公开(公告)号：CN116364768A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202111568259.2

申请日：2021-12-21

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 唐楚滢 ,  陈玺光 ,  于洪宇 ,  汪青 ,  卢宏浩 ,  杜方舟 ,  高荣宇

IPC: H01L29/45 ,  H01L21/04

Abstract: 本申请提供一种p‑GaN欧姆接触电极及其制备方法和电子元件，该p‑GaN欧姆接触电极包括p‑GaN材料层和电极；电极包括设置在p‑GaN材料层表面的强亲氧性金属层和设置在强亲氧性金属层上的高功函数金属层。利用强亲氧性金属的强亲氧性，在后期退火工艺过程中，还原P‑GaN表面上生成的GaO，达到原位去除表面GaO的作用，降低金属/p‑GaN间的肖特基势垒高度。同时电极金属中选择功函数高、致密性好的金属作为第二金属层，第二金属层一方面做为阻挡层，阻止强亲氧性金属的向外扩散，另一方面退火过程中第二金属层的元素扩散到p‑GaN材料层，与p‑GaN材料层直接接触，易于与p‑GaN形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN115394856A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211151602.8

申请日：2022-09-21

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 程鸿宇 ,  高荣宇 ,  李汶懋 ,  邓宸凯 ,  陈建国 ,  汪青 ,  于洪宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请提供一种超级结MOSFET及其制备方法，涉及半导体领域，该超级结MOSFET在先前的柱状结构的垂直SJ MOSFET结构基础上加入了肖特基二极管结构，通过仿真软件进一步验证该新型结构的可行性。在反偏导通状态下，肖特基二极管将会处于正偏状态，将电子从漂移区域中引导出去并流过肖特基二极管，达到减少反向恢复电流以及反向恢复时间的作用，但并不会影响器件的击穿特性。同时，引入肖特基二极管的超级结MOSFET的反向恢复电流与常规的超级结MOSFET相比，反向恢复电流大小仅仅只有11.94A，反向恢复电荷也仅仅只有0.50μC，进一步说明该超级结MOSFET结构对于反向恢复电学特性的改进。