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公开(公告)号：CN117766580A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311604037.0
申请日：2023-11-28
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种GaN基反相器，所述GaN基反相器包括外延基底，所述外延基底上开设有沟道隔离槽，所述沟道隔离槽两侧分别设置有E‑mode器件和D‑mode器件，所述E‑mode器件和D‑mode器件之间通过金属连线相连；本发明在D‑mode HEMT器件上应用相同CTL介质层，实现对D‑mode阈值电压的调控，进而影响D‑mode器件的导通电阻，以调控E/D‑mode器件在即将导通和导通状态下的电阻比例，优化反相器的输出摆幅和增益特性；通过调整GaN D‑mode器件阈值电压，优化反相器的输出摆幅和增益特性，最大限度提升了GaN基反相器的工作性能。
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公开(公告)号：CN117096024A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311015281.3
申请日：2023-08-14
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供了一种对于GaN表面的原子层刻蚀工艺，该刻蚀工艺采用O2作为GaN反应气体，利用自限效应实现固定厚度的氧化，然后选择BCl3作为去除气体，利用BCl3对氧化物的高刻蚀速率来实现快速去除改性层，并采用盐酸等可以去除氧化物的溶液进行表面损伤修复和杂质去除，该工艺具备工艺简单、损伤小、利于欧姆接触、适于性广等特点。
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公开(公告)号：CN110928524B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201911241117.8
申请日：2019-12-06
Applicant: 南方科技大学
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明公开了一种伪随机信号发生器，包括：信号输入端，用于输入时钟信号；传输模块，与所述信号输入端连接，用于分流放大所述时钟信号；信号产生模块，与所述传输模块连接，用于接收模式切换信号并根据所述模式切换信号和所述时钟信号产生伪随机信号；信号输出模块，与所述信号产生模块连接，用于输出伪随机信号。本发明提供的一种伪随机信号发生器，通过优化核心电路逻辑架构解决了现有技术中数据传输延迟高、工作速率低、电路功耗高的问题，实现了缩短数据传输延迟进而提高工作速率，并且在需要特定码元信号的情况下，可以切换模式任意产生多种不同的高速伪随机信号源的效果。
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公开(公告)号：CN113488530A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110795264.0
申请日：2021-07-14
Applicant: 南方科技大学 , 深圳智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/45 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途。所述电极包括依次层叠设置的氧化镍层、铂层和金层，其中，所述氧化镍层为P型结构，所述铂层位于所述P型氧化镍层和金层的中间，所述氧化镍层为p型氮化镓基器件的欧姆接触层。本发明所提供的p型氮化镓基器件的电极，用于p型氮化镓基器件的源极和漏极，通过引入P型NiO层，过渡金属和半导体界面的肖特基势垒高度，使更多的载流子在金属和半导体间流动，同时通过超高真空热处理，解决了Ga2O3污染层导致的肖特基势垒高度升高问题，降低了器件源漏极欧姆接触电阻，提高了p型氮化镓基晶体管的性能，使得p型氮化镓基器件能够在CMOS电路发挥更大的作用，从劣势变为优势。
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公开(公告)号：CN112924515A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110077044.4
申请日：2021-01-20
Applicant: 南方科技大学
Inventor： 李汶懋 , 罗伯特·索科洛夫斯基 , 于洪宇 , 汪青
IPC: G01N27/416
Abstract: 本发明实施例公开了一种气体传感器及其制备方法，其中气体传感器包括：依次层叠的半导体衬底、缓冲层、势垒层、帽层，以及位于势垒层远离沟道层一侧的源极和漏极；还包括耐温绝缘层，耐温绝缘层设置于源极和漏极远离势垒层的一侧；耐温绝缘层覆盖势垒层和沟道层沿传感器厚度方向的侧壁，且覆盖势垒层未设置源极和漏极的区域；还包括栅极，栅极位于耐温绝缘层远离半导体衬底的一侧，且位于源极和漏极之间的感应区域。本发明实施例提供的技术方案提高了气体传感器的耐温性，扩大了测试温度的范围，增加了检测气体的范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111239224A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010138796.2
申请日：2020-03-03
Applicant: 南方科技大学
Inventor： 李汶懋 , 于洪宇 , 罗伯特·索科洛夫斯基 , 汪青 , 何明浩
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明实施例公开了一种气体传感器及其制备方法，该气体传感器包括：衬底；至少两个气体传感单元，位于半导体衬底上，气体传感单元包括异质结，位于异质结之上的源极、漏极以及功能性膜层构成的栅极，其中，气体传感单元之间的异质结相互隔断，功能性膜层用于探测气体，且不同气体传感单元中的功能性膜层能够探测的气体不同，钝化层，覆盖除功能性膜层以外的全部器件区域，实现将多个不同功能的气体传感器集成，降低成本的效果。
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公开(公告)号：CN120050954A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510187728.8
申请日：2025-02-20
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于沟槽结构的氧化镓SBD器件，包括：阴极、Ga2O3衬底、沟槽结构；其中，沟槽结构：所述沟槽结构包括第一Ga2O3外延层，所述第一Ga2O3外延层沉积在所述Ga2O3衬底上表面；所述第一Ga2O3外延层的上表面沉积有若干个第二Ga2O3外延层，相邻的所述第二Ga2O3外延层之间形成沟槽；位于所述沟槽的下方的所述第一Ga2O3外延层的内部设置有第一高阻区；通过在沟槽区域进行Mg离子扩散，在第一Ga2O3外延层、所述第二Ga2O3外延层形成高阻区，能对沟槽底部和侧壁的电子进行耗尽，从而增强器件性能，有效降低阳极区域的尖峰电场和漏电，提升器件的击穿特性。
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公开(公告)号：CN120018568A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510169918.7
申请日：2025-02-17
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本申请涉及一种无金欧姆接触电极及其制备方法和半导体器件，属于半导体器件技术领域。该无金欧姆接触电极形成于半导体器件的外延结构表面，该外延结构的最外层为p‑GaN层；无金欧姆接触电极包括依次层叠于所述p‑GaN层表面的第一金属层、第二金属层和第三金属层。其中，第一金属层的材质包括Ti、Al或Zn中的至少一种；第二金属层的材质包括Ni、Pt或Ag中的至少一种，且第二金属层的厚度为3～8nm；第三金属层的材质为Pd。该无金欧姆接触电极具有超低比接触电阻率，可大幅提高GaN p‑FETs器件性能，且不含Au，制造成本低，可同时兼容GaN CMOS和Si基CMOS工艺。
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公开(公告)号：CN118800797A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410679239.X
申请日：2024-05-29
Applicant: 南方科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L23/367 , H01L23/34 , G01N27/00 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓传感器及其制备方法，所述氮化镓传感器包括外延结构，所述外延结构从上至下依次包括：势垒层、沟道层、缓冲层和衬底；其中，所述势垒层的上表面设置有源极和漏级；所述源极和漏级之间设置有若干个栅极；所述源极、漏级和栅极彼此平行且间隔排布，共同形成齿状结构；所述势垒层的上表面还设置有钝化层；所述源极、漏级和栅极均被所述钝化层覆盖；所述栅极的数量≥2。本发明提供了一种高性能、高可靠性、多功能的便携式氮化镓传感器系统，且易大规模集成和生产，对实现高性能、高可靠性、多功能的便携式氮化镓传感器系统具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116364768A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202111568259.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 南方科技大学
Abstract: 本申请提供一种p‑GaN欧姆接触电极及其制备方法和电子元件，该p‑GaN欧姆接触电极包括p‑GaN材料层和电极；电极包括设置在p‑GaN材料层表面的强亲氧性金属层和设置在强亲氧性金属层上的高功函数金属层。利用强亲氧性金属的强亲氧性，在后期退火工艺过程中，还原P‑GaN表面上生成的GaO，达到原位去除表面GaO的作用，降低金属/p‑GaN间的肖特基势垒高度。同时电极金属中选择功函数高、致密性好的金属作为第二金属层，第二金属层一方面做为阻挡层，阻止强亲氧性金属的向外扩散，另一方面退火过程中第二金属层的元素扩散到p‑GaN材料层，与p‑GaN材料层直接接触，易于与p‑GaN形成欧姆接触。
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