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公开(公告)号：CN103855100B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310165208.4
申请日：2013-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/16 , H01L23/552 , H01L21/02 , H01L27/01
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/5223 , H01L23/585 , H01L27/016 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有金属绝缘体金属电容器的密封圈结构集成电路的密封圈结构包括密封圈和金属绝缘体金属（MIM）电容器。MIM电容器包括顶电极、设置在顶电极下面的底电极，以及设置在顶电极和底电极之间的第一绝缘层。MIM电容器设置在密封圈范围内且与密封圈隔离。
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公开(公告)号：CN119667854A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411538677.0
申请日：2024-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种光子装置，包括形成于第一水平面上方的第一光子内连线、形成于相对于第一水平面垂直位移的第二水平面上方的第二光子内连线、以及连接至第一及第二光子内连线的光子耦合器。光子耦合器用以使从第一光子内连线入射至光子耦合器的第一光子信号由光子耦合器导入第二光子内连线内，以及从第二光子内连线入射至光子耦合器的第二光子信号导入第一光子内连线内。光子耦合器还包括光子导通孔(via)，将第一光子内连线连接至第二光子内连线，并允许光子信号传输于第一光子内连线与第二光子内连线之间。
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公开(公告)号：CN102445649A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110208201.7
申请日：2011-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01R31/2648 , G01R31/002 , G01R31/2644 , G01R31/2884 , H01L22/34 , H01L2224/13
Abstract: 本发明公开一种半导体芯片的测试结构及应用于测量电介质特性的方法，其中该测试结构用于测量一尚未封装的半导体芯片，包括一施力部件与该半导体芯片的一内连线结构耦接，可操控该施力部件以施加一力于该半导体芯片之上；以及第一以及第二测试部分与该内连线结构耦接，该第一以及第二测试部分以测量与该内连线结构中一预定区域相关的一电性效能；其中该第一以及第二测试部分为可操控，于施加该力于该半导体芯片时测量该电性效能。本发明的测试结构可精确的获知裂化发生的时机，并可具有在半导体芯片未封装前即可得知裂化现象的优点。
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公开(公告)号：CN110828323A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910489767.8
申请日：2019-06-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/482 , H01L21/56
Abstract: 本公开实施例提供一种芯片封装结构的形成方法。上述方法包括部分地移除第一重分布层以于第一重分布层中形成校准沟槽。校准沟槽围绕第一重分布层的第一接合部分。上述方法包括于第一接合部分之上形成液相层、于液相层之上设置芯片结构。第一接合部分的第一宽度大抵上等于芯片结构的第二宽度。上述方法包括将液相层蒸发。在将液相层蒸发之后芯片结构接合至第一接合部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102445649B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201110208201.7
申请日：2011-07-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01R31/2648 , G01R31/002 , G01R31/2644 , G01R31/2884 , H01L22/34 , H01L2224/13
Abstract: 本发明公开一种半导体芯片的测试结构及应用于测量电介质特性的方法，其中该测试结构用于测量一尚未封装的半导体芯片，包括一施力部件与该半导体芯片的一内连线结构耦接，可操控该施力部件以施加一力于该半导体芯片之上；以及第一以及第二测试部分与该内连线结构耦接，该第一以及第二测试部分以测量与该内连线结构中一预定区域相关的一电性效能；其中该第一以及第二测试部分为可操控，于施加该力于该半导体芯片时测量该电性效能。本发明的测试结构可精确的获知裂化发生的时机，并可具有在半导体芯片未封装前即可得知裂化现象的优点。
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公开(公告)号：CN119170568A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411064134.X
申请日：2024-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/268 , B23K26/38 , B23K26/402
Abstract: 提供一种晶圆切割方法包括：用掺杂物植入基底，以在基底内形成一植入层，并且植入层位于基底的上表面与下表面之间的中间高度处。以一激光光束照射于植入层上，并且照射至基底的侧壁上。在照射激光光束后，对基底进行加热，使得基底切割于植入层处，并切割成一顶部及一底部。
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公开(公告)号：CN103855100A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310165208.4
申请日：2013-05-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/16 , H01L23/552 , H01L21/02 , H01L27/01
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/5223 , H01L23/585 , H01L27/016 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及具有金属绝缘体金属电容器的密封圈结构集成电路的密封圈结构包括密封圈和金属绝缘体金属（MIM）电容器。MIM电容器包括顶电极、设置在顶电极下面的底电极，以及设置在顶电极和底电极之间的第一绝缘层。MIM电容器设置在密封圈范围内且与密封圈隔离。
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公开(公告)号：CN222337364U
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202420866541.1
申请日：2024-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 提供装置包含：光子集成电路；激光晶粒，包括焊垫；以及第一光纤，包含：第一光纤的第一端，熔接至光子集成电路的表面，其中在第一光纤的第一端与光子集成电路的表面之间存在第一熔融接合；及第一光纤的第二端，熔接至焊垫，其中在第一光纤的第二端与焊垫之间存在第二熔融接合。
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公开(公告)号：CN222424602U
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202420902530.4
申请日：2024-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B80/00 , H01L23/367
Abstract: 一种封装结构，包含具有存储器单元以及多工器的单元芯片结构。此封装结构包含通过介电对介电接合以及金属对金属接合直接结合至单元芯片结构的中间芯片结构，且此封装结构具有感测放大器以及驱动元件。中间芯片结构不具有存储器单元。此封装结构包含接合至中间芯片结构且具有运算元件的运算芯片结构。
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