：2020-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑淑蓉 ,  郭庭豪 ,  赖季晖 ,  潘国龙 ,  赖昱嘉 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

Abstract: 一种方法包括将多个封装组件密封在密封剂中；以及在多个封装组件上方形成电耦合至多个封装组件的多个第一再分布层。多个第一再分布层具有多个电源/接地焊盘堆叠件，多个电源/接地焊盘堆叠件中的每个都具有位于多个第一再分布层中的每个中的焊盘。多个电源/接地焊盘堆叠件包括多个电源焊盘堆叠件和多个接地焊盘堆叠件。在多个第一再分布层上方形成至少一个第二再分布层。第二再分布层包括电连接至多个电源/接地焊盘堆叠件的电源线和电接地线。本发明的实施例还涉及封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN115274610A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210898247.4

申请日：2019-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昱嘉 ,  潘国龙 ,  郭鸿毅 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/16 ,  H01L21/48

Abstract: 半导体封装件包括：第一管芯；第一再分布结构，位于第一管芯上，第一再分布结构与第一管芯共末端；第二管芯，位于第一管芯上，第一管芯的第一部分延伸超出第二管芯的横向范围；导电柱，位于第一管芯的第一部分上并且与第二管芯横向相邻，导电柱电耦合到第一管芯；模制材料，位于第一管芯、第二管芯和导电柱周围；以及第二再分布结构，位于模制材料上，第二再分布结构电耦合到导电柱和第二管芯。本发明的实施例还涉及多芯片半导体封装件。

公开(公告)号：CN114725048A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202110774616.4

申请日：2021-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘国龙 ,  赖昱嘉 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华 ,  邓博元 ,  罗登元 ,  张楙曮

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开实施例的一种芯片封装结构包括中介层结构，中介层结构含有封装侧重布线结构、中介层芯体总成及管芯侧重布线结构。中介层芯体总成包括至少一个硅衬底中介层，且所述至少一个硅衬底中介层中的每一者包括：相应的硅衬底；相应的一组硅穿孔(TSV)结构，在垂直方向上延伸穿过相应的硅衬底；相应的一组内连线级介电层，嵌置有相应的一组金属内连线结构；以及相应的一组金属结合结构，电连接到管芯侧重布线结构。芯片封装结构包括贴合到管芯侧重布线结构的至少两个半导体管芯以及在侧向上包围所述至少两个半导体管芯的环氧模塑化合物(EMC)多管芯框架。

公开(公告)号：CN107546202A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201611047705.4

申请日：2016-11-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昱嘉 ,  余振华 ,  黄章斌 ,  刘重希 ,  杜贤明 ,  郭鸿毅 ,  蔡豪益 ,  梁世纬 ,  刘人瑄

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2924/206

Abstract: 提供一种集成电路上的导电端子。所述导电端子包括导电接垫、介电层及导通孔。所述导电接垫配置于所述集成电路上并电连接至所述集成电路。所述介电层覆盖所述集成电路及所述导电接垫，所述介电层包括排列成阵列的多个接触开口，且所述导电接垫被所述接触开口局部地暴露出。所述导通孔配置于所述介电层上并经由所述接触开口电连接至所述导电接垫。所述导通孔包括排列成阵列的多个凸出部。所述凸出部分布于所述导通孔的顶表面上，且所述凸出部对应于所述接触开口。

公开(公告)号：CN106898596A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201610959360.3

申请日：2016-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄章斌 ,  杜贤明 ,  杨庆荣 ,  梁世纬 ,  郭鸿毅 ,  赖昱嘉 ,  蔡豪益 ,  刘重希 ,  余振华

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1413 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/37001 ,  H01L21/76877

Abstract: 半导体结构包括：管芯，管芯包括设置在管芯上方的管芯焊盘；导电构件，设置在管芯焊盘上方并且与管芯焊盘电连接；模制件，围绕管芯和导电构件；以及再分布层(RDL)，设置在模制件、导电构件和管芯上方，并且包括介电层和互连结构，其中，互连结构包括接合部分和多个通孔部分，接合部分设置在介电层上方，并且多个通孔部分从接合部分突出穿过介电层到达导电构件，以及多个通孔部分中的每一个都与导电构件至少部分地接触。本发明还提供了制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN103855100A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310165208.4

申请日：2013-05-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  邵栋樑 ,  杨庆荣 ,  赖昱嘉 ,  蔡豪益 ,  于宗源

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/552 ,  H01L21/02 ,  H01L27/01

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/585 ,  H01L27/016 ,  H01L28/40 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有金属绝缘体金属电容器的密封圈结构集成电路的密封圈结构包括密封圈和金属绝缘体金属（MIM）电容器。MIM电容器包括顶电极、设置在顶电极下面的底电极，以及设置在顶电极和底电极之间的第一绝缘层。MIM电容器设置在密封圈范围内且与密封圈隔离。

公开(公告)号：CN116779556A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310568135.7

申请日：2023-05-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴松岳 ,  廖仁骏 ,  张楙曮 ,  赖昱嘉 ,  黄见翎 ,  谢静华

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体封装件，包括第一封装组件，该第一封装组件包括：集成电路管芯；围绕集成电路管芯的密封剂；扇出结构，电连接至集成电路管芯，其中，在横截面视图中，第一开口完全延伸穿过扇出结构并且至少部分地穿过密封剂，并且在顶视图中，密封剂至少完全围绕第一开口。半导体封装件还包括接合至第一封装组件的封装衬底。本发明的实施例还提供了一种制造半导体封装件的方法。

公开(公告)号：CN111384010B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN201911358161.7

申请日：2019-12-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑淑蓉 ,  潘国龙 ,  李佩璇 ,  黄见翎 ,  赖昱嘉 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益 ,  余振华

IPC: H01L23/40 ,  H01L23/485 ,  H01L21/50

Abstract: 在实施例中，一种器件包括：封装部件，包括集成电路管芯、位于集成电路管芯周围的密封剂、位于密封剂和集成电路管芯上方的再分布结构以及位于再分布结构上方的插座；机械支架，物理耦合到插座，机械支架具有开口，每个开口暴露相应的一个插座；热模块，物理地和热耦合到密封剂和集成电路管芯；以及螺栓，延伸穿过热模块、机械支架和封装部件。本发明的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN119230493A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411238253.2

申请日：2024-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昱嘉 ,  郭庭豪 ,  陈承先 ,  李智圣

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H10B80/00 ,  H01L25/16

Abstract: 一种半导体封装件包括：封装组件，包括位于衬底的第一侧上的互连结构；金属焊盘，位于互连结构上；半导体管芯，连接至衬底的第二侧；介电材料，围绕封装组件；钝化层，在封装组件上方和介电材料上方延伸；第一缓冲层，位于钝化层上方，其中，第一缓冲层在封装组件上方和介电材料上方延伸，其中，第一缓冲层的宽度大于封装组件的宽度，并且小于钝化层的宽度；以及导电连接器，穿过钝化层和第一缓冲层，以物理地接触金属焊盘。本申请的实施例还公开了形成半导体封装件的方法。

公开(公告)号：CN112103256A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201910966876.4

申请日：2019-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑淑蓉 ,  余振华 ,  蔡豪益 ,  黄见翎 ,  潘国龙 ,  李佩璇 ,  郭庭豪 ,  赖昱嘉 ,  邓博元

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/535

Abstract: 本揭露实施例是有关于一种半导体装置及其制造方法。在本揭露实施例中，半导体装置包括封装组件，所述封装组件包括：多个集成电路管芯；包封体，位于所述多个集成电路管芯周围；重布线结构，位于所述包封体及所述多个集成电路管芯之上，所述重布线结构电耦合到所述多个集成电路管芯；多个插座，位于所述重布线结构之上，所述多个插座电耦合到所述重布线结构；以及支撑环，位于所述重布线结构之上且环绕所述多个插座，所述支撑环沿所述重布线结构的最外边缘设置，所述支撑环在横向上至少部分地与所述重布线结构交叠。