公开(公告)号：CN120018568A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510169918.7

申请日：2025-02-17

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于洪宇 ,  陶文川 ,  汪青 ,  卢宏浩 ,  王沛然 ,  王子扬 ,  马晓伟

IPC: H10D64/62 ,  H10D64/01

Abstract: 本申请涉及一种无金欧姆接触电极及其制备方法和半导体器件，属于半导体器件技术领域。该无金欧姆接触电极形成于半导体器件的外延结构表面，该外延结构的最外层为p‑GaN层；无金欧姆接触电极包括依次层叠于所述p‑GaN层表面的第一金属层、第二金属层和第三金属层。其中，第一金属层的材质包括Ti、Al或Zn中的至少一种；第二金属层的材质包括Ni、Pt或Ag中的至少一种，且第二金属层的厚度为3～8nm；第三金属层的材质为Pd。该无金欧姆接触电极具有超低比接触电阻率，可大幅提高GaN p‑FETs器件性能，且不含Au，制造成本低，可同时兼容GaN CMOS和Si基CMOS工艺。

公开(公告)号：CN118352389A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410187898.1

申请日：2024-02-20

Applicant: 南方科技大学 ,  江苏卓胜微电子股份有限公司

Inventor： 于洪宇 ,  樊涤非 ,  汪青 ,  何佳琦 ,  王沛然 ,  邓宸凯 ,  陶赓名

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种高线性度GaN基射频器件，所述高线性度GaN基射频器件从下至上包括基底、缓冲层、势垒层；其中，所述势垒层的材料为AlGaN，所述势垒层的中间部分，设置有一道纵向贯穿所述势垒层的主凹槽，所述主凹槽的两端，设置有若干条与所述主凹槽垂直的分凹槽；本发明通过对栅极凹槽沟道形状进行设计，再对势垒层进行刻蚀或再生长，制备高质量凹栅结构，优化了载流子运输特性，从而制备高线性度高耐压的常关型GaN射频器件。

公开(公告)号：CN120018538A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510163626.2

申请日：2025-02-14

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于洪宇 ,  马晓伟 ,  汪青 ,  卢宏浩 ,  陶文川 ,  王子扬 ,  文康尧 ,  王沛然

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/47 ,  H10D64/27 ,  H10D64/01

Abstract: 本申请涉及一种增强型氮化镓p型场效应晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该制备方法包括步骤：提供最外层为p型氮化镓层的外延片结构，p型氮化镓层中具有二维空穴气；于p型氮化镓层的表面间隔形成源极和漏极；于p型氮化镓层的表面形成栅介质结构，栅介质结构包括依次层叠的空穴隧穿层、空穴俘获层和阻挡层；于栅介质结构的表面形成栅极。通过在p型氮化镓层的表面形成具有空穴隧穿层、空穴俘获层和阻挡层的栅介质结构，对栅极施加负压完成初始化后即可实现器件增强，无需引入刻蚀工艺，从而可降低器件的泄漏电流，提高可靠性。并且，能够精确调控器件的阈值电压，降低电路设计难度，增加氮化镓p型场效应晶体管的可应用场景。

公开(公告)号：CN118919562A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410441529.0

申请日：2024-04-12

Applicant: 南方科技大学 ,  江苏卓胜微电子股份有限公司

Inventor： 于洪宇 ,  王沛然 ,  汪青 ,  何佳琦 ,  邓宸凯 ,  樊涤非 ,  陶赓名

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/66 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明公开了一种线性度提高的氮化镓器件，所述线性度提高的氮化镓器件从上至下包括电极延伸部分、V型结构和基底结构。本发明提供了一种线性度提高的氮化镓器件，利用双晶向的迁移率与二维电子气浓度不同的性质，可以实现器件的跨导平坦度调制，从而实现更高的线性度；具体地，本发明在m晶面GaN外延片上直接外延常规的AlxGa1‑xN/GaN异质结再进行双晶向沟道的氮化镓器件的制备即可实现高线性度，不需要特殊的外延结构，从而降低了外延设计的成本。

公开(公告)号：CN117913121A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311720920.6

申请日：2023-12-14

Applicant: 南方科技大学 ,  江苏卓胜微电子股份有限公司

Inventor： 于洪宇 ,  王沛然 ,  汪青 ,  邓宸凯 ,  何佳琦 ,  黎程龙 ,  樊涤非 ,  陶赓名

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明公开了一种沟槽叠层钝化结构的氮化镓器件，由下至上依次包括：衬底、缓冲层、势垒层、Si3N4钝化层、金刚石钝化层；所述Si3N4钝化层表面刻蚀若干个沟槽，所述金刚石钝化层与刻蚀有沟槽的Si3N4钝化层表面紧密接触；其中，所述源极和漏极设置在金刚石钝化层的两端，所述栅极设置在源极和漏极之间；所述源极、漏极和栅极贯穿金刚石钝化层和Si3N4钝化层，直至势垒层的上表面。本发明提高了Si3N4钝化层与金刚石钝化层的接触面积并降低边界热阻，具有高导热作用，可以有效降低GaN器件的结温，实现更好的散热性能，从而降低结温，减小GaN器件直流和射频特性的退化效果。

公开(公告)号：CN117712167A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311604038.5

申请日：2023-11-28

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 于洪宇 ,  汪晓慧 ,  汪青 ,  王沛然 ,  李沐俊 ,  何明浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种具有三层钝化层的晶体管，所述具有三层钝化层的晶体管结构自上而下依次包括金刚石钝化层、功能层、漂移层、衬底；其中，所述功能层包括源极、漏极和栅极；所述源极和漏极设置在漂移层的两侧，所述源极和漏极之间沉积有栅介质层；所述栅介质层上方设置有栅极，所述栅极和源极之间，以及栅极和漏极之间，均自上而下依次沉积第二钝化层和第一钝化层；本发明提出的器件具有三层钝化层可以大大提高了器件的击穿电压特性，降低了反向漏电流，整体提高了器件的电学性能；首先在氧化镓表面的第一钝化层可以起到界面屏障的作用，防止氧化镓表面与环境中的物质相互作用。