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公开(公告)号：CN120018538A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510163626.2
申请日：2025-02-14
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本申请涉及一种增强型氮化镓p型场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该制备方法包括步骤：提供最外层为p型氮化镓层的外延片结构，p型氮化镓层中具有二维空穴气；于p型氮化镓层的表面间隔形成源极和漏极；于p型氮化镓层的表面形成栅介质结构，栅介质结构包括依次层叠的空穴隧穿层、空穴俘获层和阻挡层；于栅介质结构的表面形成栅极。通过在p型氮化镓层的表面形成具有空穴隧穿层、空穴俘获层和阻挡层的栅介质结构，对栅极施加负压完成初始化后即可实现器件增强，无需引入刻蚀工艺，从而可降低器件的泄漏电流，提高可靠性。并且，能够精确调控器件的阈值电压，降低电路设计难度，增加氮化镓p型场效应晶体管的可应用场景。
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公开(公告)号：CN117983968A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410102933.5
申请日：2024-01-24
Applicant: 南方科技大学
IPC: B23K26/36 , B23K26/70 , B23K26/064 , C03C15/00 , B23K103/00
Abstract: 本申请提出一种玻璃三维微结构制备方法和装置，方法包括：获取待制备的目标三维结构，并根据目标三维结构确定目标曲面；根据目标曲面确定多个目标光点的坐标；根据目标光点的坐标确定与每个目标光点对应的相位；根据所有目标光点的相位确定多个全息相位图；通过全息相位图调制加工光束，以将加工光束先后调制为与每个全息相位图对应的多焦点光斑；通过多焦点光斑烧蚀基材，以在基材内部的每个目标光点的位置形成烧蚀点；对基材进行化学腐蚀，以使烧蚀点连接，形成目标三维结构。本申请通过激光烧蚀配合化学腐蚀，能高效制备三维微结构，通过化学腐蚀降低三维微结构的表面粗糙度，提高其表面的平滑度，可以高效地制备高精度的玻璃三维微结构。
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公开(公告)号：CN110113022B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910395470.5
申请日：2019-05-13
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及其制作方法，其中薄膜体声波谐振器包括：绝缘体上硅基片；所述绝缘体上硅基片依次包括衬底、绝缘层和悬浮硅层；所述悬浮硅层掺杂有杂质材料，以使所述悬浮硅层作为底电极；设置于所述悬浮硅层远离所述衬底一侧的压电薄膜层；设置于所述压电薄膜层远离所述衬底一侧的顶电极；其中，所述绝缘层靠近所述悬浮硅层的一侧设置有气腔。本发明实施例提供的技术方案，可提供一种薄膜体声波谐振器的底电极的实现方案，以防止底电极易损坏的问题。
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公开(公告)号：CN115394856A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211151602.8
申请日：2022-09-21
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供一种超级结MOSFET及其制备方法，涉及半导体领域，该超级结MOSFET在先前的柱状结构的垂直SJ MOSFET结构基础上加入了肖特基二极管结构，通过仿真软件进一步验证该新型结构的可行性。在反偏导通状态下，肖特基二极管将会处于正偏状态，将电子从漂移区域中引导出去并流过肖特基二极管，达到减少反向恢复电流以及反向恢复时间的作用，但并不会影响器件的击穿特性。同时，引入肖特基二极管的超级结MOSFET的反向恢复电流与常规的超级结MOSFET相比，反向恢复电流大小仅仅只有11.94A，反向恢复电荷也仅仅只有0.50μC，进一步说明该超级结MOSFET结构对于反向恢复电学特性的改进。
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公开(公告)号：CN113284948B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110745865.0
申请日：2021-07-01
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该GaN器件包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、外延层和金属电极层，外延层包括依次层叠于衬底上的GaN沟道层、AlN层和势垒层，金属电极层包括源漏金属层，其中，源漏金属层包括朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，将金属电极层中的源极和漏极都与外延层接触，形成欧姆接触电极的机理，并且在源极和漏极金属电极层设置朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，增大金属电极层与外延层的接触面积，减小欧姆接触电阻，从而降低GaN器件的导通电阻，通过源漏电极区域的刻蚀，实现了低温欧姆接触工艺，提高了GaN器件的整体可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113889534A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111136252.3
申请日：2021-09-27
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/778 , H01L29/45 , H01L21/336 , H01L21/335
Abstract: 一种无金欧姆接触电极、半导体器件和射频器件及其制法，属于射频器件领域。该形成于半导体器件的外延结构上的无金欧姆接触电极包括：接触层，堆叠于所述外延结构的顶表面；金属帽层，堆叠于所述接触层之上。其中，接触层包括合金结构、含硅结构或含低功函金属结构。该无金欧姆接触电极具有低的欧姆接触电阻，从而在基于其制作射频器件时，可以降低导通电阻，进而有助于获得输出功率的改善的效果。
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公开(公告)号：CN113422586A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110766482.1
申请日：2021-07-07
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种高能效的均衡器架构，包括：滤波模块，所述滤波模块用于对输入信号进行滤波；处理模块，所述处理模块与所述滤波模块连接，所述处理模块包括多个互补连接的MOS管，所述处理模块用于跨导放大所述输入信号的电流信号；转换模块，所述转换模块与所述处理模块连接，所述转换模块用于将所述电流信号转换为电压信号。本发明实施例提供的一种高能效的均衡器架构通过接入互补型跨导管，使用相同的跨导放大级电流，可以得到两倍的跨导，而同时，输出跨阻级仍能保持恒定的带宽与增益，相对于传统线性均衡器架构达到了补偿能力强、驱动能力强的效果。
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公开(公告)号：CN113284948A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110745865.0
申请日：2021-07-01
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该GaN器件包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、外延层和金属电极层，外延层包括依次层叠于衬底上的GaN沟道层、AlN层和势垒层，金属电极层包括源漏金属层，其中，源漏金属层包括朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，将金属电极层中的源极和漏极都与外延层接触，形成欧姆接触电极的机理，并且在源极和漏极金属电极层设置朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构，增大金属电极层与外延层的接触面积，减小欧姆接触电阻，从而降低GaN器件的导通电阻，通过源漏电极区域的刻蚀，实现了低温欧姆接触工艺，提高了GaN器件的整体可靠性。
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公开(公告)号：CN113098485A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110363379.2
申请日：2021-04-02
Applicant: 南方科技大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明实施例公开了一种双转单驱动电路，包括：跟随器，包括：第一信号输入端口和第一信号输出端口；推挽放大器，包括：第二信号输入端口、连接所述第一信号输出端口的第三信号输入端口和单端信号输出端口；其中，所述跟随器的所述第一信号输入端口和所述推挽放大器的所述第二信号输入端口用于接收输入差分信号，所述单端信号输出端口用于输出经由所述差分信号转换得到的单端信号。本发明实施例公开的双转单驱动电路提高了电路的能量利用率。
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公开(公告)号：CN112054056A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010929206.8
申请日：2020-09-07
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/20 , H01L29/06 , H01L27/02
Abstract: 本发明实施例公开了一种具有栅极静电防护结构的高电子迁移率晶体管及制作方法。其中具有栅极静电防护结构的高电子迁移率晶体管包括衬底；设置于衬底一侧依次层叠的应力缓冲层和外延层；设置于外延层背离衬底一侧的源极、漏极以及p型栅极层；p型栅极层包括第一区域和第二区域，第一区域背离衬底一侧依次层叠设置有p型表面盖层以及栅极，第二区域背离衬底一侧依次层叠设置有p型表面盖层以及阴极，第二区域背离衬底一侧还设置有与p型栅极层直接接触的阳极；阳极与源极电连接，阴极与栅极电连接。本发明实施例的技术方案，有效提高器件栅极静电放电防护能力，优化器件的电学可靠性。
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