公开(公告)号：CN115394856A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211151602.8

申请日：2022-09-21

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 程鸿宇 ,  高荣宇 ,  李汶懋 ,  邓宸凯 ,  陈建国 ,  汪青 ,  于洪宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请提供一种超级结MOSFET及其制备方法，涉及半导体领域，该超级结MOSFET在先前的柱状结构的垂直SJ MOSFET结构基础上加入了肖特基二极管结构，通过仿真软件进一步验证该新型结构的可行性。在反偏导通状态下，肖特基二极管将会处于正偏状态，将电子从漂移区域中引导出去并流过肖特基二极管，达到减少反向恢复电流以及反向恢复时间的作用，但并不会影响器件的击穿特性。同时，引入肖特基二极管的超级结MOSFET的反向恢复电流与常规的超级结MOSFET相比，反向恢复电流大小仅仅只有11.94A，反向恢复电荷也仅仅只有0.50μC，进一步说明该超级结MOSFET结构对于反向恢复电学特性的改进。

公开(公告)号：CN111554735A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010396763.8

申请日：2020-05-12

Applicant: 南方科技大学

Inventor： 陈建国 ,  于洪宇 ,  曾凡明 ,  汪青

IPC: H01L29/40

Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件场板的制作方法，包括：在半导体外延片表面形成第一介质层；在所述第一介质层上形成暴露所述半导体外延片表面的第一定位孔；在所述第一介质层表面以及被所述第一定位孔暴露的半导体外延片表面形成第二介质层；在所述第一定位孔内的第二介质层上形成暴露所述半导体外延片表面的第二定位孔；在第二介质层表面以及所述第一定位孔和所述第二定位孔处形成场板结构。本发明实施例通过先形成第一定位孔，再形成第二介质层和第二定位孔，使得最终形成的场板结构具有弧形结构的边缘，从而使得场板边缘电场不易于局部集中，半导体器件不易于被击穿，提高了半导体器件的可靠性。